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英飛凌展示新一代IGBT——650V TRENCHSTOP 5
- 英飛凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運動、可再生能源管理展覽會上突出展示了650V TRENCHSTOP? 5。新一代的薄晶圓IGBT絕緣柵雙極型晶體管——TRENCHSTOP? 5自從2012年秋季推出以來，已經獲得了巨大的市場關注，它被認為是一種革新的技術。
- 關鍵字： 英飛凌 TRENCHSTOP IGBT
安森美半導體推出領先業界的最佳系統級性能的IGBT，擴充產品陣容
- 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續擴充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產品陣容，應用于消費類電器及工業應用的高性能電源轉換(HPPC)。安森美半導體新的第二代場截止型(FSII) IGBT器件改善開關特性，降低損耗達30%，因而提供更高能效，并轉化為更低的外殼溫度，為設計人員增強系統總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應用進行了優化，相比現有器件能降低外殼溫度達20%。 安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul
- 關鍵字： 安森美，IGBT
英飛凌推出EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost
- 英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 日前推出新一代應用于新能源汽車的高壓IGBT門級驅動器。有了專為混合動力/電動汽車 (HEV) 的主逆變器而設計的全新EiceDRIVER? SIL和EiceDRIVER? Boost驅動器，汽車系統供應商便能夠更輕松地設計出更具成本效益的HEV電力傳動傳動子系統，該系統完全符合ASIL C/D功能安全要求標準 (ISO 26262)。
- 關鍵字： 英飛凌 EiceDRIVER 逆變器 IGBT
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