h系列 文章 最新資訊

意法半導(dǎo)體(ST)推出先進(jìn)的1200V IGBT,可實(shí)現(xiàn)更長的使用壽命、節(jié)省更多能源

• 　　意法半導(dǎo)體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術(shù)提升太陽能逆變器、電焊機(jī)、不間斷電源和功率因數(shù)校正(PFC, Power-Factor Correction)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的能效和耐用性。 　　意法半導(dǎo)體的新H系列1200V IGBT將關(guān)斷損耗和導(dǎo)通損耗降低多達(dá)15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標(biāo)準(zhǔn)集極電流和100°C下的典型值)，這能確保總體損耗降至最低，在20k
• 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  IGBT  H系列