電動汽車的運行條件不同于工業應用條件，對電驅動用逆變器的核心元器件功率模塊不僅要求體積小、重量輕、效率高、冷卻方法簡單等，而且要求更高的可靠性、更長的壽命以及安全無故障運行?！ ∽鳛槿蚴准议_發汽車級功率模塊的三菱電機從1997年起就將汽車級功率模塊成功地應用于電動汽車中，迄今為止，已具有20年成功開發汽車級功率模塊的豐富經驗。 據介紹，三菱電機最早推出的是客戶定制型的汽車級IGBT模塊和智能功率模塊(IPM)，隨后推出了非定制型的J-series汽車級功率模塊T-PM，它是一種采用壓注模封裝的2i
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三菱電機 IGBT
???????IGBT現在存在的一個比較大的問題是關斷特性比較差，這對應用限制比較多。英飛凌是如何解決這樣的問題的? 英飛凌科技(中國)公司工業功率控制事業部中國區總監?于代輝 以前，半導體廠家主要從產品的角度如電子學角度來實現產品的更新換代。最近，英飛凌提出PToS，也就是從產品到系統。英飛凌從系統的角度，通過與用戶更多的溝通，比如UPS，包括太陽能、風能也存在導通電阻、工作溫度的問題。我們從用戶、系統和應用的角度來反觀
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英飛凌 IGBT
新能源汽車隨著相關技術的日趨成熟而越來越受歡迎，同時其清潔環保的特點已經越來越受到大眾的喜愛。只是受制于動力系統(電池等)的限制，新能源汽車的續航與動力艙的體積一直為人詬病。由此可見，新能源汽車優勢非常明顯，但弱點也比較突出，因此如何才能充分利用這種新技術，使之不雞肋呢?增加配套基礎設施(像燃料動力車一樣，增加“加油站”即充電樁/充電機)毫無疑問成為推動電動車發展的最強助力。這個配套基礎設施的潛力有多大?可以這么說，有路的地方就有機會!由此，我們可以看到大量的企業信心滿滿地殺入這個市場?！ ∧敲磫栴}來
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Vincotech IGBT
在IGBT的使用過程中，存在電路失效的情況，而失效的原因通常多種多樣，其中一種就是當驅動電路工作頻率相對IGBT開關頻率不足時，導致的IGBT失效問題。只有對IGBT失效原因進行正確全面的分析，才能找出問題的根源順利解決。幫助大家理解這種失效原因背后的原理?！ ⊥ǔ碚f，限制輸出頻率的因素是響應速度和耗散功率。但是相比之下很多驅動產品的規定輸出頻率上限卻顯得小了很多。這是為什么呢?原因之一，是驅動器經過一次輸出翻轉后并不能馬上恢復穩態。如果在驅動器進入穩態前再次輸出翻轉，則會引發一些可靠性問題?！ ”?/li>
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驅動電路 IGBT
瑞薩第8代IGBT：G8H系列2016年3月10日，日本東京訊——全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723)，于今日宣布推出第八代G8H系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的六款新產品，其可將用于太陽能發電系統的功率調節器中的轉換損耗降至最低，并減少不間斷電源(UPS)系統中的逆變器應用。推出的六種新產品額定功率分別為650 V /40 A、50 A、75 A、1250 V / 25 A、4
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瑞薩 IGBT
IGBT有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發射極E(也稱源極) 一、用指針式萬用表對場效應管進行判別 (1)用測電阻法判別結型場效應管的電極 根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表
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IGBT
死區就是在上半橋關斷后，延遲一段時間再打開下半橋或在下半橋關斷后，延遲一段時間再打開上半橋，從而避免功率元件燒毀。 PWM脈寬調制 在電力電子中，最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。以兩電平為例，每個橋臂上有兩個電力電子器件，比如igbt。這兩個igbt不能同時導通，否則就會出現短路的情況。因此，設計帶死區的PWM波可以防止上下兩個器件同時導通。也就是說，當一個器件導通后關閉，再經過一段死區，這時才能讓另一個導通?！ ∷绤^,簡單解釋 通常,大功率電機、變頻器等，末端都是由大功率管
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PWM IGBT
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。目標應用包括大型家用電器的驅動電機、工業自動化系統以及電動自行車和無人駕駛飛機等以電池供電的運載工具。新產品還適用于超過600W的電源，以及燃料電池、太陽能和風力發電應用的反相器。 DGD21xx系列具有可自舉到高達600V的浮動高側驅動器，使之適用于在電機驅動器及電源常見
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Diodes IGBT
愛之深、恨之切，因為我們太在意國芯的自強，所以才會怒其不爭，不能憑自己的實力說話，而是需借助外力，收購也許是最省力的辦法。
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IGBT 芯片
全球先進電子元件分銷商世強日前與國際橋堆制造領軍企業Shindengen簽訂分銷協議，前者正式代理包括橋堆、二極管、電源模塊、可控硅、IGBT、MOS等在內的新電元全線產品。 新 電元工業株式會社于1949年成立以來，主要從事功率半導體和開關電源、電裝制品的制造和銷售，并以電力電子技術為主要領域。旗下的電源用肖特基二極管、橋堆等分立器件產品的市場占有率穩居世界前列，在日本國內占95%的市場份額。其整流橋在全世界占有接近40%的市場份額，素有“橋王”之稱。 新 電元的主打產品——
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世強 IGBT
工業運動控制涵蓋一系列應用，包括基于逆變器的風扇或泵控制、具有更為復雜的交流驅動控制的工廠自動化以及高級自動化應用(如具有高級伺服控制的機器人)。這些系統需要檢測多個變量，例如電機繞組電流或電壓、直流鏈路電流或電壓、轉子位置和速度。變量的選擇和所需的測量精度取決于終端應用需求、系統架構、目標系統成本或系統復雜度。還有其他考慮因素，例如狀態監控等增值特性。據報道，電機占全球總能耗的40%，國際法規越來越注重全體工業運動應用的系統效率(參見圖1)。
圖1：工業
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調制器 IGBT
模擬信號的隔離是非常頭疼的，有時候不得不需要隔離。大部分基于以下需要： 1.隔離干擾源; 2.分隔高電壓?！ 「綦x數字信號的辦法很多，隔離模擬信號的辦法卻沒有想象的那么多，關鍵是隔離的成本，比想象的都要高出許多。特別是要求精確測量的場合，模擬信號的隔離，成本高得更加是離譜的無法想象。我從事這種系統開發多年，對自己所知道的隔離方法做個小小的總結： 數字隔離方法： 1. 光耦; 2. ADI 的磁隔離芯片,ADuMXXXX(XXXX為數字代號，如 I2C的ADuM1250); 3.自己用變壓器
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模擬信號 IGBT
貿澤電子 (Mouser Electronics) 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列產品在175°C的溫度下，能夠提供業界領先的1.60 VCE(sat) 低典型飽和電壓，因此即使在高溫工作條件下，也能保持較高的能效。 Mouser分銷的Infineon TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提高了開關性能，可降低電路復雜度，此外由于不需要電容與齊納二極管，還可以降低整體系統成本
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Infineon IGBT
英飛凌科技股份公司進一步壯大其200 V驅動IC產品陣容，推出支持高壓、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驅動IC能為具有嚴格空間限制的電機變頻器應用提供全面保護，比如電動園藝設備、高爾夫球車、電動工具及代步車等。IRS200x家族產品包括高邊和低邊驅動以及半橋式驅動，采用英飛凌成熟而強大的高壓結隔離(HVJI)工藝，以實現小型封裝，同時保持對負瞬變電壓的耐受性。這種200 V器件專為低壓(24 V、36 V和48 V)和中壓(60 V、80 V和100 V)應用量身定制
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英飛凌 IGBT
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