三菱電機半導體首席技術官GourabMajumdar博士,在PCIM Asia 2016展會期間提到,三菱電機的功率半導體模塊(包括其在美國合資企業Powerex)2014年和2015年的銷售額大約在4.3兆日元至4.4兆日元,約占全球總銷量的23%,位居功率模塊市場首位。
圖一:三菱電機半導體首席技術官GourabMajumdar博士記者會演講
雖然2016年整體經濟環境不佳,預計銷售額會有所下降。但是,由于中國市場龐大,并且根據國家相應的十三五發展規劃,中國將從制造大國邁向制造強國
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三菱電機 IGBT
2016年PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會將再次于6月28至30日在上海世博展覽館舉行。展會由廣州光亞法蘭克福展覽有限公司、法蘭克福展覽(上海)有限公司、德國美賽高PCIM有限公司和上海浦東國際展覽公司合力主辦。為期三天的行業盛事預料將吸引來自8個不同國家及地區共90家電力電子、連接技術和傳感器的高端企業參展,以及超過6,000名專業觀眾蒞臨參觀采購,總展覽面積達到5,600平方米。
隨著中國最面進入工業化革命,國家大幅度提高對可再生能源、電動
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PCIM IGBT
為解決“I”型三電平逆變拓撲中內、外開關管的不均壓問題,在逆變拓撲開關管的控制方式及硬件電路上提出了優化的方案。開關管發波控制中,在原有的時序控制中加入開機和關機的時序邏輯,開機時保證內管先于外管開通,關機時保證外管先于內管關斷,避免內、外管承受電壓不一致的情況。在硬件電路中,對內管增加阻容網絡,消除了內、外管同時關斷時由于其寄生參數不一致而導致的內、外管承受電壓不一致的現象。實驗結果表明,該方法可以徹底解決“I”型三電平拓撲中內、外管承受電壓不一致的問題。
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“I”型三電平 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 內、外管 不均壓 201607
三菱電機今年繼續以“創新功率器件構建可持續未來”為主題, 攜帶八款新型功率器件,于6月28至30日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)中登場,向公眾展示其在功率半導體市場上的非凡實力(三菱電機展位號:B15)。
今年展出的功率器件應用范圍跨越四大領域,包括:變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業和新能源發電,致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。
變頻家電市場
在變頻家電應用方面,三菱電機這次在去年推介
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三菱電機 IGBT
EV/HEV用IGBT在5年內將增長3倍。由于EV/HEV的電力系統更加復雜,IGBT的熱設計與可靠性分析與測試十分重要,需要借助軟硬件結合的方式進行仿真與測試。
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EV/HEV IGBT 熱 可靠性 201606
Mentor Graphics公司近日宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產品,其在功率循環中能測試電動和混合動力車 (EV/HEV) 的IGBT的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產品,EV/HEV 研發和可靠性工程師能測試功率半導體器件(如IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器),以便檢查對完成任務來說至關重要的熱可靠性和生命周期性能。
“中國三類客戶對此會有感興趣:1.一些OEM廠商自己在做IGBT;2.企
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Mentor IGBT
Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產品,其在功率循環中能測試電動和混合動力車 (EV/HEV) 的功率半導體器件的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產品,EV/HEV 研發和可靠性工程師能測試功率半導體器件(如絕緣柵雙極性晶體管 – IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器),以便檢查對完成任務來說至關重要的熱可靠性和生命周期性能。熱可靠性問題可能導致需要召回 EV/HEV 汽車,
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Mentor Graphics IGBT
隨著Fairchild最新汽車創新產品的上市,汽車制造商及其供應商在牽引逆變器 和其他電機驅動的元件方面將擁有更多的選擇 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今天發布了新產品,即適用于混合動力電動汽車(HEV)、充電式混合動力電動汽車(PHEV)和電動汽車(EV)應用的新型分立式IGBT和二極管和裸片,從而擴展了其不斷增加的汽車級半導體解決方案產品組合。 這些IGBT和二極管非常適合牽引逆變器,牽引逆變器是所有HEV、PHEV和EV的核心組件,能夠將電池
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Fairchild IGBT
中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅動器IC,8 A是目前業內不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅動,也是首款將Power Integrations首創的FluxLink?磁感雙向通信技術引入1200 V驅動器應用的產品。Flux
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Power Integrations IGBT
中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅動器IC,8 A是目前業內不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅動,也是首款將Power Integrations首創的FluxLink?磁感雙向通信技術引入1200 V驅動器應用的產品。Flux
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Power Integrations IGBT
本文通過等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡的指出了IGBT的特點。可以說,IGBT是一個非通即斷的開關,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。
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IGBT MOSFET
本文簡介了IGBT模塊的主要封裝工藝流程,并在相同的實驗條件下,對兩組不同氧化程度的模塊分別進行超聲波無損檢測掃描,將掃描圖像載入空洞統計分析軟件,通過對比兩組空洞率數據發現:非氧化底板焊接空洞率較低,氧化底板的焊接空洞率普遍偏大?;诒緦嶒灥慕Y果,本文建議IGBT模塊在封裝之前,應對散熱底板做好防腐處理,以確保底板不被氧化。
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IGBT 底板 氧化 空洞率 超聲波檢測 201605
高溫及長壽命半導體解決方案的領先供應商CISSOID公司宣布,向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首個三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模塊(IPM)原型。該模塊在 Clean Sky Joint Undertaking 項目的支持下開發而成,通過減小重量和尺寸,該模塊有助于提高功率轉換器密度,從而
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CISSOID IPM
工業基礎能力不強,關鍵核心零部件受制于人,工業發展如何補短板?解放日報·上海觀察從國家工信部12日發布的《工業強基2016專項行動實施方案》獲悉,今年工信部將推動重點領域發展,實施“一攬子”突破行動,重點突破40種左右標志性核心基礎零部件(元器件)、關鍵基礎材料、先進基礎工藝。
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“工業大而不強”,是我國工業發展的總體現狀。上海機床廠剛剛下線的國內首臺進入汽車主機廠發動機生產線的“MK8220/S
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IGBT 中國制造2025
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