- 溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監控溫度。半導體硅PTC熱敏電阻可以很好進行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設計得當，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點，采用模擬電路仿真的方法說明功率模
- 關鍵字：
IGBT MOSFET
- 用于消防控制系統的集中供電電源應具備不間斷供電的特性，能夠進行電池充電及智能顯示。本文通過半橋拓撲設計主電電路，以STM8S003F3P作為電源的控制單片機，使用繼電器控制電路實現主備電無縫切換，使用電池充電電路對蓄電池進行智能充電管理，最后搭建實際電路進行驗證。驗證結果表明：設計的集中供電電源輸出性能指標較高，且能夠實現不間斷供電及電池充電功能，滿足消防控制系統供電要求。
- 關鍵字：
集中供電電源 半橋拓撲 充電管理 智能 202104 MOSFET IGBT
- 2018年比亞迪半導體在寧波發布了IGBT4.0芯片，樹立了國內車規級中高端IGBT芯片標桿。歷時兩年積累沉淀，比亞迪半導體即將在西安新研發中心發布更高性能的IGBT6.0。西安高新區已經匯聚了華為、浪潮、三星等一大批知名企業，隨著西安研發中心大樓的落成，也標志著比亞迪半導體正式入駐中國“西部硅谷”。2008年比亞迪1.7億元收購了寧波中緯。中緯賬面上最有價值的東西是源自臺積電淘汰的一條8英寸晶圓線，但這筆收購給還給比亞迪帶來了晶圓車間、技術團隊等資源。當時長三角地區是中國半導體制造的重要基地。彼時這些資
- 關鍵字：
比亞迪 IGBT
- 1? ?低碳時代驅動功率轉換的變革當前，世界各國以全球協約的方式減排溫室氣體，我國也提出了碳達峰和碳中和的目標，這對電子產品的降低能耗提出了巨大挑戰。因為隨著物聯網的普及，產品需要有更長的待機時間；由于產品的性能提高和功能豐富，也會增加工作能耗。這就需要功率轉換元器件和模塊的效率進一步提升，因此，近年來IPM（智能功率器件）開始盛行。2? ?適合小功率電機的IPM?IPM的優勢是高效率、低功耗、模塊化。以空調市場為例，全球空調市場的出貨量這兩年約1.5億臺
- 關鍵字：
IPM IGBT
- 電磁感應加熱在小家電市場(如電飯煲，油炸鍋和牛奶泡沫器等)已經得到廣泛應用，減小系統尺寸，降低系統成本和提高可靠性是越來越多客戶的需求。本文設計了一款2.1 kW電磁感應加熱平臺。搭載了英飛凌自帶保護IPD Protect，XMC單片機和CoolSET PWM控制器輔助電源。電路拓撲采用單端并聯諧振電路，最大輸出功率2.1 kW，實現了IPD Protect的快速過流保護，過壓保護，過溫報警和保護，輸入電壓欠壓保護和低靜態電流等功能，其中IPD protect過壓和過流保護點可以根據系統要求來調節。同時，
- 關鍵字：
感應加熱 IPD Protect IGBT 小家電 TRENCHSTOP 202102
- 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等，是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心。功率半導體器件種類眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大，是最主要的品類。根據iHS預測，MOSFET和IGBT將是2020-2025年增長最強勁的半導體功率器件。增長的市場空間被行業專家拆解成兩個方面：折舊帶來的替換市場以及電氣化程度加深帶來的新增市場。既然新增市場源于電氣化程度的加深，那
- 關鍵字：
IT6862A IT6015D-80-450 電動車用大功率 IGBT 模塊測試
- 科索有限責任公司近日宣布擴大其為中型機器人和工廠自動化設計的RB系列，增加一款300W的版本。RBC300F是一種開放式框架，可配置AC/DC電源，具有三路輸出，專門為機器人控制器和工廠自動化定制。基于一個獨特的概念，科索RBC300F系列提供三個可配置隔離輸出，其中一個具有增強隔離給智能柵雙極型晶體管（IGBT）或等效應用供電。RBC300F通過EN62477-1過電壓類別（OVC）Ⅲ認證，當連接到配電板時，通過減少額外的隔離變壓器，RBC300F電源簡化了系統架構師的設計過程，同時降低了成本。RBC3
- 關鍵字：
OVC IGBT COSEL RBC300F 對流冷卻設計
- 隨著電動汽車（EV）數量的增加，對創建更加節能的充電基礎設施系統的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據聯合充電系統和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術
- 關鍵字：
EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
- 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現諸如圖騰柱無橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優點，包括更低的開關損耗、更佳
- 關鍵字：
MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
- 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業標準模塊封裝產品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術,為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現極高的電流密度。其極低的開關損耗
- 關鍵字：
MOSFET TIM IGBT
- 舒 暉（奇瑞新能源汽車股份有限公司，安徽 蕪湖 241002） 摘 要：針對電動汽車在能量回饋時，動力電池高壓繼電器異常斷開的特殊工況下，提出了一種IGBT保護策略優化方案，快速檢測因動力電池瞬斷產生的尖峰電壓，觸發保護機制保護IGBT模塊。本文通過臺架實驗對比了方案優化前后的尖峰電壓值，最終通過實車驗證了該方案的可行性。結果表明，優化后的保護策略能更快地檢測到抬升的母線電壓，觸發保護機制，停止IGBT工作，降低IGBT模塊損壞的風險。 關鍵詞：電動汽車；能量回饋；IGBT 0 引言 傳統汽車
- 關鍵字：
202007 電動汽車 能量回饋 IGBT
- 我國正在大力進行新基建，工業物聯網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發展基礎。充電樁、工業物聯網、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區功率分立器件和模擬產品部區域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪，分享了對工業市場的預測，并介紹了ST的新產品。ST亞太區 功率分立器件和模擬產品部 區域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業電源市場
- 關鍵字：
電源 SiC IGBT GaN
- 本文將強調出無論就能源效率、散熱片尺寸或節省成本方面來看,工業傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優點。摘要由于電動馬達佔工業大部分的耗電量,工業傳動的能源效率成為一大關鍵挑戰。因此,半導體製造商必須花費大量心神,來強化轉換器階段所使用功率元件之效能。意法半導體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)技術,為電力切換領域立下全新的效能標準。1.導言目前工業傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發的碳化
- 關鍵字：
MOSEFT FWD ST IGBT
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出型號為“TPD4162F”的高壓智能功率器件（IPD）。該器件采用小型表面貼裝封裝，設計用于空調、空氣凈化器和泵等產品中的電機驅動。并計劃于今日開始出貨。TPD4162F采用新工藝制造，與東芝當前的IPD產品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅動帶方波輸入信號的無刷直流電機，無需PWM控制
- 關鍵字：
IPD IGBT IC
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預驅動光耦，適用于工業逆變器和光伏（PV）的功率調節系統。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1]，其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品于今日起開始出貨。新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠
- 關鍵字：
IGBT MOSEFT
igbt 7介紹
您好，目前還沒有人創建詞條igbt 7!
歡迎您創建該詞條，闡述對igbt 7的理解，并與今后在此搜索igbt 7的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
