中高壓逆變器應用領域門極驅動器技術的創新者Power Integrations近日推出1SP0351?SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門極驅動器，新產品專為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發。新的門極驅動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應用。1SP0351驅動器裝備了動態高級有源鉗位功能(DAAC)、短路保護
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門極驅動器 IGBT
Steven?Shackell? （安森美半導體?工業業務拓展經理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉向無刷直流(BLDC)電機；工業電機需要更高能效的電機，同時 需要強固和高質量。安森美以領先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉變帶來的商機。 關鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產品系列，尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來自所有電機類型的 商機感到興奮，并非常看好無刷直流電機(BLDC)應用 （例如電動工具），
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202003 電機 電動工具 MOSFET 工業 IGBT IPM
基于國內外大客戶對高端功率半導體器件的旺盛需求，特別是超級結產品(SJ)和絕緣柵雙極型器件(IGBT)的應用，華虹集團旗下華虹二廠在2020年1月的投入再創新高，光刻層數達到了48萬！生產線在年度動力檢修后已滿負荷運行，在1月也取得了出貨6.12萬片晶圓的佳績！
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半導體 IGBT SJ 華虹
王定良（電子科技大學 電子科學與工程學院，四川 成都 610054） 摘? 要：作為電機驅動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發。另外，過高的dV/dt也會在IGBT關斷狀態下產生雪崩擊穿。本文結合半橋電路的寄生參數模型，完善傳統公式的推導。基于對公式與IGBT擎住現象的分析，并結合IGBT的安全工作區提出了一種根據dv/dt的大小來動態擴展IGBT安全工作區的電路結構，改善了傳統半橋電路工作時的可靠性。 關鍵詞：IGBT；
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202002 IGBT 誤觸發 dV/dt 可靠性
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產品于今日起開始出貨。?GT20N135SRA產品圖GT20N135SRA的集電極-發射極的飽和電壓[1]為1.75V，二極管正向電壓[2]為1.8V，分別比東芝當前產品[3]低10%和21%。IGBT和二極管都針對高溫（TC=100℃）條件下的導通損耗特性進行了改進，而且新款IGBT還有助于降低設備功耗。該產品的結殼熱阻為0
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IGBT 分立
各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創新與產業聯盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰略合作協議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發，充分發揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢，并推動其在眾多領域實現廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統硅器件。然而，在各類應用中
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IGBT SiC GaN
插電式混合動力/電動汽車(xEV)包含一個高壓電池子系統，可采用內置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進行充電。充電(應用)要求在高溫環境下具有高電壓、高電流和高性能，開發高能效、高性能、具豐富保護功能的充電樁對于實現以盡可能短的充電時間續航更遠的里程至關重要。常用的半導體器件有IGBT、超結MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半導體為電動汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統方案，包括通過AEC車規認證的超級結MOSFET、IGBT、門極驅動器、碳化硅(SiC)器件、電壓檢測、控制產品乃至電源模塊等，
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超級結MOSFET IGBT 充電樁
Thomas?Brand（ADI慕尼黑公司?現場應用工程師） 摘?要：探討了IGBT隔離式柵極驅動器的重要特性。 關鍵詞：IGBT；隔離式；柵極驅動器 在功率電子（例如驅動技術）中，IGBT經常用作高電壓和高電流開關。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產生于開關期間。為了最大程度減小開關損耗，要求具備較短的開關時間。然而，快速開關同時隱含著高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅動器，還執行提供短路保護并影響開關速度的功能。然而，在選擇柵極驅動器
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201909 IGBT 隔離式 柵極驅動器
在產業電子化升級過程中，作為電子產品的基礎元器件之一的功率半導體器件越來越得到重視與應用。而中國作為需求大國，已經占有約39％的市場份額，在中國制造業轉型升級的關鍵時期，對功率半導體器件的需求將會越來越大。自上世紀80年代起，功率半導體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應用類型。其中IGBT經歷了器件縱向結構、柵極結構以及硅片加工工藝等7次技術演進，目前可承受電壓能力達到6500V，并且實現了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亞洲展2019將在在上海世博展覽館舉行，三
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三菱電機 PCIM亞洲展 IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點，具備易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高 (10-40 kHz) 等特點，已逐步取代晶閘管和GTO（門極可關斷晶閘管），是目前發展最為迅速的新一代電
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IGBT 場效應管
電機用于電梯、食品加工設備、工廠自動化、機器人、起重機……這樣的例子不勝枚舉。交流感應電機在這種應用中很常見，且總是通過用于電源級的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來實現驅動。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實現交流感應電機所需的正弦電流。在設計電機驅動器時，保護操作重型機械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅動電機所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統中提供安全隔離的重要任務由驅動IGBT的柵極驅動
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電機 IGBT
2019年4月30日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器。AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術，提供低導通損耗和開關損耗，用于多方面的電源應用，包括那些將得益于更低反向恢復損耗的應用，如基于圖騰柱的無橋功率因數校正(PFC)和逆變器。該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘
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安森美半導體 IGBT SiC肖特基二極管技術
Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國 慕尼黑） 摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。 關鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅動器；耐受性；隔離? ? &nb
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201905 IGBT MOSFET 柵極驅動器 耐受性 隔離
意法半導體的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V
STPOWER?IGBT兩款產品能夠在軟開關電路中實現最佳的導通和開關性能，提高諧振轉換器在16kHz-60kHz開關頻率范圍內的能效。 新IH系列器件屬于意法半導體針對軟開關應用專門優化的溝柵式場截止(TFS)
IGBT產品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關應用的半橋電路，現在產品設計人員可以選用這些IGBT，來達到更高的能效等級。除新的IH系列外，意法半導體的軟開關用溝柵式場截止(TFS)
IGBT系列產品
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意法半導體 IGBT
TrendForce在最新《中國半導體產業深度分析報告》指出，受益新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產品持續缺貨和漲價，帶動2018年中國功率半導體市場規模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣，其中離散式元件市場規模為1,874億元人民幣，較2017年成長14.7%;電源管理IC市場規模為717億元人民幣，較2017年增長8%。
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功率半導體 IGBT
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