- 2013年9月5日，首屆“第三代半導體材料及應用發展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導體研究所、南...
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Si基 GaN 功率器件
- 傳統的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
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GaN LED 光萃取技術
- GaN是什么?
什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結構，為直接帶隙半導體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學氣相淀積法制備。
GaN材料的研究與應用是全球半導體研究的熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被
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GaN 功率器件
- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產品初始狀態是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規格的硅功率器件，品質因數(FOM)可降低近一半。
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富士通 功率器件 GaN MB51T008A
- SiC企業不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導體已經不再特別。”這是因為，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導體”的大量發布，在學會和展會的舞臺上，這種功率半導體逐漸帶上了“當代”的色彩。
那么，在使用功率半導體的制造現場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導體使用者的心目中，此類產品已逐漸由
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SiC GaN
- Silicon Labs數字隔離器(光電耦合器替代品)與標準光電耦合器之間關于共模瞬變抑制(CMTI)魯棒性的詳細對比。該視頻中展示了如何使用被認可的經過校準的商業CMTI測試儀測量Si87xx數字隔離器的瞬變抑制特性，因此你能確
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CMTI Si 87 xx
- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
- 因照明用LED需求大增，三菱化學計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產能擴增至現行的2-3倍。
目前，三菱化學利用水島事業所和筑波事業所生產的GaN基板，生產的產品直徑為2寸，月產能分別為1,000片、數百片。
而為了要達到穩定獲利的水平，有必要將產品尺寸擴大至4-6寸，所以，三菱化學計劃借由調整水島事業所現有設備的制程，開始生產直徑為4寸的GaN基板，月產能為200-300片，并計劃憑借新設生產設備或增設廠房等措施，開始生產6寸GaN基板，將GaN基板產能擴增至現行的2-3倍
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LED GaN
- PROFIBUS—DP應用于對分散冷凝水的回收，通過對冷凝水泵電機的變頻控制，不但組網容易，而且控制精度和控制決策更加簡潔。組網時必須借助于通訊接口卡SI—Pl，通過配置相應的軟件，使普通變頻器成為帶有現場總線接口的變頻器。按照鍋爐補水箱極限水位，動態調節各分散處冷凝水的回收流量，使鍋爐補水箱在儲存冷凝水過程中不至于斷流和溢出。
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PROFIBUS&mdash DP總線 冷凝水回收 SI&mdash Pl 變頻器
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業化
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富士通 功率器件 GaN
- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
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富士通 功率器 GaN
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智能手機 功放 最佳效率 TD-LTE GaN
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