- 近日，德州儀器推出了業內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內的一個高頻驅動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。
TI高壓電源
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德州儀器 GaN
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協議的規定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
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英飛凌 GaN
- 英飛凌和松下聯合開發GaN器件，將松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。
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英飛凌 松下 GaN
- 氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色!帥呆了!
至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN：硅基、碳化硅(S
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GaN 射頻
- 1 PMM8713的功能特點
PMM8713是日本三洋電機公司生產的步進電機脈沖分配器。該器件采用DIP16封裝，適用于二相或四相步進電機。PMM8713在控制二相或四相步進電機時都可選擇三種勵磁方式(1相勵磁，2相勵磁，1-2相勵磁三種勵磁方式之一)，每相最小的拉電流和灌電流為20mA，它不但可滿足后級功率放大器的要求，而且在所有輸入端上均內嵌有施密特觸發電路，抗干擾能力很強，其原理框圖如圖1所示。
在PMM8713的內部電路中，時鐘選通部分用于設定步進電機的正反轉脈沖輸入法。PMM8713有兩種脈
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PMM8731 SI-7300
- 由中國最大本土分銷企業世強攜手業界領先的高性能混合信號IC供應商Silicon?Labs舉辦的創新技術巡回研討會將于近期全面啟動。本次研討會主要針對在職研發工程師，Silicon?Labs的資深技術專家將親臨現場，帶來處于創新最前沿的設計技術?！ ”敬螘h主題涉及： 1、應用全球最節能的ARM?Cortex?MCU實現超低功耗設計(最低待機功耗900nA) 2、100MIPS?的8位MCU創新設計與應用 3、使用任意頻點可編程時鐘縮短產品上市時間
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世強 SI ARM MCU GPS
- 3月24日，IT&通信巨頭NEC公司宣布以1億美元收購中國萬向集團旗下A123Systems公司的蓄電系統集成部門(A123?Energy?Solutions)，此次世界頂級蓄電SI和ICT的強強聯合，目標瞄準的是全球能源市場。憑借此舉，NEC將成為世界領先的蓄電系統供應商，并有助于其實現全球智慧能源戰略?！ ?，NEC集團將于今年6月成立?“NEC能源解決方案”新公司，通過整合A123的蓄電系統集成和NEC公司世界領先的信息通信技術?(ICT)，以及
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NEC 萬向 A123Systems SI ICT
- 為提高高壓電源系統能源效率，半導體業者無不積極研發經濟型高性能功率場效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
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Cascode GaN 場效應管
- GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時候，因它還有很多未被探索出來的部分。
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GaN.功率元件
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業也圍繞這些元件展開了激烈的開發競爭。
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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SiC GaN
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業也圍繞這些元件展開了激烈的開發競爭。
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
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GaN 功率半導體
- 2013 年 12 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將其159 PUL-SI系列卡扣式功率鋁電容器在+105℃下的額定電壓提升至500V。這些增強型器件是針對太陽能光伏逆變器、工業電機控制和電源而設計的，具有長使用壽命和高紋波電流，在100Hz下的紋波電流達2.80A，工作溫度為+105℃，最大ESR低至150mΩ。
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Vishay 電容器 159 PUL-SI
- 發光二極體(LED)的發光效率遠高于傳統光源，耗電量僅約同亮度傳統光源的20%，并具有體積小、壽命長、效率高、不...
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GaN on GaN LED
- GaN和SiC將區分使用 2015年，市場上或許就可以穩定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
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功率 半導體 SiC GaN
- 中國科學院近日發布的一份報告稱，中國研究人員利用應變工程已將150mA的電流注入了530nm發光的二極管（LED），光的...
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LED GaN MOCVD
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