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        復旦大學在Si CMOS+GaN單片異質集成的探索
        
                                                            
          
                    	
        • 異質異構Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數據處理的重要技術路線之一，正引起整個半導體行業的廣泛關注，但這種方法要真正實現商業化，仍有賴于通用標準協議、3D建模技術和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術，在非尺寸依賴追求應用多樣性、多功能特點的現實需求，正在推動不同半導體材料的異質集成研究。為此，復旦大學微電子學院張衛教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質集成的創新研究，并在近期國內重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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        • 關鍵字：
                        復旦大學  Si CMOS  GaN  單片異質集成                          
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        ROHM開發出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積！
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務器等工業設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現可持續發展的社會，對消費電子和工業設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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        • 關鍵字：
                        ROHM  AC適配器  GaN HEMT  Si MOSFET                          
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        深挖 GaN 潛力，中國企業別掉隊
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優勢。GaN 產業上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關重要，襯底也占據了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實現商用，6 英寸
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        • 關鍵字：
                        GaN-on-Si  氮化鎵                          
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        貿澤電子與Fortebit簽署全球分銷協議
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 專注于引入新品推動行業創新的電子元器件分銷商貿澤電子  ( Mouser Electronics )  近日宣布與 Fortebit 簽署全球分銷協議。該公司設計并制造高質量、高性價比的解決方案，用于嵌入式語音識別、語音播放功能和位置服務。簽署此項協議后，貿澤分銷的 Fortebit產品線 包含EasyVR 3 Plus語音識別器件和Polaris汽車物聯網平臺等產品。 EasyVR 3 Plus 是一款多
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        • 關鍵字：
                        SD  SV  SI                          
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        智?遠 | IA架構何以引領視頻會議邁向智能時代
        
                                                            
          
                    	
        • 知IN，英特爾的自媒體微信賬號。分享英特爾新聞、產品技術和內幕故事；交流行業熱點話題；體味科技與人文的溫度
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        • 關鍵字：
                        SI  IA                          
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        a-Si/GZO/LTPS三種技術對比
        
                                                            
          
                    	
        •  隨著顯示產業的不斷發展，人們對于顯示成像技術的要求不斷提高，這也促使著技術的不斷發展，TFT-LCD這種低成本、高解析度、高亮度、寬視角以及低功耗
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        • 關鍵字：
                        a-Si  GZO  LTPS                          
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        2017年TDDI出貨量估成長191% a-Si規格成新藍海
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　DIGITIMESResearch觀察觸控與顯示驅動整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市場發展，由于增加HybridIn-Cell型態產品，以及面板業者導入TDDI動機提升等因素帶動，2017年全球TDDI出貨量將較2016年成長191%，其中，臺系業者市占率將達近4成，從過去由新思(Synaptics)一家獨大局面中突圍。
　　TDDI芯片又稱IDC(IntegratedDisplayandController)，2017年上半受大中華區智能型手
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        • 關鍵字：
                        a-Si  TDDI                          
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        回顧全球平板顯示行業的2015：新格局 新常態
        
                                                            
          
                    	
        • 　　2015年，對于顯示面板產業而言，注定是不平凡的一年。全球來看，產業進入深度調整和高速發展期，轉型升級步伐不斷加快，產品競爭日益激烈;國內來看，產業整體規模持續擴大，核心競爭力逐步增強，液晶面板產能過剩卻隱憂暗藏?？傊?015年顯示面板產業既有技術提升和創新帶來的變革，也有市況與價格戰帶來的重重考驗;既有順應市場需求而快速崛起的新勢力，也有停滯不前而瀕臨淘汰的落后者。在新年伊始，我們對行業進行梳理和總結，通過七個關鍵詞來回顧全球顯示面板產業不平凡的2015年， 同時提煉產業的發展趨勢，以窺2016。
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        • 關鍵字：
                        平板  a-Si                          
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        主流a-Si面板逐漸被LTPS、AMOLED取代
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　TrendForce旗下光電事業處WitsView最新研究報告顯示，2015年全球智能手機面板出貨有機會達到18.2億片，2016年上看19.5億片，年增7%。其中LTPS/Oxide TFT規格的智能手機面板出貨比重將由2015年的29.8%攀升至2016年的34.6%。同時，受三星顯示器積極外賣AMOLED面板的影響，AMOLED規格的智能手機面板出貨比重也有機會由2015年的12.1%，攀升至2016年的14%。
　　WitsView資深研究經理范博毓表示，FHD機種往中端手機市場擴張的態勢確
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        • 關鍵字：
                        a-Si  LTPS                          
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        一種基于PMM8731和SI-7300的步進電機驅動電路設計
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 1　PMM8713的功能特點
PMM8713是日本三洋電機公司生產的步進電機脈沖分配器。該器件采用DIP16封裝，適用于二相或四相步進電機。PMM8713在控制二相或四相步進電機時都可選擇三種勵磁方式(1相勵磁，2相勵磁，1-2相勵磁三種勵磁方式之一)，每相最小的拉電流和灌電流為20mA，它不但可滿足后級功率放大器的要求，而且在所有輸入端上均內嵌有施密特觸發電路，抗干擾能力很強，其原理框圖如圖1所示。
在PMM8713的內部電路中，時鐘選通部分用于設定步進電機的正反轉脈沖輸入法。PMM8713有兩種脈
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        • 關鍵字：
                        PMM8731  SI-7300                          
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        世強啟動Silicon Labs 2014創新技術巡回研討會
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　由中國最大本土分銷企業世強攜手業界領先的高性能混合信號IC供應商Silicon?Labs舉辦的創新技術巡回研討會將于近期全面啟動。本次研討會主要針對在職研發工程師，Silicon?Labs的資深技術專家將親臨現場，帶來處于創新最前沿的設計技術。　　本次會議主題涉及：　　1、應用全球最節能的ARM?Cortex?MCU實現超低功耗設計(最低待機功耗900nA)　　2、100MIPS?的8位MCU創新設計與應用　　3、使用任意頻點可編程時鐘縮短產品上市時間
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        • 關鍵字：
                        世強  SI  ARM  MCU  GPS                          
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        NEC斥資1億美元收購萬向集團蓄電系統業務
        
                                                            
          
                    	
        • 　　3月24日，IT&通信巨頭NEC公司宣布以1億美元收購中國萬向集團旗下A123Systems公司的蓄電系統集成部門(A123?Energy?Solutions)，此次世界頂級蓄電SI和ICT的強強聯合，目標瞄準的是全球能源市場。憑借此舉，NEC將成為世界領先的蓄電系統供應商，并有助于其實現全球智慧能源戰略?！　ぃ琋EC集團將于今年6月成立?“NEC能源解決方案”新公司，通過整合A123的蓄電系統集成和NEC公司世界領先的信息通信技術?(ICT)，以及
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        • 關鍵字：
                        NEC  萬向  A123Systems  SI  ICT                          
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        Vishay推出針對新能源應用的增強型卡扣式功率鋁電容器
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 2013 年 12 月19 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將其159 PUL-SI系列卡扣式功率鋁電容器在+105℃下的額定電壓提升至500V。這些增強型器件是針對太陽能光伏逆變器、工業電機控制和電源而設計的，具有長使用壽命和高紋波電流，在100Hz下的紋波電流達2.80A，工作溫度為+105℃，最大ESR低至150mΩ。
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        • 關鍵字：
                        Vishay  電容器  159 PUL-SI                          
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        大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解
        
                                                            
          
                    	
        • 近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導體材料已被證實極具潛力應用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學儲存系統、高頻 ...
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        • 關鍵字：
                        大尺寸  磊晶技術  GaN-on-Si  基板破裂                          
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        Si87xx的CMTI性能測量
        
                                                            
          
                    	
        • Silicon  Labs數字隔離器(光電耦合器替代品)與標準光電耦合器之間關于共模瞬變抑制(CMTI)魯棒性的詳細對比。該視頻中展示了如何使用被認可的經過校準的商業CMTI測試儀測量Si87xx數字隔離器的瞬變抑制特性，因此你能確
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        • 關鍵字：
                        CMTI  Si  87  xx                            
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