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基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案
- 過往產(chǎn)品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口，導(dǎo)致裝置汰換時將造成許多浪費。由于USB的普及，市面大部分的產(chǎn)品都透過此接口傳輸數(shù)據(jù)，進而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過去即使透過USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產(chǎn)品需要較長的時間來充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發(fā)表第一版USB Power Delivery規(guī)范 (USB Power Delivery Specifi
- 關(guān)鍵字： ST 意法半導(dǎo)體 GAN 第三代半導(dǎo)體 Power and energy PD 協(xié)議 快充
中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整
- 研究機構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。 TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
- 關(guān)鍵字： AND Flash
瑞薩與力晶簽署1GbitAG-AND技術(shù)授權(quán)合約
- 瑞薩科技近日宣布與力晶半導(dǎo)體簽署授權(quán)合約，內(nèi)容涵蓋運用于1Gbit AG-AND 閃存器件的技術(shù)以及此類器件的銷售。在此之前，雙方已簽署過關(guān)于制造的合同。 新的合約提升了合作伙伴雙方的關(guān)系，并開始允許力晶半導(dǎo)體（PSC）以自己的品牌出售閃存。此合約的簽署，會使市場 AND 閃存的供應(yīng)量增長，也將促進此類器件市場的擴充，對客戶大有裨益。
- 關(guān)鍵字： 1GbitAG-AND 力晶 瑞薩
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