全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務器等工業設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現可持續發展的社會，對消費電子和工業設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表，具有極快的開關速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關速度又對其動態特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結果。傳統氮化鎵器件多用于消費類電子市場，研發高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動汽車行業開拓新的應用市場。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家。這次測試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場上具有標志性意義，傳統的氮化鎵功率器件最高電壓普
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GaN HEMT 功率器件 動態特性測試
汽車的智能化和電動化趨勢，勢必帶動車用半導體的價值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來了發展良機。先看功率半導體，車規功率半導體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業還是功率半導體企業都在瞄準這一賽道。新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導體，混合動力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規模擬芯片，模擬芯片在汽車各個部分均有應用，包括車身、儀表、底盤、動力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動力系統
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功率半導體 SiC GaN 模擬芯片
中國 上海 2023年6月20日——6月17日-18日，以“南芯聲 聚勢未來”為主題的2023中國·南沙國際集成電路產業論壇（IC NANSHA）成功舉辦。開幕式上，愛芯元智創始人、董事長兼CEO仇肖莘博士受邀發表《普惠智能的星辰大海》主題演講，向與會嘉賓分享了對邊緣側、端側人工智能的看沙法，并解讀愛芯元智2.0時代戰略規劃和業務布局。 聚焦感知與計算，布局智慧城市、智能駕駛、AIoT三大賽道 IC NANSHA是為響應大灣區國家戰略而搭建的集成電路產業論壇。2022年6月，國務院正式
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愛芯元智 IC NANSHA
“現在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會再用傳統功率器件”。功率半導體大廠意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當下，在全球半導體行業的逆流中，第三代半導體正閃爍著獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關于第三代半導體的爭奪劇集已經開始上演。一、三代半方興未艾產業進入高速成長期近日，科學技術部黨組成員、副部長相里斌在2023中關村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產業進入下行周
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第三代半導體 SiC GaN
中國北京，2023年5月31日—— 全球領先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領域快速發展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無縫集成到示波器測量系統
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泰克 示波器 雙脈沖測試 SiC GaN
加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產品。這款產品的發布展現Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統，以及已普遍用于工業、數據通信和可再生能源市場的三相電力系統。與替代技術相比，這些應用可受益于1
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Transphorm 1200伏 GaN-on-Sapphire器件 常關型 氮化鎵.三相電力系統
案例聚焦新一代替代硅技術?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術的全球領導者宜普電源轉換公司（Efficient
Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯邦法院和美國國際
貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專利組合中的
四項專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統稱英諾賽科）侵犯。 這些專利
涉及宜普公司獨家的增強型氮化
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宜普電源 EPC 英諾賽科 氮化鎵 GaN
2023?年?5?月?19?日，中國——意法半導體高壓寬禁帶功率轉換芯片系列新增VIPerGaN100?和?VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關管準諧振(QR)反激式功率轉換器。這個尺寸緊湊、高集成度的產品設計的目標應用包括USB-PD充電器、家電、智能建筑控制器、照明、空調、智能表計和其他工業應用的開關式電源(SMPS)。?每個器件都集成了脈寬調制?(PWM)?控制器和650
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意法半導體 GaN 功率轉換芯片
全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統。據悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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ROHM 650V GaN HEMT
2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發 L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優勢包括 2μA 關斷電流，集成軟啟動時間可調、內部環路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
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意法半導體 隔離式降壓轉換器 功率轉換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅動
基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統性能、精度、扭矩和可實現更長的續航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農業機械、叉車和大功率無人機等應用。EPC9186在每個開關位置使用四個并聯的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關鍵功能電路
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EPC GaN FET ARMS 電機驅動器
珠海市招商署消息顯示，5月6日，珠海賽納永盈一期創投基金成立暨項目簽約儀式舉行。據悉，珠海賽納永盈一期創投基金由珠海賽納科技有限公司聯合格力集團、正方集團共同組建，計劃規模8億元，重點投資孵化激光打印、3D打印、打印耗材、集成電路及上下游相關產業。格力集團消息稱，格力集團旗下格力金投出資1.5億元并參與管理。儀式上，賽納科技、格力集團、正方集團三方簽約代表簽署“珠海賽納永盈一期創投基金”協議，基金擬投資企業珠海諾威達電機有限公司、廣州市小篆科技有限公司分別和賽納科技簽署項目落地協議。
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格力 創投 基金 IC
奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia E-mode GAN FET
IC 設計市場氣氛詭譎難辨，相關公司只能邊走邊看。
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IC
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