Teledyne LeCroy 今天發布業界首個CAN FD觸發和解碼解決方案，進一步豐富了已有的汽車電子測試工具(CAN, LIN, FlexRay, SENT, MOST 和 BroadR Reach)。CAN FD觸發和解碼功能可以幫助設計者洞察被測系統，將物理層信號和協議層數據同時顯示在一個界面上。CAN FD觸發功能可以隔離Frame ID、特定數據包、remote frames 以及 error frames。解碼功能運用不同顏色的背景疊層，清晰標識出數據不同的幀結構，允許用戶快速識別出諸
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力科 CAN FD Frame ID
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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IBM RF芯片 代工升級 制程技術 SiGe SOI
Peregrine半導體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術的創始人、先進的射頻解決方案之先驅，今天，在電子設計創新會議(EDI?CON?2014)上，宣布UltraCMOS?Global1在大中華地區首次亮相。UltraCMOS?Global?1是行業中第一個可重構射頻前端(?RFFE?)系統。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS?Global?1是單一平臺的設計──?
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Peregrine 射頻 SOI
針對SOI二極管型非制冷紅外探測器，設計了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調制積分(GMI)結構，將探測器輸出電壓信號轉化為電流信號進行積分。設計了虛擬電流源結構，消除線上壓降(IR drop)對信號造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進行設計，5V電源電壓供電。當探測器輸出信號變化范圍為0~5mV時，讀出電路仿真結果表明：動態輸出范圍2V，線性度99.68%，信號輸出頻率5MHz，功耗116mW。
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紅外 ROIC CMOS SOI GMI 201404
東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布開發出一種帶MIPI?RFFE接口的SP10T射頻天線開關，其插入損耗堪稱智能手機市場業界最低，尺寸堪稱業界最小。該產品即日起交付樣品。
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東芝 射頻天線 SOI
電子技術的變革，讓人們的生活不斷智能化，智能化手機，電視，家居，汽車甚至機器人和人體輔助設備等。意法半導體追尋的理念就是科技引領智能生活，意法半導體執行副總裁兼數字融合事業部總經理GIAN LUCA BERTINO，論述ST在智能電視和智能化家居方面的企業戰略及技術演進。
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ST 機頂盒 多媒體處理器 FD-SOI
隨著智能手機功能最近不斷升級演化，消費者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現已成為高端手機的標配。同時，消費者還期望手機纖薄輕盈，電池續航能力至少
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助力 平臺 NovaThor 下一代 FD-SOI:
在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上，產業組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術藍圖現在直接跳過了20nm節點，直接往14nm、接著是10nm發展。
根據SOI Consortium執行總監Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現差不多，F
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ST FD-SOI 10nm
12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術平臺的研發上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節點提供平面全耗盡技術的能力。在實現極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術的投產可解決這一挑戰，滿足多媒體和便攜應用市場的需求。
FD-SOI技術平臺包括全功能且經過硅驗證的設計平臺和設
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ST 晶圓 FD-SOI
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術平臺的研發上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節點提供平面全耗盡技術的能力。
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意法 納米 FD-SOI
華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產品量產后，日前更高性價比的第二代SOI工藝實現量產。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術，由華潤上華在2010年實現量產的一代工藝基礎上作了工藝升級，達到更高的性價比，這在國內尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經全面掌握了SOI工藝技術，具備了根據市場需求持續開發具有自主知識產權的SOI工藝技術能力。
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華潤微電子 半導體 SOI
華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產品量產后，日前更高性價比的第二代SOI工藝實現量產。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術，由華潤上華在2010年實現量產的一代工藝基礎上作了工藝升級，達到更高的性價比，這在國內尚屬首家。
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華潤上華 SOI CDMOS
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布，引領全球半導體技術升級的半導體代工廠商 GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網功能，同時又不能犧牲電池壽命。在設
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意法 芯片 FD-SOI
CCFL和LED是當前LCD僅有的兩種背光源，CCFL是傳統的背光方式，而LED作為LCD背光的后起之秀，正在迅速搶占LCD背光市場。電視機廠商和面板廠商之所以積極推動LED背光液晶電視，原因在于全球各國的耗電量規定以及其環保
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TV 背光 方案 成本 LED 降低 200V SOI 工藝 有效 利用
隨著智能功率IC的發展.其應用領域和功能都在不斷地擴展。而作為智能功率IC中的重要一類柵驅動IC在功率開關、顯示驅動等領域得到廣泛應用。在柵驅動電路中需要電平位移電路來實現從低壓控制輸入到高壓驅動輸出的電平轉
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電平 位移 電路設計 技術 集成 SOI 高壓 基于
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