ST宣布les晶圓廠即將投產28納米FD-SOI

　　12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術平臺的研發上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節點提供平面全耗盡技術的能力。在實現極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術的投產可解決這一挑戰，滿足多媒體和便攜應用市場的需求。

　　FD-SOI技術平臺包括全功能且經過硅驗證的設計平臺和設計流程。技術平臺包括全套的基礎程式庫(標準單元、存儲器生成器、I/O、AMS IP以及高速接口);設計流程適合開發高速的高能效器件。

　　較傳統制造技術，FD-SOI技術可在大幅提升性能的同時大幅降低功耗，因此ST-Ericsson選擇采用意法半導體的FD-SOI技術設計未來的移動平臺。

　　意法半導體執行副總裁、數字產品部總經理兼首席技術與制造官Jean-Marc Chery表示：“在產品和技術研發領域，意法半導體在很久以前就開始探索新的解決方案。FD-SOI技術的投產，使意法半導體再次躋身全球最具創新力的半導體技術研發制造企業之列，后端晶圓測試證明，較傳統制造技術，FD-SOI在性能和功耗方面具有明顯優勢，讓我們能夠在28納米技術節點創建高成本效益的工業解決方案。ST-Ericsson的 NovaThor ModAp的最大處理頻率超過2.5Ghz，在0.6V時達到800MHz，對該平臺的子系統的測試證明，該技術符合設計預期，具有靈活性和寬電壓范圍，可支持電壓和頻率動態調整(DVFS)。”

　　與制造成功同等重要的是，意法半導體發現了從28納米傳統CMOS制程(Bulk CMOS)向 28納米FD-SOI移植代碼庫和物理IP的簡單方法，由于沒有 MOS歷史效應，用傳統CAD工具和方法設計FD-SOI數字系統級芯片的過程與設計體效應器件完全相同。FD-SOI能夠用于制造高能效的器件，必要時，動態體偏壓能讓器件立即進入高性能模式，而其余時間保持在低泄漏電流模式，這些對于應用軟件、操作系統和高速緩存系統都完全透明。較體效應CMOS制程技術，FD-SOI可實現更優異的性能及低工作電壓，并擁有非常出色的能效。