近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業界關注，為何?因為FD-SOI技術。
眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續命的高招。
盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，FinFET陣營占據絕對優勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。
今天我們就來談談Fi
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FinFET FD-SOI
中國半導體業發展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步沒有捷徑，其中骨干企業的責任尤為重要。
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SOI finFET
在今年，業界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術比較，轉移到由產品與應用所決定的技術競爭。
因為沒有可見的終端產品能證明其號稱超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI)制程一直得努力克服半導體產業界許多工程師的質疑，例如：該技術的好處在哪?在商業市場上有實際產品嗎?它真正的優勢何在?
終于，現在有實際產品可以做為FD-SOI制程的實證──是一只中國智慧型手機品牌業者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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智能手表 FD-SOI
日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會”上，SOI產業聯盟稱，RF-SOI生態系統現已建立完善，并成為天線調諧器與射頻開關的主流技術，占據了95%的市場份額，該系統有利于IoT連接和5G的發展，為了更深層地與射頻前端器件結合，RF-SOI這種突破型技術還需要更多的創新和突破性的方案。
目前，RF-SOI技術主要應用于智能手機、WiFi等無線通訊領域，具有性能高、成本低等優勢。上海新傲科技股份有限公司總經理王慶宇稱，國際上3G/4G手機用的射頻器件
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RF-SOI 5G
格羅方德9月8日發布12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，12FDXTM提供全節點縮放和超低功耗，并通過軟件控制實現按需定制性能，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
隨著數以百萬計的互聯設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創新。用于實現這些應用的芯片正逐漸演進為微系統，集成包括無線連接、非易失性存
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格羅方德 FD-SOI
格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖，從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
隨著數以百萬計的互聯設備出現，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創新。用于實現這些應用的芯片正逐漸演進為微系統，集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內的越來越多的組件，
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格羅方德 FD-SOI
格羅方德半導體今日宣布一項全新合作伙伴計劃FDXcelerator™，該生態系統旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統設計，并縮短產品上市時間。
隨著公司新一代12FDX™的發布，格羅方德現提供業內首個FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計劃，為希望實現先進節點設計的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。
通過格羅方德半導體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創新的22FDX 片上系統解決方
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格羅方德 FD-SOI
Samsung Foundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。
三星晶圓代工業務(Samsung Foundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項??。
Samsung Foundry行銷暨業務開發負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該
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FD-SOI 存儲器
產業資深顧問Handel Jones認為，半導體業者應該盡速轉移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術的眾多優勢…
半 導體與電子產業正努力適應制程節點微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示，在制程微縮同時，每單位面積的邏輯閘或電晶體數量持續增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當制程特征尺寸縮 減時，晶片系統性與參數性良率會降低，帶來較高的閘成本。
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FD-SOI 14nm
Globalfoundries技術長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發后續制程。
晶圓代工業者Globalfoundries技術長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發后續制程。
Globalfoundries聲稱其針對不同應用最佳化的22FDX平臺四種制程，能提
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Globalfoundries FD-SOI
今天的智能手機和平板電腦內均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開關、可調諧電容器和過濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術可支持移動設備調整和獲取蜂窩信號——在更廣泛的區域為無線設備提供持續強勁且清晰的網絡連接。 移動市場對RF SOI的追捧持續升溫，因為它以高性價比實現了低插入損耗，在廣泛的頻段內實現低諧波和高線性度。RF SOI是一個雙贏的技術選擇，能夠提高智能手機和平板電腦的性能和數據傳輸速度，同時有望在物聯網中發揮關鍵作用。
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RF-SOI 5G
全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動，象征著為這項技術背書。
“我認為，FD-SOI正蓄勢待發。也許還得經過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發展成為一項關鍵技術，”International Business Strategies (IBS)創
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FD-SOI FinFET
身為一位記者，我發現撰寫有關于“熱門”公司、技術與人物的報導，要比我通常負責的技術主題容易得多;一旦我寫了那些“時髦”的標題，我會確實感受到人氣飆漲。
因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰性就高得多;部分讀者會有先入為主的看法，認為那 些題目不關他們
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FD-SOI FinFET
本文介紹了Soitec半導體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點、最新進展及其生態系統，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優勢、應用領域和應用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
中國芯片企業起步較晚，在發展中屢屢遭受國際巨頭的“專利圍剿”，通過支持重點企業的兼并重組及海外收購，培育具有核心競爭力的大型企業，無疑是明智的手段，也是最有效的手段。
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Soitec FD-SOI
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