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        格羅方德推出性能增強型130nm 硅鍺射頻技術,以促進下一代無線網絡通信發展

        •   格羅方德半導體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術組合,推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術專為需要更優性能解決方案的客戶而打造,適用于汽車雷達、衛星通信、5G毫米波基站等其他無線或有線通信網絡的應用。   格羅方德半導體的硅鍺 8XP技術是該公司130nm高性能硅鍺系列產品的最新成員,它可協助客戶制定射頻解決方案,以在更遠距離實現更快的數據吞吐量,同時耗能更少。這項先進技術大幅提升了異質結雙極晶體管(HBT)的性能、降低噪聲指數、改善信號完整性并將硅鍺 8XP
        • 關鍵字: 格羅方德  SiGe  

        IBM針對RF芯片代工升級制程技術

        • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
        • 關鍵字: IBM  RF芯片  代工升級  制程技術  SiGe  SOI  

        飛思卡爾新產品引領高性能射頻技術發展

        •   無線技術的便利性已經得到所有人的認可,無線技術的優勢也通過技術的不斷演進變得越來越明顯,從而帶動整個無線市場的快速普及。射頻不是一個簡單的元器件,而是一個涉及多個半導體器件的解決方案。   作為這個市場的領導者之一,飛思卡爾半導體提供廣泛的射頻低功率產品組合,滿足目前復雜且具有挑戰性的應用及市場需求。從通用放大器、增益模塊、信號控制產品到功能豐富的低噪聲放大器和高性能RFIC,飛思卡爾利用各種基于III-V的技術和先進的SiGe芯片工藝為客戶提供解決方案,滿足無線基礎設施、無線通信、蜂窩通信、工業、
        • 關鍵字: 飛思卡爾  SiGe  MMZ25333B  

        泰克下一代70GHz示波器將采用IBM的9HP硅鍺芯片制造技術

        • 泰克公司日前宣布,其下一代高性能實時示波器將采用IBM的最新9HP硅鍺 (SiGe) 芯片制造工藝。IBM的第五代半導體技術與早前宣布的正在申請專利的異步時間插值 (Asynchronous Time Interleaving) 技術將使新示波器帶寬達到70 GHz并實現信號保真度改善。
        • 關鍵字: 泰克  示波器  SiGe  

        高線性度SiGe下變頻混頻器

        • 2.3GHz至4GHz、SiGe下變頻混頻器具有業內最佳的性能Maxim在2010年IIC上海站重點向觀眾展示了以下應用...
        • 關鍵字: 高線性度  SiGe  變頻混頻器  

        華虹NEC 0.13 / 0.18微米SiGe工藝技術成功進入量產

        • 世界領先的純晶圓代工廠之一,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)宣布其最新研發成功、處于業界領先地位的0.13/0.18微米SiGe工藝技術進入量產。由此成為國內首家、全球少數幾家可以提供0.13/0.18微米SiGe量產工藝的代工廠之一。
        • 關鍵字: 華虹NEC  工藝  SiGe  

        SiGe MEMS技術

        • MEMS技術自20世紀70年代末80年代初掀起第一輪商業化浪潮,其后經歷了四次較大的變革。如今,除傳統的應用外,推動第四輪商業化的其它應用包括一些面向射頻無源元件、在硅片上制作的音頻、生物和神經元探針,以及生化
        • 關鍵字: 技術  MEMS  SiGe  

        鍺化硅(SiGe)技術在測試技術中的應用

        • 鍺化硅技術(Silicon germanium)從20世紀80年代問世以來,是一種高于普通硅器件的高頻半導體材料,應用領域非常廣泛,尤其在新一代移動設備中,是良好的高功率放大器,例如:下變頻器、低噪聲放大器(LNA)、前置放大
        • 關鍵字: SiGe  鍺化硅  測試技術  中的應用    

        瑞薩電子推出新型SiGe:C異質接面晶體管

        • 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導體廠商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出新款SiGe:C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04,可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網絡系統、衛星無線電及類似應用。本裝置的制程采用全新開發的硅鍺:碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領先業界的低噪聲效能。
        • 關鍵字: 瑞薩  晶體管  SiGe:C HBT  

        基于SiGe HBT的射頻有源電感設計

        • 電感在射頻單片集成電路中具有重要作用,主要具備阻抗轉換、諧振、反饋、濾波等功能。隨著無線通信技術的迅速...
        • 關鍵字: SiGe  HBT  射頻有源電感  晶體  反饋  

        基于SiGe HBT的射頻有源電感的設計

        • 本文設計了四種結構的射頻有源電感, 其中包括兩種正電感和兩種負電感。研究結果表明由晶體管構成的有源電感的性能受晶體管的組態及偏置影響較大。四種電路結構中,由共射放大器與共集放大器級聯反饋構成的有源電感性能較好。采用回轉器原理實現的有源電感,電感值不隨面積減小而減小。改變晶體管的偏置電壓,有源電感具有可調諧性。
        • 關鍵字: 電感  設計  有源  射頻  SiGe  HBT  基于  

        探討固定及移動WiMAX系統對無線射頻子系統的設計要求

        Maxim推出GPS/GNSS低噪聲放大器

        •   Maxim推出GPS/GNSS低噪聲放大器(LNA)產品線的最新成員MAX2667/MAX2669。這兩款完全集成的LNA采用Maxim先進的SiGe工藝設計,具有0.65dB的超低噪聲系數,與分立方案或高集成度CMOS方案相比可有效提高接收機的靈敏度和讀取范圍。MAX2667/MAX2669具有業內最佳的性能、最小的尺寸和最低的電流損耗,是智能手機、個人導航設備(PND)及其它電池供電手持設備的理想選擇。   MAX2667/MAX2669提供不同的線性指標選項,以滿足不同的系統要求。對于要求在存
        • 關鍵字: Maxim  LNA  SiGe  MAX2667  MAX2669   

        SiGe半導體獲“最受尊敬的私營半導體企業獎”提名

        •   全球領先的硅基射頻 (RF) 前端模塊 (FEM) 和功率放大器 (PA) 供應商SiGe半導體公司 (SiGe Semiconductor) 已獲全球半導體聯盟 (Global Semiconductor Alliance, GSA) 提名為2010年度“最受尊敬的私營半導體企業獎”之候選者,優勝者將于12月9日在硅谷圣克拉拉會議中心舉辦的頒獎晚宴上宣布。   
        • 關鍵字: SiGe  半導體  
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        sige介紹

        百科名片 1、英語單詞:sign。n.標記, 符號, 記號, 征兆, 跡象, 征候。v.簽名(于), 署名(于)~, 簽署。2、數學函數之一。3、日本動畫片《火影忍者之疾風傳》主題曲,brown eyed girls 的一首歌曲也叫這個名字。4、同名韓劇 編輯本段英文單詞 名詞sign:   1. a perceptible indication of something not im [ 查看詳細 ]

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