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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> exynos 2500 芯片

        美國啟動(dòng)藥品與芯片進(jìn)口調(diào)查,準(zhǔn)備單獨(dú)加征關(guān)稅?

        • 4月15日消息,美國時(shí)間周一,特朗普政府發(fā)布公告,宣布正式啟動(dòng)對(duì)藥品和半導(dǎo)體進(jìn)口的調(diào)查,旨在以國家安全為由對(duì)這兩個(gè)行業(yè)加征關(guān)稅。相關(guān)文件將在周三發(fā)布,特朗普政府還宣布,自文件發(fā)布之日起21天為公眾意見征詢期,表明特朗普政府計(jì)劃根據(jù)《1962年貿(mào)易擴(kuò)展法》第232條的授權(quán)來推進(jìn)這些關(guān)稅。這類調(diào)查需要在啟動(dòng)后270天內(nèi)完成。特朗普政府已針對(duì)銅材和木材進(jìn)口啟動(dòng)了類似調(diào)查,其首個(gè)任期內(nèi)完成的調(diào)查,為今年1月再次就職后對(duì)鋼鐵、鋁材及汽車行業(yè)加征關(guān)稅提供了依據(jù)。美國自4月5日起開始對(duì)進(jìn)口商品征收10%的關(guān)稅。藥品和半
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        比蘋果高通快一步!曝三星率先商用2nm芯片:11月進(jìn)入量產(chǎn)階段

        • 4月12日消息,三星原計(jì)劃為Galaxy S25系列搭載自主研發(fā)的3nm芯片Exynos 2500,但由于三星代工部門的3nm良率未達(dá)標(biāo),Galaxy S25系列不得不全系采用高通驍龍8 Elite SoC。如今,三星押注下一代旗艦平臺(tái)Exynos 2600,這顆芯片首發(fā)采用三星2nm工藝制程。據(jù)媒體報(bào)道,三星2nm工藝制程良率已達(dá)40%,預(yù)計(jì)在今年11月正式啟動(dòng)Exynos 2600的量產(chǎn)工作,Galaxy S26系列將會(huì)全球首發(fā)Exynos 2600。值得注意的是,芯片制造商通常需達(dá)到70%-80%的
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        臺(tái)積電面臨10億美元罰款和100%關(guān)稅威脅

        • 4月9日,美國總統(tǒng)特朗普在共和黨全國委員會(huì)活動(dòng)上自爆曾威脅臺(tái)積電,若不繼續(xù)在美國投資建廠,其產(chǎn)品進(jìn)入美國將面臨高達(dá)100%的關(guān)稅。特朗普還批評(píng)拜登政府此前為臺(tái)積電亞利桑那州工廠提供66億美元補(bǔ)貼,主張通過稅收威脅而非財(cái)政激勵(lì)推動(dòng)制造業(yè)回流。10億美元罰款?據(jù)路透社援引知情人士透露,臺(tái)積電可能面臨10億美元或更高的罰款,作為美國對(duì)其生產(chǎn)的芯片的出口管制調(diào)查結(jié)果。臺(tái)積電被指控通過第三方為中國大陸科技企業(yè)代工生產(chǎn)近300萬顆AI芯片,而根據(jù)美國出口管制條例,違規(guī)交易最高可被處以交易金額兩倍的罰款。臺(tái)積電在一份聲
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        谷歌迄今最強(qiáng)芯!第七代TPU發(fā)布:內(nèi)存容量高達(dá)192GB

        • 4月10日消息,據(jù)報(bào)道,在本周的Cloud Next大會(huì)上,Google發(fā)布了第七代TPU AI加速器芯片——Ironwood。Google Cloud副總裁Amin Vahdat表示:Ironwood是我們迄今為止功能最強(qiáng)大、性能最強(qiáng)、最節(jié)能的 TPU。它專為大規(guī)模支持思考和推理AI模型而設(shè)計(jì)。首先在計(jì)算性能上,Ironwood實(shí)現(xiàn)4614 TFLOP的峰值算力,配備192GB專用RAM和7.4Tbps超高帶寬,確保數(shù)據(jù)高速傳輸。其次,芯片間互連(ICI)帶寬提升至1.2Tbps,較前代提升50%,大幅
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        三星已組建專注于1nm芯片開發(fā)的團(tuán)隊(duì) 量產(chǎn)目標(biāo)定于2029年

        • 2nm GAA 工藝進(jìn)展被傳順利,但三星的目標(biāo)是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發(fā)的技術(shù)限制。一份新報(bào)告指出,該公司已經(jīng)成立了一個(gè)團(tuán)隊(duì)來啟動(dòng)這一工藝。然而,由于量產(chǎn)目標(biāo)定于 2029 年,我們可能還需要一段時(shí)間才能看到這種光刻技術(shù)的應(yīng)用。1nm 晶圓的開發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設(shè)備”,但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機(jī)器。另一方面,臺(tái)積電也正在推出 2 納米以下芯片,據(jù)報(bào)道,這家臺(tái)灣半導(dǎo)體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星,在其 2 納米 GAA 技術(shù)的試產(chǎn)過程中
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        后貿(mào)易時(shí)代,國產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)如何突圍困局?

        • 上周三,美國總統(tǒng)特朗普宣布對(duì)進(jìn)口商品征收全面關(guān)稅;隨后周五,中國政府宣布對(duì)美國采取反制措施,對(duì)所有美國進(jìn)口的商品加征34%的關(guān)稅。
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        傳三星下一代2納米移動(dòng)SoC有望更名 將停止使用“Exynos”命名

        • 上周末,Jukanlosreve 通過社交媒體透露“ 三星Exynos 2600(移動(dòng) SoC)肯定會(huì)回歸,它將用于 Galaxy S26 系列。但芯片數(shù)量非常有限,可能會(huì)與Exynos 990 的情況類似。我不確定 SF2 是否真的有用。” 3 月中旬,這位半導(dǎo)體行業(yè)狀況的敏銳觀察家認(rèn)為三星的代工業(yè)務(wù)可能會(huì)放棄 1.4 納米(SF1.4)工藝節(jié)點(diǎn)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱,SF2(又名 2 納米 GAA)的研發(fā)和制造工作似乎處于更有希望的狀態(tài)——這要?dú)w功于傳聞中的外部 AI 專家合作伙伴的幫助。據(jù)稱,下一代
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        拓?fù)浒虢饘伲课磥淼男酒枰茹~更好的材料

        • 如果你需要將電子從這里移動(dòng)到那里,你可以求助于銅。這種常見元素是一種極好的導(dǎo)體,很容易制成電線和電路板走線。但是,當(dāng)你變小時(shí),情況就會(huì)發(fā)生變化:在納米尺度上真的非常小。相同的銅顯示出越來越大的電阻,這意味著更多的電信號(hào)會(huì)因熱量而損失。為更小、更密集的設(shè)備供電可能需要更多的能量,這與您想要的微型電子設(shè)備正好相反。斯坦福大學(xué)的研究人員在 Eric Pop 實(shí)驗(yàn)室由 Asir Intisar Khan 領(lǐng)導(dǎo),一直在試驗(yàn)一種按比例縮小到約 1.5 納米厚度的新型薄膜。他們發(fā)現(xiàn),隨著這
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        英偉達(dá)計(jì)劃在未來四年斥資5000億美元采購芯片和電子產(chǎn)品

        • 3月24日消息,近日,英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛表示,英偉達(dá)計(jì)劃在未來四年內(nèi)斥資數(shù)千億美元采購美國制造的芯片和電子產(chǎn)品。英偉達(dá)設(shè)計(jì)的最新芯片以及用于數(shù)據(jù)中心的英偉達(dá)驅(qū)動(dòng)服務(wù)器,現(xiàn)在可于臺(tái)積電和鴻海在美國運(yùn)營的工廠生產(chǎn)。黃仁勛稱,“總體而言,在未來四年里,我們將采購總額可能達(dá)到5000億美元的電子產(chǎn)品。我認(rèn)為我們可以很容易地看到,我們?cè)诿绹圃炝藬?shù)千億個(gè)這樣的產(chǎn)品。”黃仁勛還表示,英偉達(dá)正與臺(tái)積電、富士康等公司合作,將制造業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)移到美國本土。黃仁勛稱,此舉將增強(qiáng)供應(yīng)鏈韌性。對(duì)于市場(chǎng)傳聞的“英偉達(dá)可能投資英特爾”
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        黃仁勛回應(yīng)DeepSeek沖擊:算力需求將被推高,芯片反而更吃緊

        • 英偉達(dá)CEO黃仁勛最新表示,中國人工智能企業(yè)DeepSeek發(fā)布的R1模型只會(huì)增加對(duì)計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的需求,因此,擔(dān)憂“芯片需求可能減少”是毫無根據(jù)的。當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三(3月19日),黃仁勛在GTC大會(huì)與分析師和投資者會(huì)面時(shí)表示,外界先前對(duì)“R1可能減少芯片需求”的理解是完全錯(cuò)誤的,未來的計(jì)算需求甚至?xí)兊靡叩枚唷=衲?月時(shí), DeepSeek發(fā)布的R1模型引發(fā)了市場(chǎng)轟動(dòng),該模型開發(fā)時(shí)間僅兩個(gè)月,成本不到600萬美元,僅用約2000枚英偉達(dá)芯片,但R1在關(guān)鍵領(lǐng)域的表現(xiàn)能媲美OpenAI的最強(qiáng)推理模型o1。這導(dǎo)致
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        惠普推出全球首批抗量子攻擊打印機(jī),搭載新型 ASIC 芯片

        • 3 月 19 日消息,惠普在其 Amplify Conference 2025 會(huì)議上宣布推出首批可抵御量子計(jì)算機(jī)密碼破譯攻擊的打印機(jī)產(chǎn)品,包括 Color LaserJet Enterprise MFP 8801、Mono MFP 8601、LaserJet Pro Mono SFP 8501 三大型號(hào)。惠普表示這些打印機(jī)均采用量子彈性設(shè)計(jì),搭載了采用抗量子加密技術(shù)設(shè)計(jì)的新型 ASIC,該芯片增強(qiáng)了打印機(jī)的安全性和可管理性,能防止針對(duì) BIOS 和固件的量子攻擊,并支持固件數(shù)字簽名驗(yàn)證。此外這些
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        消息稱 SK 海力士將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) 12 層 HBM3E 芯片

        • 3 月 18 日消息,據(jù)臺(tái)媒 digitimes 今日消息,SK 海力士預(yù)計(jì)將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) Blackwell Ultra 架構(gòu)芯片第五代 12 層 HBM3E,預(yù)期與三星電子、美光的差距將進(jìn)一步拉大。SK 海力士于去年 9 月全球率先開始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片,實(shí)現(xiàn)了最大 36GB 容量。12 層 HBM3E的運(yùn)行速度可達(dá) 9.6Gbps,在搭載四個(gè) HBM 的 GPU 上運(yùn)行‘Llama 3 70B’大語言模型時(shí)每秒可讀取 35 次 700 億個(gè)整體參數(shù)的水平。去年 11 月,SK
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        截胡蘋果高通!曝三星Exynos 2600原型五月量產(chǎn):全球首款2nm芯片

        • 3月13日消息,三星未能按時(shí)發(fā)布Exynos 2500,Galaxy S25系列被迫全部搭載高通驍龍8 Elite芯片。據(jù)媒體報(bào)道,三星已將工作重心轉(zhuǎn)向下一代旗艦平臺(tái)Exynos 2600,這顆芯片首發(fā)三星2nm工藝制程,計(jì)劃在5月份進(jìn)入原型量產(chǎn)階段,Galaxy S26系列將會(huì)首發(fā)搭載,這是全球首款2nm手機(jī)芯片。據(jù)爆料,Exynos 2600基于三星SF2工藝制造,這是三星第一代2nm制程,較第二代3GAP 3nm制程,SF2在相同計(jì)算頻率和復(fù)雜度情況下可降低25%功耗,相同功耗和復(fù)雜度情況下可提高1
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        基辛格:芯片加關(guān)稅以促進(jìn)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈回流美國

        • 臺(tái)積電擴(kuò)大投資美國千億美元(約新臺(tái)幣3.3兆)未來將興建3座晶圓廠、2座先進(jìn)封裝廠及1座研發(fā)中心,從研發(fā)到制造全面布局。 英特爾前CEO基辛格(Pat Gelsinger)近日再度公開喊話,重建半導(dǎo)體供應(yīng)鏈應(yīng)該敦促供應(yīng)鏈移往美國,并對(duì)芯片課關(guān)稅。綜合外媒報(bào)導(dǎo),基辛格對(duì)于臺(tái)積電擴(kuò)大投資美國持正面態(tài)度,他稱贊臺(tái)積電很棒,但臺(tái)積電在美國沒有研發(fā)中心(R&D)且擁有研發(fā)能力相當(dāng)關(guān)鍵,長期創(chuàng)新與研發(fā)將帶領(lǐng)任何產(chǎn)業(yè)往前邁進(jìn)。另一方面,基辛格又暗示地緣政治風(fēng)險(xiǎn),基辛格表示:「據(jù)波士頓顧問公司BCG的研究,中國臺(tái)
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        三星已于去年底量產(chǎn)第四代 4 納米芯片,全力追趕臺(tái)積電

        • 3 月 11 日消息,據(jù) ZDNet Korea 今日?qǐng)?bào)道,三星電子 11 日的業(yè)務(wù)報(bào)告稱,三星電子第四代 4 納米工藝(SF4X)已于去年 11 月開始量產(chǎn)。由于該工藝專注于人工智能等高性能計(jì)算(HPC)領(lǐng)域,預(yù)計(jì)將在三星代工業(yè)務(wù)的復(fù)蘇中發(fā)揮關(guān)鍵作用。三星第一代 4 納米于 2021 年量產(chǎn)。圖源:三星電子據(jù)了解,與前幾代相比,三星的第四代 4 納米芯片采用了先進(jìn)的后端連線(BEOL)技術(shù),能夠顯著提升芯片的整體性能,同時(shí)降低制造成本。此外,該芯片還配備了高速晶體管,還支持 2.5D 和 3D 等下一代
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        exynos 2500 芯片介紹

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