宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC9065開發板，可作為面向AirFuel?聯盟的Class 4及Class 5無線電源傳送應用的放大器功率級。 該板的配置采用零電壓開關(ZVS)差分模式D類放大器拓撲，而且不只限于6.78 MHz工作頻率(最低ISM頻帶)。 EPC9065開發板包含所有重要元件，包括以螺栓方法安裝的兩個散熱器，可增加電流傳輸能力。該板易于與現有的系統連接，從而加速終端產品的上市進程。 該開發板采用100 V的EPC2007C及
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EPC EPC9065
第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產業和技術展望研討會 時間：2016.01.14 下午 地點：深圳南山軟件創業基地 IC咖啡 演講主題: 新型GaN功率器件的市場應用趨勢 演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場部高級經理 主持人：接下來開始第三場演講。大家知道無論消費電子產品還是通訊硬件、電動車以及家用電器，提升電源的轉換能效、功率密度、延長電池使用的時間，這已經是比較大的挑戰了。所有這一切都意味著電子產業會越來越依賴新型功
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GaN 功率器件
未來虛擬現實和智能汽車成為焦點，VR將會引發的變革成了全產業鏈熱議的話題，VR也必會給物聯網產業帶來變革，而對于IoT可能帶來的更多變化，半導體廠商該如何應對?
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物聯網 GaN
近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料在引發全球矚目，成為全球半導體研究前沿和熱點，中國也不例外地快馬加鞭進行部署。有專家指出，第三代半導體材料是以低碳和智能為特征的現代人類信息化社會發展的基石，是推動節能減排、轉變經濟發展方式，提升新一代信息技術核心競爭力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導體材料，能否讓中國掌控新一輪半導體照明發展的話語權?
第三代半導體材料雙雄：SiC和GaN
半
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半導體 GaN
DIGITIMES Research觀察，傳統以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術表現，業界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優勢，預計未來功率半導體市場將三分天下。
更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設備而言
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GaN SiC
硅基GaN潛力大
近日，MACOM在京召開新聞發布會，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。”
圖1 GaN的巨大潛力
如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場，而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍海。
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GaAs GaN
簡介
功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠導致更高頻率和更高功率密度的開發人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產的經驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優勢，這項技術用于蜂窩基站和數款軍用/航空航天系統中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監視的必要性。
使用壽命預測指標
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執行數個供貨商所使
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GaN
當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。
n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元
由碳化硅電力設備市場驅動，n型碳化硅基
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GaN SiC
根據YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發展，從而使專業的半導體業者受惠;另一方面，他們也將會發現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。
Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產值。
目前銷售Ga
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氮化鎵 GaN
根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現更高功率。
在最新出版的“GaN與SiC器件驅動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉型的巨大驅動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產業。Yole預期EV/HEV產業將持續大力推動Si
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SiC GaN
宜普電源轉換公司宣布推出單片半橋式增強型氮化鎵晶體管-- EPC2106。通過集成兩個eGaN®功率場效應晶體管而成為一個集成電路可以去除互感及PCB板上器件之間所需的間隙空間，從而提高效率(尤其是在更高頻時)及提高功率密度而同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。
EPC2106是一種半橋元件，其額定電壓為100 V、RDS(on)的典型值為55 m?、輸出電容低于600 pF、零反向恢復(QRR)及18 A最高脈沖漏極電流。由于氮化鎵元件具備低導通電阻及電容，因此可實現高效率及大大
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宜普電源 EPC
目前，電動汽車和工業馬達的可變速馬達驅動系統，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統的普及正在不斷加速。構成這些系統的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開發與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統。
各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
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SiC GaN 電流傳感器
1月出席DesignCon 2015時，我有機會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術進行高功率開關組件(Switching Device)的研發。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統測量、優化和故障排除電源相關參數(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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GaN EMI
無論LED是經由降壓、升壓、降壓/升壓或線性穩壓器驅動，連接每一個驅動電路最常見的線程就是須要控制光的輸出。現今僅有很少數的應用只需要開和關的簡單功能，絕大多數都需要從0～100%去微調亮度。目前，針對亮度控制方面，主要的兩種解決方案為線性調節LED的電流(模擬調光)或在肉眼無法察覺的高頻下，讓驅動電流從0到目標電流值之間來回切換(數字調光)。利用脈沖寬度調變(PWM)來設定循環和工作周期可能是實現數字調光的最簡單的方法，原因是相同的技術可以用來控制大部分的開關轉換器。
PWM調光能調配準確色光
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PWM FET
全球的能源市場正發生變革，眾多發展中國家所面臨的電力短缺，這為一些電力EPC企業帶來了巨大的市場機會。目前，西門子正在與越來越多的中國企業一起參與海外電力市場重大項目的開發、建設和運營。據了解，在西門子的發電領域當中，EPC項目占到三成，這表明西門子非常重視電力EPC市場。而在近日，西門子(中國)有限公司和中國電力建設股份有限公司聯合舉辦了“2015中國電力EPC論壇”，進一步探討了發電EPC領域的海外經驗，以尋求更多的合作機會。
而在與中國企業合作電力EPC項目的過程當
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西門子 EPC
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