當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。
比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯盟，便有29家企業、14所大學、與2個技術研發基金會加入;日本產業技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創研究實驗室(GaN-OIL)，都是
關鍵字：
GaN LED
當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。
比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯盟，便有29家企業、14所大學、與2個技術研發基金會加入;日本產業技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(Nagoya University)合作，在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創研究實驗室(GaN-OIL)，都
關鍵字：
GaN 藍光LED
總部位于美國洛杉磯市、開發替代MOSFET技術的氮化鎵(eGaN)技術的宜普電源轉換公司(EPC) 與總部位于香港的創徽科技有限公司(ASD)宣布攜手合作，共創新里程，針對客戶的目標應用,利用最新的eGaN技術為客戶提供最佳的解決方案。
EPC公司是研發氮化鎵技術和制造氮化鎵器件的領導廠商。具備優越性能的氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET)及集成電路在各種終端應用中可以替代日益老化的MOSFET技術，包括DC/DC轉換器、無線電源傳輸、包絡跟蹤、射頻傳輸、功率逆變器、遙距感測技術及D類
關鍵字：
EPC ASD
當前，全球半導體產業正處于深度變革，化合物半導體成為產業發展新的關注點，我國應加緊產業布局，搶占發展的主動權。
關鍵字：
GaAs GaN
臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產服務的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術生產GaN晶體管。
臺積電打算開展受托生產的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產品。
其中，耐壓650V的常關
關鍵字：
臺積電 GaN
移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設計用于優化商業用雷達、通信系統及航空電子應用的功率性能。
Qorvo 國防與航空航天產品總經理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統性能。Qorvo可以更好地實現相位陣列雷達等先進設備的要求，提供
關鍵字：
Qorvo GaN
氮化鎵 (GaN) 技術由于其出色的開關特性和不斷提升的品質，近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實現更高的開關頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。連續傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優點的拓撲。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導體開關和升壓電感器的數量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區域內出現電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被
關鍵字：
GaN PFC
基于數十年的電源管理創新經驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優勢在隔離式高壓工業、電信、企業計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
關鍵字：
TI GaN
氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢，被稱為第三代半導體材料，用于電源系統的設計如功率因數校正(PFC)、軟開關DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務器及通信電源等，可實現硅器件難以達到的更高電源轉換效率和更高的功率密度水平，為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來性能飛躍。 GaN的優勢 從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關過程的反向恢復時間可忽略不計
關鍵字：
安森美 GaN
EPC公司的全新開發板可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS?D類放大器，展示出基于eGaN?FET、采用同步自舉電路的柵極驅動器在高頻工作時可以減少損耗。 宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC9066、EPC9067及EPC9068開發板，可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS?D類放大器。這些開發板專為功率系統設計師而設，對氮化鎵晶體管的優越性能進行評估方面提供了簡易方法，使得設計師的產品可以快速量產。三塊開發板都配備了具有零QRR、同步自舉整流器的柵極驅動器，從而在高達1
關鍵字：
EPC EPC9066
EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非常可靠，為工程師提供可信賴及可 替代采用傳統硅基器件的解決方案。 宜普電源轉換公司發布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現場數據的分布結果，以及提供在累計超過700萬器件-小時的應力測試后的詳盡數據。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環及靜電放電等測試。報告提供受測產品的復合0.24 FIT失效率的現場數據。這個數值與我們直至目前為止所取得
關鍵字：
宜普電源 FET
英國雪菲爾大學(SheffieldUniversity)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果。
利用在M-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。
相較于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發光波長的藍位移隨著驅動電流增加而
關鍵字：
GaN LED
英國雪菲爾大學(Sheffield University)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(Applied Physics Letter)期刊上發布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果。 利用在M-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。 相較于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發光波
關鍵字：
GaN LED
由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發實驗室-HRL實驗室已經宣布其實現互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術的首次展示。該研究結果發表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。
在此過程中，該實驗室已經確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉換電路的備選技術鋪平了道路。
氮化鎵晶體管在電源開關和微波/毫米波應用中有出色的表現，但該潛力還未用于集成功率轉換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
關鍵字：
GaN 場效應晶體管
近日，德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側 FET 驅動器。該驅動器可提供先進的電源保護和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅動能量存儲系統，以及電機驅動型應用中常用電池里的高壓側N溝道充放電FET，包括無人機、電動工具、電動自行車等等。如需了解更多詳情，敬請訪問：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。
電感性
關鍵字：
TI FET
epc gan fet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條epc gan fet!
歡迎您創建該詞條，闡述對epc gan fet的理解，并與今后在此搜索epc gan fet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473