- 英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術和產品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設備而優化的增強模式和級聯模式GaN平臺，包括服務器、電信設備、移動電源等開關電源應用以及諸如Class D音頻系統的消費電子產品。GaN技術可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產品在諸如超薄LED電視機等終端產品市場開辟新的機會。
英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產品組合，結合公司了所
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英飛凌 GaN
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協議的規定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
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英飛凌 松下 GaN
- 近日，德州儀器推出了業內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內的一個高頻驅動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。
TI高壓電源
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德州儀器 GaN
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協議的規定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
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英飛凌 GaN
- 英飛凌和松下聯合開發GaN器件，將松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。
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英飛凌 松下 GaN
- 氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色!帥呆了!
至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN：硅基、碳化硅(S
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GaN 射頻
- 1. 方案背景
1、行業背景
我國政府順應時代發展，超常規地、大力發展電動汽車產業，由此帶動了新能源電動汽車充電樁項目的蓬勃興起，在國內各地電動汽車充電站紛紛涌現!
充電樁是電動力車的電站，其功能類似于加油站里面的加油機。每個充電樁都裝有充電插頭，充電樁可以根據不同的電壓等級，為各種型號的電動車充電。電動汽車充電樁采用的是交、直流供電方式，需要特制的充電卡刷卡使用，充電樁顯示屏能顯示充電量、費用、充電時間等數據。充電樁作為加油站、小區電動汽車充電狀態的人機交互產品。可實現計時充電和計
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EPC-9200 充電樁
- 氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續為電源轉換應用設定業界領先的性能基準。由于氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉換器可實現超過98%的效率。
宜普電源轉換公司宣布推出六個新一代功率晶體管及相關的開發板。這些由30 V至200 V的產品在很多應用可大大降低導通電阻(RDS(on))并可增強輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉換器、負載點(POL)轉換器、直流-直流及交流-直流轉換器的同步整流器、馬達驅動器、發光二極管照明及工業自動化等廣
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宜普 EPC MOSFET
- 功率器件一直都是由材料引導技術革新，硅材質的MOSFET已經應用多年，現在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術挑戰，而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。
宜普電源轉換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管的公司，他們希望借助技術優勢快速推廣其技術和產品，并于未來數年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過百億美元的功率轉換市場份額。
增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管作為寬頻隙器件，其優勢包括具有更高功率密度、更
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MOSFET EPC eGaN 201406
- 摘要：用場效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類，后級采用甲乙類推挽放大技術。實驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關。從聽音效果來看，末級電流200mA是理想值。
前后級間耦合電容對聽音影響較大，要求質量高些。
對于音頻功率放大器而言，最好聽的莫過于甲類放大器。根據頻率分析的結果，由集成運算放大器構成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以，可不可以前級采用單管甲類放大器，后級采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要，又兼顧效率的需要。目前，電子管音頻功率放大器仍然占據
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FET 場效應管 功率放大器
- 隨著城市快節奏的發展，大多數人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環境。故而引進了汽車系統中的“啟停”功能，但是這種系統也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術挑戰，汽車啟停系統中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設計。
為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實現了“啟停”功能，而且為數眾多的這種汽車已經開始上路。這些系統會在汽車停下來時關閉發動機，當腳從剎車踏板移動
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P-FET MOSFET
- 新型靈活應用的高密度電源模塊現在能夠以易于使用的集成封裝提供先進的電熱性能。系統性能的提升促進了對更高功率電源的要求，以及由于需要快速實現收入的壓力迫使設計人員縮短開發周期，從而對全功能、快速實現電源解決方案的需要呈激增之勢。電源模塊可以解決這些問題，并提供系統設計人員所需的靈活性和性能，幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
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新電源 FET ISL8225
- 2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術的16?mΩ雙通道GreenFET3?負載開關產品即SLG59M1527V。該款負載開關每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術來實現低導通電阻、外形尺寸最小同時可靠性提高。 SLG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
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Silego FET SLG59M1527V
- 為提高高壓電源系統能源效率，半導體業者無不積極研發經濟型高性能功率場效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
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Cascode GaN 場效應管
- GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時候，因它還有很多未被探索出來的部分。
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GaN.功率元件
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