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新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
元件開發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
- 關(guān)鍵字： GaN 功率半導(dǎo)體
研究人員以硼/氮共摻雜實現(xiàn)石墨烯能隙
- 韓國蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱開發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實現(xiàn)基于石墨烯的場效電晶體(FET)制造與設(shè)計。 由Jong-BeomBaek主導(dǎo)的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡單溶劑熱反應(yīng)，大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。 石墨烯自2004年經(jīng)由實驗發(fā)現(xiàn)后，已經(jīng)開發(fā)出各種方法來制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
- 關(guān)鍵字： 石墨烯 FET
如何針對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進行緩沖
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： 反向轉(zhuǎn)換器 FET 關(guān)斷電壓 緩沖 漏極電感
陽光電源西部搶裝拉動EPC與逆變器業(yè)務(wù)
- 陽光電源公司發(fā)布2013年三季度業(yè)績預(yù)告：歸屬于母公司凈利潤1.05~1.18億元,同比增漲70~90%,前三季度EPS為0.32~0.36元,非經(jīng)常性損益0.42億,主要包括募集資金利息收入及政府補助。第三季度EPS為0.15~0.19元。 點評分析： 公司三季度業(yè)績超市場預(yù)期。主要原因是在8月底國內(nèi)光伏補貼政策落實,并且明確西部地區(qū)的集中式電站標(biāo)桿電價將在明年下調(diào),西部地面電站出現(xiàn)搶裝潮,對國內(nèi)公司逆變器及電站EPC兩大主業(yè)都有非常強的拉動作用。 由于四季度仍然是全年收入確認高峰
- 關(guān)鍵字： EPC 逆變器
硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實現(xiàn)高性價比照明
- 傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
- 關(guān)鍵字： GaN LED 光萃取技術(shù)
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