- 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發生變
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FET 結型 電壓控制 放大器
- 美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規模。iSuppli預測，該產品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優點，可提高電源電路的轉
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GaN MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
- 友達光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產收購技術移轉協議，收購FET的場發射顯示器(field emission displays;FED)技術，該公司為全球FED技術的領導者。友達在此交易中，將取得FET顯示技術及材料的專利、技術、發明，以及相關設備等資產。
FED技術在快速反應時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統CRT相
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友達 FED FET
- 臺灣友達科技近日宣布，他們已經與FET公司以及FET日本公司達成了協議，友達將出資收購FET公司的部分資產，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術。FET公司目前在FED場射顯示技術(Field Emission Display)領域占據領先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示，其收購的內容將包括FED場射面板相 關技術專利，FED技術實施方案，以及FED面板生產用設備等。
FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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友達 FED FET
- Mouser 今日宣布，Mouser 的EPCOS授權分銷區域拓展至亞洲和歐洲。從2009年10月開始，EPCOS與TDK公司聯合成立了新的TDK-EPC公司(簡稱TDK-EPC)，銷售旗下TDK和EPCOS品牌產品。是TDK-EPC公司是電子元件、模塊和系統領域的全球性的公司
TDK-EPC產品組合包括陶瓷、鋁電解和薄膜電容器、鐵氧體和電感器、聲表面波(SAW)濾波器和模塊等高頻元件、壓電和保護元件以及傳感器等。正是有了這些產品系列，TDK-EPC能夠進軍日益增長的信息和通信技術以及汽車、工業
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Mouser 電子元件 TDK-EPC
- Strategy Analytics 發布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。
一直
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GaAs 外延襯底 FET HBT
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器，該器件將寬泛的輸入、輕負載效率以及更小的解決方案尺寸進行完美結合，可實現更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機制的 1 MHz DC/DC 轉換器，與同類競爭產品相比，該器件在將外部輸出電容需求數量降至 32% 的同時，還可實現快速瞬態響應。該轉換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負載控制機制，幫助設計人員滿足能量之星/90Plus 標準的要求，從而可實現整個負載范圍內的高
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TI FET 轉換器 TPS51315
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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時裝 RFID EPC 瑞典
- 使用國產6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 襯底
- 2009年1月22日，中國北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最新推出一款業界最快的場效應晶體管(FET)運算放大器——ADA4817。這款產品工作頻率高達1GHz，設計用于高性能的便攜式醫療診斷設備和儀器儀表設備。與競爭器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時噪聲降低一半。它已被領先的醫療、測試和測量設備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫療設備。與ADA4
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ADI 運算放大器 FET ADA4817
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條碼標識 RFID標識 EPC 非接觸
- 無線技術將向著更快更好的方向發展，不僅能提供更高的速率、提升小區邊緣的吞吐量，而且能夠減少時延，從而改善面向IP化的業務質量。
無線技術承載高速數據業務
寬帶無線移動的發展對技術提出了更高的要求，這不僅體現在LTE/LTE-Advanced、802.16m等承載高速數據業務的無線技術上，還體現在支持廣泛接入的無線核心網絡上。從核心網絡來看，它不僅支撐原有蜂窩的傳統系統，面向未來的發展還將支持更加廣泛的有線接入技術和其他原有的固定無線接入技術。從其發展狀況來看，一方面在業務控制層面有
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無線技術 寬帶 LTE EPC
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