EPC與ASD公司建立增值合作伙伴關系，加速基于氮化鎵技術的無線電源解決方案的上市進程

　　總部位于美國洛杉磯市、開發替代MOSFET技術的氮化鎵(eGaN)技術的宜普電源轉換公司(EPC) 與總部位于香港的創徽科技有限公司(ASD)宣布攜手合作，共創新里程，針對客戶的目標應用,利用最新的eGaN技術為客戶提供最佳的解決方案。

　　EPC公司是研發氮化鎵技術和制造氮化鎵器件的領導廠商。具備優越性能的氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET)及集成電路在各種終端應用中可以替代日益老化的MOSFET技術，包括DC/DC轉換器、無線電源傳輸、包絡跟蹤、射頻傳輸、功率逆變器、遙距感測技術及D類音頻放大器等應用。

　　總部位于香港的產品設計和制造創新者ASD公司于影像電子元件業務方面累積超過14年的經驗，為客戶從概念開發到產品制造提供創新及全面的解決方案。ASD為尋求高效解決方案及面向全球市場的客戶提供設計和制造服務，業務主要面向美國、歐洲及大中華區市場。

　　ASD公司首席執行官Patrick Lee稱：「對于很多客戶來說，在開發各種創新的解決方案之同時要加快產品的上市進程，是一項極大的挑戰，尤其是要采用全新技術。我們深信氮化鎵技術擁有巨大潛力，它將帶領半導體業界勇闖下一個高峰，而客戶也勢將尋求可以支持他們從產品概念的開發到制造的合作伙伴。我們很高興可以與EPC公司攜手合作，為客戶整合先進的eGaN技術和專業設計，從概念開發到產品制造，共創新里程。」

　　EPC公司首席執行官及共同創辦人Alex Lidow稱：「我們一直尋求具有豐富的系統設計經驗的業務伙伴，支持客戶從概念的開發到制造，從而滿足市場對需求日增的eGaN技術的需要。ASD公司是我們的首選合作伙伴。在未來的季度里，我們期望在日新月異的氮化鎵產業發展中與ASD公司重點集中在掌握全球市場脈搏，為客戶找出最適合拓展的全新商機，例如基于eGaN技術的無線充電設計及其它的應用。我們可以看到基于氮化鎵技術的產品發展迅猛，并且深信在不久的將來，基于氮化鎵技術的應用可以替代基于MOSFET的應用。」