基于EPC的eGaN FET、采用高頻同步自舉拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，工作頻率可高達(dá)15 MHz的半橋式開發(fā)板

　　EPC公司的全新開發(fā)板可以被配置為一個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器或ZVS D類放大器，展示出基于eGaN FET、采用同步自舉電路的柵極驅(qū)動(dòng)器在高頻工作時(shí)可以減少損耗。

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出EPC9066、EPC9067及EPC9068開發(fā)板，可以被配置為一個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器或ZVS D類放大器。這些開發(fā)板專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師而設(shè)，對(duì)氮化鎵晶體管的優(yōu)越性能進(jìn)行評(píng)估方面提供了簡(jiǎn)易方法，使得設(shè)計(jì)師的產(chǎn)品可以快速量產(chǎn)。三塊開發(fā)板都配備了具有零QRR、同步自舉整流器的柵極驅(qū)動(dòng)器，從而在高達(dá)15 MHz的高頻工作條件下可以提高效率。該些開發(fā)板在降壓轉(zhuǎn)換器及D類放大器配置的最大輸出電流為2.7 A。在整個(gè)電流范圍都可以降低損耗。

　　EPC9066/67/68分別采用40 V、65 V及100 V 的eGaN FET。這些開發(fā)板的尺寸為2”x 1.5”及在半橋式配置布局。各開發(fā)板均采用德州儀器公司的LM5113柵極驅(qū)動(dòng)器并配有電源及旁路電容。柵極驅(qū)動(dòng)器的配置備有同步FET自舉電路及采用100 V、2800 mΩ的eGaN FET (EPC2038)，從而去除由內(nèi)部自舉二極管的反向恢復(fù)所引致的驅(qū)動(dòng)器功率損耗。該些開發(fā)板備有多個(gè)探孔及專為DC輸入及輸出而設(shè)的Kelvin測(cè)量點(diǎn)。此外，開發(fā)板在大電流工作時(shí)可安裝散熱器。

　　每塊特定開發(fā)板的性能從它的工作負(fù)載條件包括配置決定最優(yōu)設(shè)計(jì)的負(fù)載電壓及電阻。以下的表格展示出每一塊開發(fā)板的各個(gè)器件的參數(shù)。

　　隨開發(fā)板一起提供的還有一份供用戶參考和易于使用的網(wǎng)上速查指南，內(nèi)載有詳細(xì)資料包括設(shè)置步驟、電路圖框、材料清單及Gerber文檔，詳情請(qǐng)瀏覽http://epc-co.com/epc/Products/DemoBoards.aspx。

　　價(jià)格及供貨詳情

　　EPC9066、EPC9067及EPC9068開發(fā)板的單價(jià)為158.13美元，可立即從Digikey公司、北高智科技公司或威健國(guó)際公司購(gòu)買。