EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術如何實現兩種改變業界游戲規則的消費電子應用 -- 分別是無線充電及自動駕駛汽車的激光雷達應用。 EPC將在AirFuel聯盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統，可以在桌面上任何位置對多種設備同時充電，可傳送高達300 W功率。可傳送這么大功率使得我們可以同時對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
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宜普 GaN
宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出全新的100 V、150 A大電流脈沖激光二極管的驅動演示電路板(EPC9126HC)。面向全自動汽車應用的激光雷達系統需要制作三維地圖，因此，偵測四周的目標物件的速度及準確性變得非常重要。從EPC9126HC演示電路板可以看到，與等效MOSFET相比，具備快速轉換特性的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)所提供的脈沖功率可以快十倍的速度驅動激光二極管，從而提升激光雷達系統的整體性能。 EPC9126HC開發板主要驅動激光二極管，備有
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EPC EPC9126HC
智能集成電機驅動器和無刷直流(BLDC)電機可以幫助電動汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠。 圖1所示為集成電機驅動器結合驅動電機所需的一切要素，如場效應晶體管(FET)、柵極驅動器和狀態機。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機的布線距離過長，并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統成本的優點。 BLDC電機在汽車應用中提供的優勢包括效率、緊湊的尺寸、更長的電機壽命和電池壽命、更安靜的車內體驗以及更好的EMI性能。 圖1：智能集成BLDC電機驅動器 集成智能系列博
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BLDC FET
使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構成的。這個寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
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FET 雙極性晶體管 緩沖電路 寬帶
如何保護你的系統不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時，你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現了高反向偏置電壓，系統中的電流以相反的方向運行；從輸出到輸入。幸運的是，有很多方法可以保護你的系統不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章，在這篇文章中，你將能夠對現有解決方案有高層次的總體認識和了解。
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FET TPS22963 德州儀器 反向電流
揭開電池管理系統的神秘面紗-現在的電子設備具有更高的移動性并且比以前更綠色，電池技術進步推動了這一進展，并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內的廣泛產品。近年來，電池效率（輸出功率/尺寸比）和重量均出現大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重，其主要用途是啟動汽車。隨著技術的最新進展，你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車，其重量只有幾磅，尺寸也就人手那么大。
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電池管理系統 FET FET驅動器
接近62%的能源被白白浪費
美國制造創新網絡(目前稱為MgfUSA)已經闡明了美國制造業規劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯網自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創新研究院“美國電力創新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創新中心。
圖1：整體的能源轉換效率約在38
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SiC GaN
未來五年，通信產業向5G時代的革命性轉變正在深刻重塑RF(射頻)技術產業現狀。這不僅是針對智能手機市場，還包括3W應用RF通信基礎設施應用，并且，5G將為RF功率市場的化合物半導體技術帶來重大市場機遇。
未來幾年，據Yole最新發布的《RF功率市場和技術趨勢-2017版》報告預計，隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長，RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間，整體RF功率市場營收或將增長75%，帶來9.8%的復合年增長率。這意味著市場營收規模將從2016年的15億美元增長至202
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GaN 5G
展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術，LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
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5G GaN
世強宣布與基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商EPC(宜普電源轉換公司)簽約合作，作為EPC中國區代理，銷售其全線產品。 據悉，EPC(宜普電源轉換公司)為首家推出替代功率Si MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管的公司，其目標應用包括直流-直流轉換器、無線充電，自動駕駛、包絡跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達(LiDAR)及D類音頻放大器等，GaN器件在速度，損耗，效率等性能上比硅材料的功率器件優越很多。 通過增強型氮化鎵技術，不僅可以提高電源效率，還可以
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世強 EPC
什么是MOCVD?
MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
MOCVD設備主要用于半導體材料襯底的外延生長，是LED以及半導體器件的關鍵設備。
根據Technavio統計，全球MOCVD市場的復合年平均增長率將在2021年之前增長到14%，市場規模將從201
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MOCVD GaN
宜普電源轉換公司(EPC)宣布張文賓(Roy Chang)加人管理團隊，擔任大中華及東南亞區銷售副總裁職位，支持亞太區業務高速增長。張先生在計算機及半導體行業擁有超過20年的研發、技術銷售和市場營銷的經驗。他的主要職責是制定及執行銷售策略以達到公司在大中華及東南亞區的銷售目標。張先生的主要工作地點為臺灣臺北市。 張先生在加入宜普公司之前為Transphorm公司的臺灣銷售副總裁。之前，他在Acer及德州儀器擔任研發、技術銷售、銷售及市場營銷等管理職位。 EPC全球銷售及市場營銷高級副總裁
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EPC 宜普電源
宜普電源轉換公司(EPC)是硅基增強型氮化鎵場效應晶體管及集成電路的領先供應商，基于eGaN?FET與集成電路的低成本解決方案是在發射端采用單個功率放大器，而在接收端無論是采用什么標準，也可以實現無線充電。 我們誠摯邀請工程師蒞臨中國上海，出席于2017年6月28日(星期三)上午11時在上海世博展覽館B2層2號會議室舉行的PCIM Asia 2017研討會(電力轉換與智能運動研討會)。屆時EPC公司的應用工程副總裁Michael de Rooij博士將分享在高
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