面向激光雷達應用并采用EPC氮化鎵（eGaN）技術的150安培開發板可以驅動5 納秒脈寬的脈沖電流

　　宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出全新的100 V、150 A大電流脈沖激光二極管的驅動演示電路板(EPC9126HC)。面向全自動汽車應用的激光雷達系統需要制作三維地圖，因此，偵測四周的目標物件的速度及準確性變得非常重要。從EPC9126HC演示電路板可以看到，與等效MOSFET相比，具備快速轉換特性的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)所提供的脈沖功率可以快十倍的速度驅動激光二極管，從而提升激光雷達系統的整體性能。

　　EPC9126HC開發板主要驅動激光二極管，備有參考接地的氮化鎵場效應晶體管(EPC2001C)。該晶體管由德州儀器公司的UCC27611柵極驅動器驅動。EPC2001C的最高電壓為100 V，可驅動高達150 A脈沖電流。EPC9126HC開發板給高功率triple-junction激光二極管的驅動電流高達75 A，其脈寬可以低至5 ns。

　　開發板為裝貼激光二極管所需，提供多個可選并具備超低電感的連接，以及可利用電容器放電(裝運時配備)，或由電源總線直接驅動二極管。開發板并沒有包含激光二極管，它需要由使用者提供，從而對不同的應用進行針對性的評估。

　　PCB的設計是把功率環路電感減至最小而同時保持裝貼激光二極管的靈活性。板上備有多個無源探頭(passive probe),可測量電壓及放電電容器的電流，以及備有為50 Ω測量系統而設的輸入及傳感器的SMA連接器。此外，使用者可使用可選的高精度窄脈沖發生器。

　　最后，EPC9126HC可以在其它采用參考接地的eGaN FET的應用中發揮其效能，例如Class E或其它相同的電路。