了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動要求時，我們經常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
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欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
聯電昨（2）日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯電表示，此技術將應用于手機、物聯網和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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5G 聯電 RFSOI 3D IC
近日，晶圓代工大廠聯電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯電共同總經理王石表示，由于電腦領域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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聯電 3D IC
致力于提供高品質芯片的國內優秀模擬及數模混合芯片設計商上海類比半導體技術有限公司（下稱“類比半導體”或“類比”） 宣布，其自主研發的創新型車規級電子保險絲（eFuse）——EF1048Q，將于近期在北京國際車展上矚目登場。這款集先進設計理念、卓越性能與高度智能化于一體的電子保險絲，標志著類比半導體在汽車配電系統保護技術領域的重大突破，為全球汽車制造商提供了一款具有顯著競爭優勢的前裝解決方案。卓越性能，打造極致安全保障EF1048Q采用QFN32封裝，嚴格遵循AEC-Q100 Grade 1車規標準，確保在
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類比半導體 汽車配電保護 2024北京車展 電子保險絲 eFuse
汽車電氣化推動了電子保險絲“eFuse”取代機械繼電器和熔斷器，以實現更緊湊、更高效的解決方案。NIV3071 eFuse 可保護下游電路免受過流、過溫和接地短路事件的影響，并可通過開漏 FAULT 引腳提供故障指示器。該器件具有四個集成高側通道，可以通過 EN 引腳獨立控制，也可以并聯在一起以用于更大的負載。該器件具有可配置的電流限制功能和導通時間，可支持多種負載。
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eFuse 安森美
光子學和電子學這兩個曾經分離的領域似乎正在趨于融合。
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3D-IC
根據Knometa Research的數據顯示，2026年，中國大陸將超越韓國和中國臺灣，成為IC晶圓產能的領先地區，而歐洲的份額將繼續下降。中國大陸一直在領先優勢的芯片制造能力上進行大量投資，并將從除美洲以外的所有其他地區獲取市場份額。此外，KnometaResearch預計，2024年全球IC晶圓產能年增長率為4.5%，2025年和2026年增長率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底，中國大陸在全球晶圓月產能中的份額為19.1%，落后韓國和中國臺灣幾個百分點。預計到2025年，中國大陸的產能份額
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IC 晶圓 半導體市場
汽車電氣化推動了電子保險絲“eFuse”取代機械繼電器和熔斷器，以實現更緊湊、更高效的解決方案。NIV3071 eFuse可保護下游電路免受過流、過溫和接地短路事件的影響，并可通過開漏 FAULT 引腳提供故障指示器。該器件具有四個集成高側通道，可以通過 EN引腳獨立控制，也可以并聯在一起以用于更大的負載。該器件具有可配置的電流限制功能和導通時間，可支持多種負載。
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202403 eFuse 安森美
2023年9月27日，在“2023北京微電子國際研討會暨IC WORLD大會”期間，舉辦了一場關于雙碳、可持續發展的研討會——“集成電路下的綠水青山”。國家電網能源研究院原副院長、首席能源專家胡兆光教授分享了我國能源行業的發展現狀與未來方向。
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202403 雙碳 IC WORLD
AbstractTXB0104是應用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC
(嵌入式多媒體存儲卡)芯片之間通信的雙向自動檢測電平轉換芯片。當系統的軟件資源配置不足，需要電平轉換芯片自己識別信號傳輸方向的時候，需要注意外部硬件設計，不然可能會出現掛載時好時壞的失效情況。問題背景：EMMC與AM3352掛載失敗，定位為TXB0104工作異常。實測中發現如圖中線路所示：1.只有D0通道無信號，因為將D0數據線由主芯片（AM3352）側飛線到EMMC，D0開始傳輸數據信號，eMMC掛載正常
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自動檢測 IC TXB0104 電平 轉換端口
美國新罕布什爾州曼徹斯特?- ?運動控制和節能系統傳感技術和功率半導體解決方案的全球領導廠商Allegro MicroSystems（納斯達克股票代碼：ALGM）（以下簡稱Allegro）宣布推出高壓電源產品組合中的第二款產品。Allegro 的?AHV85111?隔離柵極驅動器?IC 增加了重要的安全功能，同時簡化了電動汽車和清潔能源應用（包括?OBC/DC-DC、太陽能逆變器和數據中心電源）中大功率能源轉換系統的設計。Allegro 副總裁兼
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Allegro Power-Thru IC 隔離柵極驅動器
隨著電子設備在家庭、辦公室和工業中的普及，對高速、緊湊、低成本、可復位和可調節電路保護器件的需求越來越重要，以確保用戶安全和最長的正常設備運行時間。傳統熔斷方法的熔斷電流不準確、響應時間慢，而且通常保險絲更換不方便。隨著電子設備在家庭、辦公室和工業中的普及，對高速、緊湊、低成本、可復位和可調節電路保護器件的需求越來越重要，以確保用戶安全和最長的正常設備運行時間。傳統熔斷方法的熔斷電流不準確、響應時間慢，而且通常保險絲更換不方便。雖然從頭設計一個合適的保護方案是可以的，但要在可重置的設備中滿足苛刻的延遲和精
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DigiKey eFuse 電路保護
本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統保護的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對許多應用都很重要。標準硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來說，壓降不是問題，但在高電流應用中，各個壓降會產生顯著的功率損耗。理想二極管是此類應用的理想器件。幸運的是，MOSFET可以取代標準硅二極管，并提供意想不到的應用優勢。
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理想二極管 源選擇器 eFuse
2023年11月16日消息，隨著汽車的互聯性不斷提高、技術日益先進，對加強安全措施的需求也隨之增加。各國政府和汽車OEM最新的網絡安全規范開始包含更大的密鑰尺寸和愛德華曲線ed25519算法標準（Edwards Curve ed25519）。為此，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日推出最新的信任錨點安全IC（Trust Anchor Security IC） TA101，可滿足復雜的汽車和嵌入式安全用例。TA101 支持高達 ECC P521、SHA512、R
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Microchip TrustAnchor IC 汽車安全認證
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