三星第二代10nm級別8Gb DDR4內存投產，以后高頻條3600MHz起跳

　　三星剛才宣布量產第二代10nm級別(1y-nm)的8Gb DDR4內存顆粒，新的內存具備更高的頻率與更低的供貨，以及更小的尺寸，產能可以比初代10nm級別(1x-nm)的高30%，然而價格嘛……應該暫時不會降。

　　新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒采用了先進的專用電路設計技術，性能水平與效能會比1x-nm的高約10%到15%，它能夠在3600MHz下運行，而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz，也就是說以后的高頻內存要以3600MHz起步了。

　　目前1y-nm內存的生產還沒有用上EUV極紫外光設備，這次用的是高靈敏度細胞數據傳感系統(high-sensitivity cell data sensing system)與空氣墊片(air spacer)方案，前者可以更準確地確定每個單元中存儲的數據，從而顯著提高電路集成度和生產效率，后者是在位線周圍布置獨特的空氣墊片，這樣可以顯著降低寄生電容。

　　現在1y-nm DDR4內存模組已經完成了與CPU廠商的相關驗證工作，接下來計劃于全球IT客戶合作，開發下一代計算系統，隨著1y-nm內存投產所帶來的技術儲備，三星可以加速下一代內存產品DDR5、HBM3、LPDDR5以及GDDR6上的研發，可以進一步鞏固三星在存儲市場上的地位。