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        第3季度DRAM展望

        •   第2季DRAM報(bào)價(jià)下跌幅度相當(dāng)大,主要是日本311地震后,下游客戶(hù)擔(dān)心斷鏈危機(jī)擴(kuò)大,因此提前拉貨,但最后發(fā)現(xiàn)PC終端需求低于預(yù)期,導(dǎo)致整個(gè)第2季記憶體市場(chǎng)都處于消化庫(kù)存情況,且一直到第3季庫(kù)存水位仍是偏高,因此DRAM市場(chǎng)持續(xù)陷入供過(guò)于求情況。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  DDR3  

        DDR3仍是主流DRAM技術(shù)

        •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%,2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù),隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。   
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        一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營(yíng)收環(huán)比降低4%

        •   市場(chǎng)調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布的全球一季度DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示,DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)該季度營(yíng)收83億美元,相比去年第四季度的86億美元下降4%。   
        • 關(guān)鍵字: DRAM  DDR3  WiMAX  

        內(nèi)存芯片廠(chǎng)商醞釀漲價(jià)

        •   據(jù)《蘋(píng)果日?qǐng)?bào)》援引匿名消息提供者的說(shuō)法稱(chēng),由于PC OEM廠(chǎng)商正在積極囤積庫(kù)存,內(nèi)存芯片廠(chǎng)商南亞公司計(jì)劃四月份將其產(chǎn)品的價(jià)格提價(jià)5%。報(bào)道還稱(chēng)三星公司已經(jīng)知會(huì)其客戶(hù)稱(chēng)4月上半月將對(duì)旗下內(nèi)存芯片產(chǎn)品漲價(jià)5-6%,2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的合約價(jià)格有望爬升到2美元以上。  
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        爾必達(dá)瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功

        •   日本爾必達(dá)與臺(tái)灣瑞晶公司近日發(fā)表聯(lián)合聲明稱(chēng)兩家公司已經(jīng)成功完成了4F2架構(gòu)設(shè)計(jì)1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產(chǎn),這次試產(chǎn)是由瑞晶的研發(fā)中心主導(dǎo)的。瑞晶的研發(fā)中心自去年開(kāi)始正式運(yùn)作,他們一直在和爾必達(dá)公司一起研發(fā)4F2 DRAM芯片產(chǎn)品。兩家公司目前已經(jīng)合力成功制造出了基于65nm設(shè)計(jì)準(zhǔn)則的4F2 1Gbit密度DDR3 DRAM芯片產(chǎn)品。 
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        DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用

        • DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用,DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而,和過(guò)去幾代(DDR和DDR2)器件相比,DDR3存儲(chǔ)器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),使用一個(gè)高效且易于使用的DDR3存儲(chǔ)器接口控制器
        • 關(guān)鍵字: 視頻  數(shù)據(jù)處理  應(yīng)用  IP  控制器  存儲(chǔ)器  接口  DDR3  

        如何實(shí)現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器的連接

        • 采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器架構(gòu)支持總線(xiàn)速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬,工作電壓低至1.5V,因此功耗小,存儲(chǔ)密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無(wú)疑速度更快,容量更大,單位比特的功耗更低,但問(wèn)
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        爾必達(dá)推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒

        •   最近,內(nèi)存顆粒的工藝進(jìn)步速度非常快,最先進(jìn)的30nm工藝甚至已經(jīng)超過(guò)了處理器。在功耗與散熱方面也有了長(zhǎng)足的進(jìn)步。   今天我們得到最新消息,繼三星之后,爾必達(dá)也成功開(kāi)發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒,并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀(jì)錄。   據(jù)了解,爾必達(dá)這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率,可以在1.35V低電壓下實(shí)現(xiàn)1600MHz頻率。同時(shí),其工作電流相比同廠(chǎng)40nm產(chǎn)品工作電流降低15%,待機(jī)電流下降10%。   爾必達(dá)聲稱(chēng)該內(nèi)存顆粒是目前世界上體積最小的產(chǎn)品
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        三星量產(chǎn)8GB DDR3筆記本電腦內(nèi)存模組

        •   三星剛剛公布其量產(chǎn)8GB DDR3筆記本內(nèi)存模組的消息,根據(jù)計(jì)劃,三星將為筆記本和移動(dòng)工作站生產(chǎn)SODIMM接口內(nèi)存模塊,該模塊基于40納米制程,1333MHz頻率,1.5V電壓,比上一代4GB DDR3模組節(jié)電53%,比1.8V DDR2節(jié)電67%。   這種模組最早將被提供到戴爾Precision M6500移動(dòng)工作站上,如將插槽插滿(mǎn),共可容下32GB內(nèi)存。
        • 關(guān)鍵字: 三星  DDR3  40納米  

        DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線(xiàn)

        •   韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo),DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%,1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線(xiàn)。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì),1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來(lái),固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí),價(jià)格僅 在1美元在線(xiàn),其后持續(xù)上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線(xiàn)。   D
        • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  DDR3  

        DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線(xiàn)

        •   韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo),DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%,1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線(xiàn)。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。   據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì),1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來(lái),固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí),價(jià)格僅在1美元在線(xiàn),其后持續(xù)上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線(xiàn)。DD
        • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  DDR3  

        三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)30nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片

        •   今年早些時(shí)候,三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內(nèi)存芯片的開(kāi)發(fā)工作,而最近他們則宣布這款芯片產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數(shù)據(jù)傳輸率下,加壓到1.5V之后數(shù)據(jù)傳輸率則可提升至2133MHz,適用于 臺(tái)式機(jī),筆記本,服務(wù)器,上網(wǎng)本,移動(dòng)設(shè)備的各種應(yīng)用。   三星表示目前他們正在開(kāi)發(fā)4Gb密度的30nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品,預(yù)計(jì)這款產(chǎn)品今年才會(huì)投入使用。
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        DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP加速數(shù)據(jù)處理應(yīng)用

        • DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而,和過(guò)去幾代(DDR和DDR2)器件相比,DDR3存儲(chǔ)器器件...
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        茂德成功試產(chǎn)63nm DDR3顆粒

        •   臺(tái)灣媒體報(bào)道,茂德今天宣布,他們已在其臺(tái)灣科技園中部的12寸晶圓廠(chǎng)使用爾必達(dá) 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工藝成功試產(chǎn)出了1Gb DDR3內(nèi)存顆粒。首批測(cè)試結(jié)果顯示,顆粒規(guī)格符合業(yè)界規(guī)范,并全面兼容PC、數(shù)碼移動(dòng)電子品應(yīng)用。茂德今年三月份開(kāi)始使用爾必達(dá)的63nm堆疊制程工藝試產(chǎn)DDR3顆粒,計(jì)劃在今年三季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。到年底時(shí),茂德每月為DDR3芯片生產(chǎn)提供的晶圓產(chǎn)量 將達(dá)到3.5萬(wàn)片。   茂德表示,他們預(yù)計(jì)將在明年下半年開(kāi)始使用爾必達(dá)的45nm工藝進(jìn)行生產(chǎn),并計(jì)劃在明年年底
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        Quamtum-SI DDR3仿真解析

        • Automated DDR3 Analysis

          Quantum-SI 2008.04 automates signal integrity and timing analysis of DDR3 interfaces. Enhancements include new DDR3-specific waveform quality checks and modeling of dynam
        • 關(guān)鍵字: Quamtum-SI  DDR3  仿真    
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