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ddr3-2133
ddr3-2133 文章 進(jìn)入ddr3-2133技術(shù)社區(qū)
內(nèi)存芯片廠(chǎng)商醞釀漲價(jià)
- 據(jù)《蘋(píng)果日?qǐng)?bào)》援引匿名消息提供者的說(shuō)法稱(chēng),由于PC OEM廠(chǎng)商正在積極囤積庫(kù)存,內(nèi)存芯片廠(chǎng)商南亞公司計(jì)劃四月份將其產(chǎn)品的價(jià)格提價(jià)5%。報(bào)道還稱(chēng)三星公司已經(jīng)知會(huì)其客戶(hù)稱(chēng)4月上半月將對(duì)旗下內(nèi)存芯片產(chǎn)品漲價(jià)5-6%,2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的合約價(jià)格有望爬升到2美元以上。
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爾必達(dá)瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功
- 日本爾必達(dá)與臺(tái)灣瑞晶公司近日發(fā)表聯(lián)合聲明稱(chēng)兩家公司已經(jīng)成功完成了4F2架構(gòu)設(shè)計(jì)1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產(chǎn),這次試產(chǎn)是由瑞晶的研發(fā)中心主導(dǎo)的。瑞晶的研發(fā)中心自去年開(kāi)始正式運(yùn)作,他們一直在和爾必達(dá)公司一起研發(fā)4F2 DRAM芯片產(chǎn)品。兩家公司目前已經(jīng)合力成功制造出了基于65nm設(shè)計(jì)準(zhǔn)則的4F2 1Gbit密度DDR3 DRAM芯片產(chǎn)品。
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爾必達(dá)推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒
- 最近,內(nèi)存顆粒的工藝進(jìn)步速度非常快,最先進(jìn)的30nm工藝甚至已經(jīng)超過(guò)了處理器。在功耗與散熱方面也有了長(zhǎng)足的進(jìn)步。 今天我們得到最新消息,繼三星之后,爾必達(dá)也成功開(kāi)發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒,并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀(jì)錄。 據(jù)了解,爾必達(dá)這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率,可以在1.35V低電壓下實(shí)現(xiàn)1600MHz頻率。同時(shí),其工作電流相比同廠(chǎng)40nm產(chǎn)品工作電流降低15%,待機(jī)電流下降10%。 爾必達(dá)聲稱(chēng)該內(nèi)存顆粒是目前世界上體積最小的產(chǎn)品
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DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線(xiàn)
- 韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo),DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%,1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線(xiàn)。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì),1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來(lái),固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí),價(jià)格僅 在1美元在線(xiàn),其后持續(xù)上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線(xiàn)。 D
- 關(guān)鍵字: 海力士 DRAM DDR3
DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線(xiàn)
- 韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo),DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%,1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線(xiàn)。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值,不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。 據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì),1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元,這是DDR3自2009年1月上市以來(lái),固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí),價(jià)格僅在1美元在線(xiàn),其后持續(xù)上升,至2009年11月,以2.25美元首度突破2美元線(xiàn)。DD
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三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)30nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片
- 今年早些時(shí)候,三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內(nèi)存芯片的開(kāi)發(fā)工作,而最近他們則宣布這款芯片產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數(shù)據(jù)傳輸率下,加壓到1.5V之后數(shù)據(jù)傳輸率則可提升至2133MHz,適用于 臺(tái)式機(jī),筆記本,服務(wù)器,上網(wǎng)本,移動(dòng)設(shè)備的各種應(yīng)用。 三星表示目前他們正在開(kāi)發(fā)4Gb密度的30nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品,預(yù)計(jì)這款產(chǎn)品今年才會(huì)投入使用。
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DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP加速數(shù)據(jù)處理應(yīng)用
- DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而,和過(guò)去幾代(DDR和DDR2)器件相比,DDR3存儲(chǔ)器器件...
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茂德成功試產(chǎn)63nm DDR3顆粒
- 臺(tái)灣媒體報(bào)道,茂德今天宣布,他們已在其臺(tái)灣科技園中部的12寸晶圓廠(chǎng)使用爾必達(dá) 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工藝成功試產(chǎn)出了1Gb DDR3內(nèi)存顆粒。首批測(cè)試結(jié)果顯示,顆粒規(guī)格符合業(yè)界規(guī)范,并全面兼容PC、數(shù)碼移動(dòng)電子品應(yīng)用。茂德今年三月份開(kāi)始使用爾必達(dá)的63nm堆疊制程工藝試產(chǎn)DDR3顆粒,計(jì)劃在今年三季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。到年底時(shí),茂德每月為DDR3芯片生產(chǎn)提供的晶圓產(chǎn)量 將達(dá)到3.5萬(wàn)片。 茂德表示,他們預(yù)計(jì)將在明年下半年開(kāi)始使用爾必達(dá)的45nm工藝進(jìn)行生產(chǎn),并計(jì)劃在明年年底
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Quamtum-SI DDR3仿真解析
- Automated DDR3 Analysis
Quantum-SI 2008.04 automates signal integrity and timing analysis of DDR3 interfaces. Enhancements include new DDR3-specific waveform quality checks and modeling of dynam - 關(guān)鍵字: Quamtum-SI DDR3 仿真
ddr3-2133介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條ddr3-2133!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)ddr3-2133的理解,并與今后在此搜索ddr3-2133的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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