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        在DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器接口中使用調(diào)平技術(shù)

        •   引言   DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)提高了帶寬,總線速率達(dá)到了600 Mbps至1.6 Gbps (300至800 MHz),它采用1.5V工作,降低了功耗,90-nm工藝密度提高到2 Gbits。這一體系結(jié)構(gòu)的確速率更快,容量更大,單位比特的功耗更低,但是怎樣才能實(shí)現(xiàn)DDR3 SDRAM DIMM和FPGA的接口呢?調(diào)平技術(shù)是關(guān)鍵。如果FPGA I/O結(jié)構(gòu)中沒有直接內(nèi)置調(diào)平功能,和DDR3 SDRAM DIMM的接口會(huì)非常復(fù)雜,成本也高,需要采用大量的外部元件。那么,什么是調(diào)平技術(shù),這一技
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        DRAM過剩為DDR3內(nèi)存加速普及帶來良機(jī)

        •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,人們現(xiàn)在可以歡呼DRAM內(nèi)存芯片的供過于求,雖然它影響了一些公司和它們的庫(kù)存產(chǎn)品價(jià)格。從積極的角度看,較低的內(nèi)存價(jià)格正在刺激電腦制造商在新機(jī)器上安裝更多DRAM芯片,同時(shí)將促使DRAM制造商加快推出速度更快和更先進(jìn)的第三代內(nèi)存芯片。   全球最大DRAM制造商三星電子公司相信,內(nèi)存價(jià)格下跌將加快業(yè)界采用更大字節(jié)容量DRAM芯片的步伐,其速度將大大超過以往。就在三個(gè)月前,三星公司曾表示,由于價(jià)格疲弱,電腦標(biāo)配內(nèi)存已從512M變成了1G。   目前,主流DRAM芯片為1G字
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        FPGA如何同DDR3存儲(chǔ)器進(jìn)行接口?

        •   大家好,我叫Paul Evans,是Stratix III產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理。到目前為止,我已經(jīng)從事了6年的雙倍數(shù)據(jù)速率存儲(chǔ)器工作,今天和大家一起討論一下DDR3。DDR3的主要難題之一是它引入了數(shù)據(jù)交錯(cuò),如屏幕上所示。   為了更好地進(jìn)行演示,我們將使用這里所示的Stratix III DDR3存儲(chǔ)器電路板。它上面有幾個(gè)高速雙倍數(shù)據(jù)速率存儲(chǔ)器,例如DDR2 UDIMM插槽、RLD RAM、QDR,當(dāng)然,還有DDR3 UDIMM插槽。因此,我們所要做的就是通過Quartus軟件來下載一個(gè)簡(jiǎn)單設(shè)計(jì),F(xiàn)PGA
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        奇夢(mèng)達(dá)1GB和2GB的省電DDR3 SO-DIMMs開始出貨

        •   奇夢(mèng)達(dá)公司宣布1GB和2GB的 DDR3 SO-DIMM內(nèi)存模塊 (Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的樣品開始出貨給主要客戶,以布局下一代的筆記型計(jì)算機(jī)市場(chǎng)。奇夢(mèng)達(dá)將其最新的DDR3 SO-DIMMs最佳化,提供了超強(qiáng)的省電功能,已居于業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)地位。在移動(dòng)運(yùn)算中,省電是新DDR3內(nèi)存接口很重要的價(jià)值體現(xiàn),因它能在筆記型計(jì)算機(jī)及其它移動(dòng)運(yùn)算應(yīng)用裝置中,讓電池有較長(zhǎng)壽命且仍保持較高的性能表現(xiàn)。奇夢(mèng)達(dá)率先于2006年6
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        Stratix III FPGA性能達(dá)到了533-MHz DDR3接口標(biāo)準(zhǔn)

        •   Altera公司宣布,Stratix® III FPGA的DDR3存儲(chǔ)器接口速率超過1067 Mbps,存儲(chǔ)器性能比競(jìng)爭(zhēng)FPGA解決方案高出33%。更寬的存儲(chǔ)器帶寬支持新的通信、計(jì)算和視頻處理應(yīng)用,以前很難實(shí)現(xiàn)這類應(yīng)用或者需要增加存儲(chǔ)器塊才能實(shí)現(xiàn)。Altera的Stratix III FPGA系列是業(yè)界唯一完全符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)的FPGA,該標(biāo)準(zhǔn)包括為提高性能而制定的高性能讀寫均衡規(guī)范。   Altera高端產(chǎn)品營(yíng)銷資深總監(jiān)David Greenfie
        • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  Altera  FPGA  DDR3  MCU和嵌入式微處理器  

        Altera宣布Stratix® III FPGA的DDR3存儲(chǔ)器接口速率超過1067 Mbps

        •   Altera公司宣布,Stratix® III FPGA的DDR3存儲(chǔ)器接口速率超過1067 Mbps,存儲(chǔ)器性能比競(jìng)爭(zhēng)FPGA解決方案高出33%。更寬的存儲(chǔ)器帶寬支持新的通信、計(jì)算和視頻處理應(yīng)用,以前很難實(shí)現(xiàn)這類應(yīng)用或者需要增加存儲(chǔ)器塊才能實(shí)現(xiàn)。Altera的Stratix III FPGA系列是業(yè)界唯一完全符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)的FPGA,該標(biāo)準(zhǔn)包括為提高性能而制定的高性能讀寫均衡規(guī)范。   Altera高端產(chǎn)品營(yíng)銷資深總監(jiān)David Greenfie
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        FPGA與DDR3 SDRAM的接口設(shè)計(jì)

        •     DDR3 SDRAM內(nèi)存的總線速率達(dá)到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz),1.5V的低功耗工作電壓,采用90nm制程達(dá)到2Gbits的高密度。這個(gè)架構(gòu)毫無疑問更快、更大,每比特的功耗也更低,但是如何實(shí)現(xiàn)FPGA和DDR3 SDRAM DIMM條的接口設(shè)計(jì)呢?   關(guān)鍵字:均衡(leveling)   如果FPGA&nbs
        • 關(guān)鍵字: FPGA  DDR3  SDRAM  接口  模擬IC  電源  

        奇夢(mèng)達(dá)DDR3內(nèi)存組件和模組經(jīng)過英特爾認(rèn)證

        •   奇夢(mèng)達(dá)近日宣布,作為首批DRAM供應(yīng)商之一 ,已開始向重要的主板廠商和超頻內(nèi)存模組制造商提供全新的DDR3組件和模組。此外,奇夢(mèng)達(dá)新一代DDR3 DRAM產(chǎn)品已通過英特爾平臺(tái)的認(rèn)證。   奇夢(mèng)達(dá)目前可提供512 MB DDR3 SDRAM組件和具備512MB和1GB存儲(chǔ)密度的 DDR3非緩沖DIMM。當(dāng)前提供的這些器件支持800MHz、1066MHz 和 1333MHz的工作速度,甚至可超頻到1600MHz及以上,使它們成為迄今為止行業(yè)速度最快的器件。超頻是提高高端應(yīng)用PC系統(tǒng)性能的常用技術(shù),例如3
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