爾必達瑞晶垂直晶體管結構DDR3芯片試產成功

　　日本爾必達與臺灣瑞晶公司近日發表聯合聲明稱兩家公司已經成功完成了4F2架構設計1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產，這次試產是由瑞晶的研發中心主導的。瑞晶的研發中心自去年開始正式運作，他們一直在和爾必達公司一起研發4F2 DRAM芯片產品。兩家公司目前已經合力成功制造出了基于65nm設計準則的4F2 1Gbit密度DDR3 DRAM芯片產品。

　　這種由爾必達和瑞晶共同開發的4F2內存芯片采用垂直型晶體管架構構建，內存芯片的bitlline和wordline則在硅片中成型。晶體管單元的面積可控制在2FX2F(F為晶體管中最小的圖形尺寸)。比較6F2架構設計的內存晶體管，4F2架構晶體管單元的面積可降低30%，而芯片的產出量則可達到爾必達50nm制程產品的水平。另外，芯片具備優秀的數據保持特性以及所采用的垂直型晶體管結構也將成為制造下一代DRAM芯片的必要技術。同時，4F2架構還可以滿足低功耗移動設備用DRAM的需求。(關于4F2/6F2架構的更多解釋，讀者可參閱我們之前的這篇文章)

　　爾必達CEO Yukio Sakamoto表示：“本次成功試產4F2內存芯片時，我們所采用的基礎性技術將成為開發下一代20nm及更高規格內存芯片必備的關鍵技術。而爾必達和瑞晶的共同合作則是我們成功的首要因素，現在我們已經站在了內存芯片工業的前列。”

　　這次4F2架構內存芯片的開發是在分別來自爾必達和瑞晶兩家公司的日臺工程師緊密合作下開發出來的。