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        ddr2-400 文章 最新資訊

        采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計(jì)

        • 采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計(jì),本白皮書討論各種存儲器接口控制器設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案,同時也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過硬件驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)來為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣的更
        • 關(guān)鍵字: 接口  控制器  設(shè)計(jì)  存儲器  SDRAM  Xilinx  FPGA  DDR2  采用  

        Nufront第三代處理器采用Cadence接口IP解決方案

        • 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司 (NASDAQ: CDNS),日前宣布Nufront(新岸線)的NS115芯片組采用了Cadence可配置的DDR3/3L/LPDDR2存儲控制器與硬化PHY IP核,應(yīng)用于其雙核ARM Cortex –A9移動應(yīng)用處理器。TSMC 40LP工藝, 32位DDR3/LPDDR2接口的數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達(dá)800Mbps,并能提供對超薄筆記本、平板電腦和智能手機(jī)等產(chǎn)品至關(guān)重要的基于數(shù)據(jù)流量的自動功耗管理。 Cadence 的DDR3/3L/LPDDR2 IP
        • 關(guān)鍵字: Cadence  DDR2  IP核  

        一種矢量信號發(fā)生器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

        • 摘要:充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產(chǎn)生矢量信號的特點(diǎn),以FPGA為邏輯時序控制器,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種靈活、簡單、低成本的矢量信號發(fā)生器。本文以產(chǎn)生3載波WCDMA為例,詳細(xì)介紹了矢量信號發(fā)生器的設(shè)計(jì)方案與實(shí)現(xiàn)過程,使用Verilog HDL描述并實(shí)現(xiàn)了DDR2 SDRAM的時序控制和FPGA的邏輯控制。
        • 關(guān)鍵字: DDR2 SDRAM  FLASH  201205  

        StellamarXilinxXC3S400AN數(shù)字ADC音頻評估方案

        • Stellamar 公司的數(shù)字ADC采用Xilinx公司的 XC3S400AN FPGA,平均功耗低50%,面積低50%,非常低的工作電壓,高達(dá)14位的有效位,14位500Hz的SNR為90dB,數(shù)字典輸出,數(shù)字測試,過采樣,不會丟失碼,極低的失調(diào)漂移,能用在苛刻的環(huán)
        • 關(guān)鍵字: StellamarXilinxXC3  StellamarXilinxXC  S400  400    

        可獲得400VP-P輸出的高電壓增強(qiáng)器電路功能及原理

        • 電路的功能OP放大器的輸出振幅幅值為正負(fù)10~30V,需要數(shù)百伏幅值的靜電激勵器或壓電器件就要使用專門的激勵放大器,也有采用由耐高壓晶體管組成的獨(dú)立電路的。本電路主要應(yīng)用OP放大器的直流特性,在OP放大器后面增加
        • 關(guān)鍵字: VP-P  400  高電壓  電路功能    

        高速圖像處理系統(tǒng)中DDR2-SDRAM接口的設(shè)計(jì)

        • 摘要:為了滿足高速圖像處理系統(tǒng)中需要高接口帶寬和大容量存儲的目的,采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設(shè)計(jì)方法,提出一種基于VHDL語言的DDR2-SDRAM控制器的方案,針對高速圖像處理系統(tǒng)中的具體情況,在Xilinx的ML506開發(fā)
        • 關(guān)鍵字: 接口  設(shè)計(jì)  DDR2-SDRAM  理系  圖像  處理  高速  

        基于USB2.0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

        • 摘要:采用DDR2SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù),給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實(shí)時、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方...
        • 關(guān)鍵字: USB2.0  DDR2  數(shù)據(jù)采集  

        基于Cyclone III FPGA的DDR2接口設(shè)計(jì)分析

        • DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,即雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,能夠在時鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù),可以在與SDRAM相同的總線時鐘頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。雖然DDR2和DDR一樣,都采用相同采樣方式進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。
        • 關(guān)鍵字: Cyclone  FPGA  DDR2  III    

        ASIC原型驗(yàn)證板DDR2 速率再攀高峰

        •   唐芯微電子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA單顆(MB3100-A5/8)和雙顆(D-MB3100A)原型驗(yàn)證平臺半年來在用戶項(xiàng)目使用中,從性能、價格、穩(wěn)定性來說已得到了用戶的很高評價,當(dāng)然,唐芯微人還是不失抓住每一次售后機(jī)會,把握用戶提出的問題和建議,配合用戶完成項(xiàng)目的同時對這款產(chǎn)品進(jìn)行一次次優(yōu)化修正,不但用戶對唐芯微電子售后服務(wù)有了更進(jìn)一步體會,而且?guī)醉?xiàng)技術(shù)成果的突破也讓用戶刮目相看。
        • 關(guān)鍵字: ASIC  DDR2  

        基于USB2_0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)與FPGA實(shí)現(xiàn)

        • 摘要: 采用DDR2 SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù), 給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實(shí)時、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案, 同時提出了對數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的改進(jìn)思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 FPGA上的實(shí)現(xiàn)方法。

          0 引
        • 關(guān)鍵字: DDR2  FPGA  USB  數(shù)據(jù)采集    

        基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)與仿真

        • 基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)與仿真, 摘 要: 介紹了DDR2嵌入式系統(tǒng)的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具,并基于Hyperlyxn仿真工具對IBIS模型進(jìn)行仿真分析,給出了一個具體的DDR2嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)過程和方法。  現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展
        • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  仿真  系統(tǒng)  嵌入式  Hyperlynx  DDR2  基于  

        基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計(jì)

        • 基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計(jì),  本白皮書討論各種存儲器接口控制器設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案,同時也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過硬件驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)來為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
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        基于BGA7127設(shè)計(jì)的400-2700MHz 0.5W高線性放大技術(shù)

        • 本文介紹了BGA7127主要特性和優(yōu)勢,功能方框圖以及920 MHz 到 960 MHz,1930 MHz 到 1990 MHz,2110 MHz 到 2170 MHz和2405 MHz 到 2485 MHz的應(yīng)用電路及相應(yīng)的材料清單。NXP公司的BGA7127是 400-2700MHz 0.5W高線性
        • 關(guān)鍵字: 線性  放大  技術(shù)  0.5W  400-2700MHz  BGA7127  設(shè)計(jì)  基于  

        美光推出內(nèi)存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本

        •   美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內(nèi)存,支持英特爾即將對平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動™ 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要,因此,小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內(nèi)存將成為該市場的 理想存儲解決方案。   美光的2Gb DDR2產(chǎn)品過渡到更先進(jìn)的 50 納米制程節(jié)點(diǎn), 反映出美光對市場所需的技術(shù)的承諾和持續(xù)投資。從1Gb升級到2Gb 的元件除了容量提
        • 關(guān)鍵字: 美光  50納米  DDR2  

        鎂光開始出貨50nm 2Gb DDR2 內(nèi)存芯片

        •   鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片,主要面向平板電腦市場。   該芯片采用低電壓DDR2標(biāo)準(zhǔn)制造,可與英特爾開發(fā)代號Oak Trail的Atom系統(tǒng)協(xié)同工作,容量方面,該芯片從512Mb到2Gb不等,可構(gòu)成從1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS內(nèi)存條,實(shí)現(xiàn)8億MT/s傳輸能力。   得益于較小的制程,這款芯片可以工作在1.55V的低壓下,以降低系統(tǒng)的電源需求。   鎂光預(yù)計(jì)這種DD2存儲芯片將在2010年9月開始出樣,年末之前量產(chǎn)出貨。
        • 關(guān)鍵字: 鎂光  50納米  DDR2  
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