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艾邁斯半導(dǎo)體推出可拓展的高壓CMOS晶體管
- 全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進一步擴展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35µm高壓CMOS專業(yè)制程平臺。基于該高壓制程平臺的先進“H35”制程工藝，使艾邁斯半導(dǎo)體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設(shè)備性能的電壓可拓展的晶體管。 新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對20V至100V范圍內(nèi)的各種漏源電壓進行了優(yōu)化，顯著降低了導(dǎo)通電阻，因此可節(jié)省器件空間。在電源管理應(yīng)用中，用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
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意法半導(dǎo)體：MEMS擁有太極一兩面性 麥克風(fēng)市場潛力大
- 日前，已經(jīng)在手機傳感器和消費類傳感器市場走在全球前列的意法半導(dǎo)體，對于下一步的發(fā)展有著怎樣的打算，這家公司又是如何看待物聯(lián)網(wǎng)與可穿戴設(shè)備市場呢? 日前ST執(zhí)行副總裁兼模擬器件MEMS及傳感器產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Benedetto Vigna在接受飛象網(wǎng)記者采訪時表示：“MEMS擁有太極一樣的兩面性，即傳感器和推進器。但是不局限在傳感器和推進器，ST還在其他器件研發(fā)方面擁有較好的發(fā)展，面對物聯(lián)網(wǎng)市場，較之可穿戴設(shè)備，ST更看重智能家居和智能城市對MEMS市場的推動，同時堅持麥克風(fēng)市場不動搖
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MEMS市場需求蓬勃 軟、硬件業(yè)者聯(lián)手打造生態(tài)系
- 微機電系統(tǒng)(MEMS)市場正隨各種創(chuàng)新應(yīng)用而持續(xù)成長當(dāng)中。MEMS裝置經(jīng)過高度專業(yè)化過程制造，根據(jù)不同裝置型態(tài)需求而客制化，不過，由于MEMS制程選擇繁多，生產(chǎn)成本也因此提高，且市時程安排也更為費時。 據(jù)EE Times網(wǎng)站報導(dǎo)，以目前趨勢來看，市場逐漸將MEMS裝置導(dǎo)入CMOS IC量產(chǎn)制程，因此，MEMS產(chǎn)品元件也面臨縮短開發(fā)時間、降低成本、符合繁復(fù)效能與穩(wěn)定性需求等挑戰(zhàn)。 MEMS裝置尺寸一般介于20微米(micrometer)至1毫米(millimeter)之間，MEMS子元件則在
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使用CMOS集成電路需注意的幾個問題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個問題： 1、電源問題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路
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本土MEMS制造需面向應(yīng)用，建立平臺
- 應(yīng)用材料公司全球服務(wù)產(chǎn)品事業(yè)部200毫米半導(dǎo)體及動力輔助設(shè)備副總裁原錚博士：從全球來看，2014年到2015年的增長勢頭非常好，但是亞洲地區(qū)的發(fā)展更明顯，尤其是中國大陸和中國臺灣地區(qū)。 應(yīng)用材料公司全球服務(wù)產(chǎn)品事業(yè)部設(shè)備產(chǎn)品部門200 毫米半導(dǎo)體及動力輔助設(shè)備副總裁原錚博士 成本控制是MEMS制造的主旋律 200毫米還是300毫米?300毫米MEMS制程還是起步階段。一些客戶反映，究竟用300還是200毫米，實際不是技術(shù)問題，而是現(xiàn)實成本考慮的問題。 MEMS集成一般是不同
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MEMS傳感器制造的難點
- *MEMS制造需要標(biāo)準(zhǔn)嗎? ST的Benedtto Vigna稱，目前幾家大公司有各自的生產(chǎn)工藝，沒有一個共同的生產(chǎn)工藝標(biāo)準(zhǔn)。飛思卡爾的Ian Chen解釋道：白貓黑貓，只要能抓住老鼠就是好貓。因此所謂的制造標(biāo)準(zhǔn)完全沒必要的，但某一個部件或者是這個部件的應(yīng)用是可以有標(biāo)準(zhǔn)的。 ST執(zhí)行副總裁兼模擬器件、MEMS及傳感器產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Benedtto Vigna 至于測試的方法，也不需要統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)。因為測試跟成本是有關(guān)系的。MEMS的測試是廠商貨品成本中相當(dāng)重要的一部分，所以每家公
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樓氏：未來更多的產(chǎn)品將通過語音控制
- 可穿戴設(shè)備開創(chuàng)了電子設(shè)備互聯(lián)互通的新時代，并能前所未有地獲得海量的用戶和環(huán)境數(shù)據(jù)。盡管尚未有可穿戴設(shè)備實現(xiàn)大規(guī)模的普及，目前運動跟蹤器和智能手表等腕帶設(shè)備是市場主流。 創(chuàng)新是可穿戴設(shè)備成功的關(guān)鍵。對軟硬件融合工藝的改進能創(chuàng)造出體積更小、速度更快的腕帶設(shè)備。而更小巧、性能更好的零部件則為新產(chǎn)品帶來了更廣闊的市場前景。 Knowles高性能音頻產(chǎn)品線經(jīng)理Bertrand Renaud 未來的可穿戴設(shè)備將會圍繞用戶需求和物聯(lián)網(wǎng)兩大中心發(fā)展。因此可穿戴設(shè)備是否能與其他電子產(chǎn)品有效互動、是
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Benedetto Vigna對ST產(chǎn)品總結(jié)道，“We can do more with less！”
- 深耕MEMS 傳感器和執(zhí)行器領(lǐng)域10年，ST擁有完整的產(chǎn)品組合，其產(chǎn)品覆蓋運動傳感器、環(huán)境傳感器、麥克風(fēng)、觸控產(chǎn)品到執(zhí)行器、低功耗模擬器件和射頻芯片等領(lǐng)域。 ST執(zhí)行副總裁兼模擬器件、MEMS及傳感器產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Benedtto Vigna 在MEMS運動傳感器方面，MEMS運動傳感器不斷創(chuàng)新，其銷量更是超過50億，發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先的6軸傳感器。MEMS 麥克風(fēng)銷量超過5億件，市場份額從2012年不足2%增長到2014年的10%。此外，壓力傳感器、紫外傳感器均都取得不錯的成績。
- 關(guān)鍵字： ST MEMS
Bosch Sensortec：提供全方位產(chǎn)品解決方案
- 做為全球排名第一的MEMS傳感器供應(yīng)商，Bosch Sensortec早在1995年就已經(jīng)開始量產(chǎn)MEMS，MEMS產(chǎn)量達60億，擁有超過1000項專利。 Bosch Sensortec亞太區(qū)總裁Leopold Beer 目前，Bosch擁有慣性傳感器、環(huán)境傳感器、智能傳感器、聲學(xué)傳感器四類產(chǎn)品，同時為客戶提供傳感器融合軟件以實現(xiàn)產(chǎn)品的最佳應(yīng)用性能，提供標(biāo)準(zhǔn)操作系統(tǒng)/平臺的完整解決方案。Bosch Sensortec亞太區(qū)總裁Leopold Beer指出，未來傳感器將延伸至IoT解決方
- 關(guān)鍵字： Bosch MEMS
摸索中前行——中國MEMS眾生相
- 物聯(lián)網(wǎng)大發(fā)展背景下，可以預(yù)見傳感器率先受益，而MEMS傳感器優(yōu)勢明顯，將成未來趨勢，空間巨大，但是國內(nèi)的MEMS主要靠進口，這個產(chǎn)業(yè)何時能崛起。
- 關(guān)鍵字： MEMS
一些常用的電平標(biāo)準(zhǔn)
- 現(xiàn)在常用的電平標(biāo)準(zhǔn)有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標(biāo)準(zhǔn)以及使用注意事項。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。 Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因為2.4V與5V之間還有很大空閑
- 關(guān)鍵字： TTL，CMOS
學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計算出來的
- 簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結(jié)!希望大家堅持下去! 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
- 關(guān)鍵字： CMOS MOSFET
CMOS和TTL集成門電路多余輸入端的處理方法
- 簡介：CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經(jīng)常遇到這樣一個問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作?本文給出了解決這個問題的方法，供大家參考。 CMOS門電路 CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
TTL與CMOS電路的區(qū)別
- 簡介：本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區(qū)別以及使用注意事項等內(nèi)容。 TTL：雙極型器件，一般電源電壓 5V，速度快(數(shù)ns)，功耗大(mA級)，負(fù)載力大，不用端多數(shù)不用處理。 CMOS：單級器件，一般電源電壓 15V，速度慢(幾百ns)，功耗低，省電(uA級)，負(fù)載力小，不用端必須處理。 CMOS 和 TTL 電平的主要區(qū)別在于輸入轉(zhuǎn)換電平。 CMOS：它的轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2，因為 CMOS 的輸入時互補的，保證了轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2。 TTL：
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
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