1，TTL電平(什么是TTL電平)： 輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。
2，CMOS電平： 1邏輯電平電壓接近于電源電壓，0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。
3，電平轉換電路： 因為TTL和COMS的高低電平
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TTL CMOS 電平 嵌入式系統 單片機 嵌入式
本設計實例提供了一種可作為微控制器替代品的簡單、廉價及便攜式設備電路，來為音頻電路設計與調試提供各種低失真正弦波信號源。盡管從直接數字合成器 (dds) 產生的正弦波具有更高的穩定性及更少的諧波成分和其他寄生頻率成分，但這是一種能讓設計人員采用凌特科技公司ltspice 免費件并磨礪其電路仿真技能的更具“顛覆性”的方法。振蕩器包括一個頻率測定網絡以及一種用于防止電路飽和、波形削波及諧波產生的振蕩幅度限制方法。許多音頻振蕩器設計均采用經典維氏電橋帶通濾波器拓撲，并將白熾燈、熱敏電阻器或jfet 電路作為
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正弦波 CMOS 數字合成器 放大器
CMOS問世比TTL較晚，但發展較快，大有后來者居上、趕超并取代之勢。
1.組成結構
CMOS電路是互補型金屬氧化物半導體電路的英文字頭縮寫。它由絕緣場效應晶體管組成。由于只有一種載流子，因而是一種單極型晶體管集成電路。其基本結構是一個N溝道MOS管和一個P溝道MOS管，如圖1所示。由于兩管柵極工作電壓極性相反，故將兩管柵極相連作為輸入端，兩個漏極相連作為輸出端，如圖1(a)所示，則兩管正好互為負載，處于互補工作狀態。
圖1 CMOS電路基本結構示意圖
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CMOS 邏輯門電路 邏輯電路
賽普拉斯宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同，這使得D-20攝像機在拍攝高清(HD)圖像時，能使用與35毫米膠片攝像機相同的定焦、變焦和特制鏡頭。最終的數字圖像與35毫米膠片的景深相同，同時允許電影制作人能將觀眾的注意力引導至畫面的特定部分，這種功能是一種極具創意價值的講述故事的手段。
OSCAR CMOS圖像傳感器賦予D-20攝像機以
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賽普拉斯 圖像傳感器 CMOS 音視頻技術
定制圖像器材成為ARRI公司ARRIFLEX D-20數字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀的核心 2007年12月26日，北京訊，—賽普拉斯半導體公司（紐交所代碼CY）于近日宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同，這使得D-20攝像機在拍攝高清（HD）圖像時，能使用與35毫米膠片攝像機相同的定焦、變焦和特制鏡頭。
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賽普拉斯 CMOS 圖像傳感器 視頻 傳感器
近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術受到廣泛的關注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術上所限難以實現，而多采用中頻采樣的方法。而對于百兆赫茲的射頻段，可以直接射頻帶通采樣，這就要求采樣系統有高的分辨率，而且其Nyquist頻率要求比較高。本文設計的用于軟件無線電臺12 b A/D轉換器中的高精度，高速運算放大器，采用了增益提高電路，在不影響頻率響應的同時，得到普通運放所達不到的高增益。
1 高精度，高速度
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模擬技術 電源技術 軟件無線電 CMOS 放大器 放大器
低壓差線性穩壓器(LDO)長期以來被認為是低性能的廉價器件，尤其是在與相對復雜的開關穩壓器相比時更是這樣，不過，性能提高已經給簡單和不顯眼的LDO 注入了新的活力。電源設計師正在從LDO性能的以下改進中獲益。
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模擬技術 電源技術 NPN PNP LDO 模擬IC 電源
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 擴大了 RS422/RS485 收發器產品系列，推出為高溫應用設計的“H 級”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的擴展工作溫度范圍以及這些應用傳統上所需的屬性。這些新溫度級器件拓寬了凌力爾特公司業界標準低功率 CMOS 收發器產品線，有助于在汽車應用中常見的嚴酷環境條件下確保可靠數據傳輸。
凌力爾特公司的 LTC285xH 系列收發器有多種選擇。精選版本具有轉換率限制，同時其它版本具有接
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模擬技術 電源技術 凌力爾特 RS422 CMOS
意法半導體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術的功能芯片。這項先端技術對于下一代無線局域網(WLAN)應用產品至關重要。
這些系統級芯片(SoC)是在ST的法國Crolles 300mm 晶圓生產線制造的，原型產品集成了從初級RF信號檢測到下一步信號處理需要的數字數據輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數轉換器和濾波器都工作在1.1V下，整個電路僅占用0.45mm2)。
ST的半導體成就歸功于公司開發CM
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嵌入式系統 單片機 意法半導體 45nm CMOS EDA IC設計
2007年12月10日，意法半導體宣布成功地推出第一批采用CMOS45nm射頻制造技術的功能芯片。
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ST CMOS 45nm 射頻
討論了集成電路設計中多晶硅條電阻、MOS管電阻和電容電阻等3種電阻器的實現方法，論述了他們各自的優點、缺點及其不同的作用
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CMOS 集成電路設計 電阻 設計方法
本文設計了一個基于數字CMOS工藝的以有源電感為負載的寬帶低噪聲放大器，其中包括了級聯型有源電感的優化設計。
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CMOS LNA 有源電感 負載
奧地利微電子公司推出 AS1358/59/61/62 系列，擴展其低壓降穩壓器 (LDO) 產品線。優化后的系列可在1kHz典型條件下實現低于9µVRMS和高達92dB PSRR 的突出噪聲性能。奧地利微電子利用新產品系列為市場提供了同類產品中最高性能的 LDO 產品。
AS1358/59/61/62 系列可在 2V 至 5.5V電源下工作，是雙節或三節標準電池以及單節鋰電池供電應用的理想 LDO。這些新型超低噪聲 IC 在 150mA 時的低壓降電壓為 70mV，在300mA 時為
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模擬技術 電源技術 奧地利微電子 穩壓器 LDO 電源
1 引 言
利用高速線掃描攝像機進行監控，具有在線監控、高精度和高速度的特點[1，2]，一般常見的線掃描攝像機，感光器上的每個像素在進行動態掃描時，每次僅對移動中的物體做一次曝光，而時間延遲積分(TDI)電路具備較多且有效的積分時間，從而增強信號的輸出強度。目前，TDI技術的研究多局限于CCD工藝。CCD器件是實現TDI的理想器件，它能夠實現無噪聲的電荷累加[3～5]，但傳統CCD圖像傳感器技術存在驅動電路和信號處理電路難與CCD成像陣列單片集成，需要較高的工作電壓，不能與深亞微米超大規模集成電
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模擬技術 電源技術 TDI CMOS 圖像傳感器 傳感器 執行器
0 引 言 帶隙基準是所有基準電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關的突出優點，所以被廣泛地應用于高精度的比較器、A/D或D/A轉換器、LDO穩壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準的主要作用是在集成電路中提供穩定的參考電壓或參考電流，這就要求基準對電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。 本文結合工程實際的要求設計了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動的CMOS帶隙基準源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標準CMOS工藝模型庫進行仿真，HSPICE
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軟啟動 CMOS 帶隙基準 電源 模擬IC 電源
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