電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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LDO 線性穩壓 電源管理 轉換開關 安森美
傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率，可滿足印刷、掃描和成像外圍設備的廣泛要求。 AMIS宣布首個2400dpi CMOS圖像傳感器現已投放市場。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇，同時還可降低掃描儀、支票閱讀機、辦公自動化設備、打印機和其它基于成像的外圍設備在操作時的功耗和噪音。 新的傳感器以AMI&nb
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2400dpi AMIS CMOS 圖像傳感器 消費電子 消費電子
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LDO
本文將對超低功耗電路設計原則進行分析，并就怎樣設計成超低功耗的產品作一些論述，從而證明了這種電路在電路結 ...
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CMOS TTL 單片機
引言
隨著移動通信技術的發展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標準CMOS工藝實現壓控振蕩器(VCO)，是實現RF CMOS集成收發機的關鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變容二極管作為壓控器件，然而在用實際工藝實現電路時，會發現變容二極管的品質因數通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實現的器件來代替一般的變容二極管，MOS變容管便應運而生了。
MOS變容管
將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個簡單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
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CMOS RF專題 電源技術 模擬技術 射頻 振蕩器
集成多路模擬開關（以下簡稱多路開關）是自動數據采集、程控增益放大等重要技術領域的常用器件，其實際使用性能的優劣對系統的嚴謹和可靠性重要影響。 關于多路開關的應用技術，些文獻上介紹有兩點不足：一是對器件自身介紹較多，而對器件與相關電路的合理搭配與協調介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開關的種類，注意多路開關與相關電路的合理搭配與協調，保證各電路單元有合適的工作狀態，才能充分發揮多路開關的性能，甚至彌補某性能指標的欠缺，收到預期的效果。本文從應用
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CMOS 電源技術 放大器 模擬技術 模擬開關
——全新高性能ADF7021可滿足AMR、無線家庭自動化和多種無線連接應用要求， 提供比同類產品提高7dB靈敏度，最低發射器功耗電流和最少外部元件。 美國模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市（Norwood, Mass.）發布推出ADF7021窄帶收發器集成電路（IC）擴展了其業界領先的射頻（RF）IC產品種類。ADF7021適合于工作在80 MHz～650 MHz和862 MHz～940 MHz多個頻帶。ADF7021完全符合歐洲ETSI-300
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ADI CMOS IC 單片機 電源技術 工業控制 接收器 靈敏度 模擬技術 嵌入式系統 收發器 亞吉赫茲窄帶 工業控制
本文介紹了一種具有排序及跟蹤功能的低壓差（LDO）線性穩壓器IC及其應用電路，它就是MICREL公司最近推出的MIC68200。
主要特點
MIC68200是一種低壓差線性穩壓器IC。該IC主要特點：有輸出固定電壓（1.2V、1.5V、1.8V等固定電壓）及輸出電壓可設定的品種；多個MIC68200可組成主、從電源系統，實現主、從電源輸出電壓的排序及跟蹤的要求；輸入電壓范圍1.65～5.5V；輸出可設定的電壓范圍0.5～5.0V；輸出固定電壓的電壓精度典型值為
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LDO MIC68200 MLF封裝 電源技術 模擬技術 封裝
穩定的陶瓷輸出電容器（LDO）可進一步降低設計成本，并縮小占板空間 Microchip Technology（美國微芯科技公司）日前推出業界首個集關斷、電源正常指示、可編程的電源正常指示延遲和綁定線補償等功能于一體的單芯片1.5A LDO。MCP1727是一種高效的低功耗LDO，在一個小型散熱封裝（8引腳SOIC或3 mm x 3 mm DFN）中可提供高輸出電流和低輸出電壓。憑借以上特性，MCP1727成為各種高性能嵌入式處理器和新一
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LDO Microchip 單片機 嵌入式 嵌入式系統 微處理器
Microchip Technology日前推出業界首個集關斷、電源正常指示、可編程的電源正常指示延遲和綁定線補償等功能于一體的單芯片1.5A LDO。MCP1727是一種高效的低功耗LDO，在一個小型散熱封裝（8引腳SOIC或3 mm x 3 mm DFN）中可提供高輸出電流和低輸出電壓。憑借以上特性，MCP1727成為各種高性能嵌入式處理器和新一代邏輯內核的理想選擇。 在小尺寸工藝技術的推
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LDO Microchip 綁定線補償 單片機 工業控制 嵌入式系統 通訊 網絡 無線 芯片 工業控制
本文分析了影響對稱式射頻收/發開關性能的因素，包括柵寬、導通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC 0.35m CMOS工藝進行設計和實現。
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設計 開關 對稱 CMOS 集成
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