cmos-ldo 文章 最新資訊
小型的簡單PWM降壓控制器可以代替高電流LDO
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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應(yīng)用指南:帶外部旁路控制的智能LDO調(diào)節(jié)器
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富鼎先進(jìn)推出新款300mA LDO APE8800A
- 富鼎先進(jìn)(APEC)推出一款高性能300mA低壓降線性穩(wěn)壓器APE8800A。該款芯片具有極低壓降(250mV@300mA),極低的靜態(tài)電流(30uA)、低噪音、高穩(wěn)定性及高PSRR值(60dB@120Hz)LDO電路,除適用于使用電池電源系統(tǒng)(BatteryPowerSystem)及數(shù)碼相機(DSC)、LCDModule、卡片閱讀機(CardReader)、個人數(shù)字處理機(PDA)、通訊產(chǎn)品和無線裝置的產(chǎn)品(WirelessDevice),也可廣泛應(yīng)用于一般電子產(chǎn)品
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Vishay推出兩種新系列4Ω四通道SPST CMOS模擬開關(guān)
- 日前,Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開關(guān),這些器件將高開關(guān)速度與高信號帶寬進(jìn)行了完美結(jié)合,可用于眾多開關(guān)應(yīng)用,其中包括音頻、視頻、數(shù)據(jù)及電源。 Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個可獨立選擇的 44V SPST 開關(guān),每個均具有 4Ω 的典型導(dǎo)通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度,這兩個參數(shù)是低失真音頻信號開關(guān)的理想?yún)?shù)。 所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
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凌力爾特推出 1.1A 3 端子 LDO LT3080
- 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)推出 1.1A 3 端子 LDO LT3080,該器件可以輕松并聯(lián)以散布熱量,并可用單個電阻器調(diào)節(jié)。這種新型架構(gòu)穩(wěn)壓器采用電流基準(zhǔn),允許以一小段印刷電路板布線作為鎮(zhèn)流器和共用多個穩(wěn)壓器的電流,從而在所有沒有散熱器的表面貼裝系統(tǒng)中實現(xiàn)多重放大線性調(diào)節(jié)。 LT3080 沒有任何折衷地實現(xiàn)了高性能。該器件具有 1.2V 至 40V 的寬輸入電壓能力,滿負(fù)載時低壓差電壓僅為 300mV。輸出電壓是可調(diào)的,具有 0V 至 40V 的
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Sipex發(fā)布創(chuàng)新的無旁路電容低噪LDO-SP6260
- 日前,Sipex公司發(fā)布SP6260,一個用來為射頻系統(tǒng)供電的低噪LDO,該裝置用一個簡單的創(chuàng)新電路而不必使用旁路電容,適用于低輸出噪聲要求的應(yīng)用,如手機和便攜式設(shè)備。 SP6260在沒有必要的旁路電容時產(chǎn)生最小輸出噪聲30uvm為(10kHz-100khz),使其成為對電路板空間的要求最小的LDO穩(wěn)壓器。其最小壓差為150mv@ 100mA,關(guān)閉電流0.1uA,而靜態(tài)電流僅為25uA,從而最大化電池壽命。 此外,SP6260還具有出色的70dB的電源抑制比,進(jìn)而隔絕與其它應(yīng)用電路間的噪聲
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Sipex發(fā)布新型無旁路電容低噪LDO
- Sipex公司公布SP6260,一個用來為射頻系統(tǒng)供電的低噪LDO,該裝置用一個簡單的創(chuàng)新電路而不必使用旁路電容,適用于低輸出噪聲要求的應(yīng)用,如手機和便攜式設(shè)備。 SP6260在沒有必要的旁路電容時產(chǎn)生最小輸出噪聲30uvm為(10kHz-100khz),使其成為對電路板空間的要求最小的LDO穩(wěn)壓器。其最小壓差為150mv@ 100mA,關(guān)閉電流0.1uA,而靜態(tài)電流僅為25uA,從而最大化電池壽命。 此外,SP6260還具有出色的70dB的電源抑制比,進(jìn)而隔絕與其它應(yīng)用電路間的噪聲干擾
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) LDO Sipex 電容器
面向高要求應(yīng)用的先進(jìn)技術(shù)和新型LDO功能
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶提供全套解決方案
- 富士通微電子(上海)有限公司近日宣布,富士通株式會社、富士通微電子美國公司(FMA)以及捷智技術(shù)公司的全資子公司捷智半導(dǎo)體公司(Jazz)將合作生產(chǎn)用于RF CMOS設(shè)備的片上系統(tǒng)(SoC)產(chǎn)品。根據(jù)各方簽署的協(xié)議備忘錄,此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號專業(yè)技術(shù)與富士通處于領(lǐng)先地位的90nm 及65nm生產(chǎn)技術(shù)相結(jié)合,使兩家公司能夠為SoC客戶提供高性能的客戶自有工具(COT)代工服務(wù)。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進(jìn)的90nm 及65nm低漏電LSI生產(chǎn)工藝,提供給捷智高精度的RF模型
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低電壓CMOS運算放大器輸入級的研究
- 近年來,電子產(chǎn)品不斷向小型化和便攜式方向發(fā)展,需要低電壓、低功耗的集成電路,以延長電池的使用壽命。CMOS技術(shù)可以將包括數(shù)字電路和模擬電路的整個系統(tǒng)同時封裝和制造在一個芯片上。因此,低電壓、低功耗的要求,不僅是對數(shù)字集成電路,也同樣針對于模擬集成電路。由于數(shù)字集成電路工作在開關(guān)狀態(tài),通過合理減小電路尺寸,不難滿足其要求。但是,對于模擬集成電路,由于場效應(yīng)管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降,如果采用低電壓供電,將使輸出范圍大大減小,輸出電流的信噪比(S/N)減小,共模抑制比(CMRR)降
- 關(guān)鍵字: CMOS 低電壓 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 運算放大器 模擬IC 電源
高效電荷泵,將5V電壓轉(zhuǎn)換為3.3V
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一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路
- 在DC-DC電源管理芯片中,電壓的穩(wěn)定尤為重要,因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路,為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性,欠壓鎖定電路同樣十分重要。 傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡單、實用,但忽略了欠壓鎖定電路的功耗,使系統(tǒng)在正常工作時,仍然有較大的靜態(tài)功耗,這樣就降低了電源的效率,并且無效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān),影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路,本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路,并通過HSPICE仿真。此電
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cmos-ldo介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對cmos-ldo的理解,并與今后在此搜索cmos-ldo的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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