CMOS工藝具有價格便宜、集成度高、功耗低的特點。隨著CMOS工藝的發展，器件特征頻率大幅提高，采用CMOS工藝實現超高速集成電路成為可能。本文給出了使用CMOS工藝設計的單片集成超高速4：1復接器。
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0.18 CMOS 超高速 復接器
凌力爾特公司（Linear Technology Corporation）推出 1.1A 3 端子 LDO LT3080，該器件可以輕松并聯以散布熱量，并可用單個電阻器調節。這種新型架構穩壓器采用電流基準，允許以一小段印刷電路板布線作為鎮流器和共用多個穩壓器的電流，從而在所有沒有散熱器的表面貼裝系統中實現多重放大線性調節。
LT3080 沒有任何折衷地實現了高性能。該器件具有 1.2V 至 40V 的寬輸入電壓能力，滿負載時低壓差電壓僅為 300mV。輸出電壓是可調的，具有 0V 至 40V 的
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凌力爾特 LDO LT3080 計量標準儀器 傳感器
日前，Sipex公司發布SP6260，一個用來為射頻系統供電的低噪LDO，該裝置用一個簡單的創新電路而不必使用旁路電容，適用于低輸出噪聲要求的應用，如手機和便攜式設備。
SP6260在沒有必要的旁路電容時產生最小輸出噪聲30uvm為(10kHz-100khz)，使其成為對電路板空間的要求最小的LDO穩壓器。其最小壓差為150mv@ 100mA,關閉電流0.1uA，而靜態電流僅為25uA，從而最大化電池壽命。
此外,SP6260還具有出色的70dB的電源抑制比，進而隔絕與其它應用電路間的噪聲
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模擬技術 電源技術 Sipex LDO SP6260 電容器
Sipex公司公布SP6260，一個用來為射頻系統供電的低噪LDO，該裝置用一個簡單的創新電路而不必使用旁路電容，適用于低輸出噪聲要求的應用，如手機和便攜式設備。 SP6260在沒有必要的旁路電容時產生最小輸出噪聲30uvm為(10kHz-100khz)，使其成為對電路板空間的要求最小的LDO穩壓器。其最小壓差為150mv@ 100mA,關閉電流0.1uA，而靜態電流僅為25uA，從而最大化電池壽命。 此外,SP6260還具有出色的70dB的電源抑制比，進而隔絕與其它應用電路間的噪聲干擾
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模擬技術 電源技術 LDO Sipex 電容器
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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LDO 美國國家半導體
富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式會社、富士通微電子美國公司（FMA）以及捷智技術公司的全資子公司捷智半導體公司（Jazz）將合作生產用于RF CMOS設備的片上系統（SoC）產品。根據各方簽署的協議備忘錄，此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號專業技術與富士通處于領先地位的90nm 及65nm生產技術相結合，使兩家公司能夠為SoC客戶提供高性能的客戶自有工具（COT）代工服務。此次聯合將使富士通能夠利用其自身先進的90nm 及65nm低漏電LSI生產工藝，提供給捷智高精度的RF模型
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65nm 90nm CMOS RF 代工 富士通 捷智
近年來，電子產品不斷向小型化和便攜式方向發展，需要低電壓、低功耗的集成電路，以延長電池的使用壽命。CMOS技術可以將包括數字電路和模擬電路的整個系統同時封裝和制造在一個芯片上。因此，低電壓、低功耗的要求，不僅是對數字集成電路，也同樣針對于模擬集成電路。由于數字集成電路工作在開關狀態，通過合理減小電路尺寸，不難滿足其要求。但是，對于模擬集成電路，由于場效應管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降，如果采用低電壓供電，將使輸出范圍大大減小，輸出電流的信噪比(S/N)減小，共模抑制比(CMRR)降
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CMOS 低電壓 電源技術 模擬技術 運算放大器 模擬IC 電源
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LDO 德州儀器
凌力爾特公司（Linear Technology Corporation）推出微功率 LDO LT3009，該器件具有僅為 3uA 的超低靜態電流。LT3009 還具有僅為 280mV 的低壓差，提供高達 20mA 的輸出電流，并具有 1.6V 至 20V 的寬 VIN 范圍和 0.6V 至 19.5V 的可調輸出。在整個電壓、負載和溫度范圍內，輸出容限嚴格調節在
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LDO LT3009 電源技術 凌力爾特 模擬技術
在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩定尤為重要，因此需要在芯片內部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。
傳統的欠壓鎖定電路要求簡單、實用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統在正常工作時，仍然有較大的靜態功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無效的功耗增加了芯片散熱系統的負擔，影響系統的穩定性。
基于傳統的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態功耗欠壓鎖定電路，并通過HSPICE仿真。此電
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CMOS 電源技術 模擬技術 鎖定電路
目前，傳統的電荷耦合設備（CCD）圖像傳感器技術已不能滿足工業及專業圖像抓取（image capture）應用的需要。基于標準CMOS技術的新型圖像傳感器技術以其高度靈活性、出色的靜態和動態特性以及在各種系統環境下表現出的易集成性在醫用電子產品行業中開創出了一個全新領域，為用戶提供了更多選擇。 從CCD到CMOS：大勢所趨 在過去三十年左右的時間里，CCD技術一直被用于圖像轉換。CCD是一種成熟的技術，能夠在低噪聲的前提下提供優質圖像，作為電荷耦合器件在像素間完成圖像數據的串行傳輸。為
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CMOS 單片機 嵌入式系統 圖形傳感器 醫療 醫療電子
過去，由于缺乏低成本系統部件，或因全息多路技術過于復雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數據存儲產品的開發受到限制。現在，已經進入消費類屏幕市場的數字微鏡設備以及用于高速機器視覺應用、基于CMOS的有源像素探測器陣列將使這種狀況得以改觀。舉例來說，由于微鏡設備可被有效地用作空間光調制器（spatial light modulator），因此高速CMOS成像器可用來讀取全息媒體中包含的數字數據。 在傳統光學存儲設備中，數
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CMOS 成像器 單片機 嵌入式系統 數據檢索
摘要: 本文以使用標準CMOS技術和有源像素架構的CMOS有源像素傳感器為研究對象。該傳感器專為X射線成像系統而設計，具有噪聲低和感光度高等特點。這種傳感器已使用標準0.35μm技術和8″晶圓得到生產。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對角長度略大于190mm。本文對傳感器的圖紙設計、拼接圖和已得到開發的電子光學性能進行了論述。 &nbs
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CMOS X射線 電源技術 晶圓級 模擬技術 圖像傳感器 有源像素 其他IC 制程 設備診斷類
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LDO TPS7510x 德州儀器
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