- Analog Devices, Inc.(http://www.analog.com/zh )，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，今天宣布針對中國市場發布全新的低成本、高速 CMOS 運算放大器 ADA489系列。與其它供應商提供的產品相比，ADA4891系列能夠幫助設計師以更低的成本和更低的功耗實現同樣的高速性能。與此同時，ADI 在高速運算放大器產品領域的行業絕對領導地位以及對于中國市場的長期承諾和投入，也確保了中國客戶能夠得到業界最好的質量保證和技術支持。針對中國市場的需求，ADI 還將彌
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ADI CMOS 運算放大器 ADA489
- 在2010年2月10日召開的國際固態電子電路大會上，IMEC、株式會社瑞薩科技(以下簡稱瑞薩)、M4S聯手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數據轉換器電路的完整收發器。這款完全可重配置的收發器符合各種無線標準和應用要求，并且符合即將推出的移動寬帶3GPP-LTE標準。
可隨時隨地為用戶提供大量服務的無線通信終端發展趨勢，推動了利用深亞微米CMOS工藝制造而成的可重配置無線電的發展。就3GPP-LTE標準自身非常靈活的特性而言，可重配置無線電就成為其最經濟的實現方式。并
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瑞薩 40nm CMOS 無線收發器
- 愛爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學家最近宣稱他們成功制出了業內首款非節型晶體管，并稱此項發明對10nm級別制程意義重大，可大大簡化晶體管的制造工藝復雜 程度。這種晶體管采用類似Finfet的結構，將晶體管的柵極制成婚戒型的結構，并在柵極中心制出硅質溝道，溝道的尺寸僅有數十個原子的直徑加起來那么大。
該研發團隊是由Jean-Pierre Colinge教授領導的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態，而且還具備漏電電流小，門限電壓低以及耐溫性好的優點，而且還可以兼容于CMOS工藝。
硅溝道中的電
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晶體管 CMOS
- 作為中國大陸第一大CMOS圖像傳感器設計公司的格科微電子于日前宣布該公司在其晶圓伙伴中芯國際集成電路制造有限公司量產的CMOS圖像傳感器8吋晶圓產品出貨達到10萬片的新里程碑。
牋牋作為大陸地區首家涉足CMOS圖像傳感器領域并取得成功的專業CMOS圖像傳感器設計公司，格科微擁有創新的CMOS圖像傳感器核心技術。格科微的CMOS圖像傳感器產品具有尺寸小，功耗低，成本低，產品圖像品質好等特點。除此之外具有色彩校正，噪音消除，圖像大小調整等功能。其晶圓伙伴中芯國際生產格科微圖像傳感器產品采用的0.15
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格科微 CMOS 圖像傳感器
- 三星電子(Samsung Electronics)再度出手，繼2009年下半首度大幅擴充產能外，2010年將首度啟動擴充產能機制，預計將再新增1座8寸晶圓廠，全數用于投產CMOS影像傳感器。
據了解，三星原本已在韓國共有2座8寸廠、1座12寸廠用于投產CMOS影像傳感器，2座8寸晶圓廠月產能共4萬~4.5萬片，12寸廠月產能2萬~2.5 萬片，2009年下半為滿足客戶龐大需求，已先行在2座8寸晶圓廠內每月再新增1.2萬~2萬片產能，不過即便如此，似乎仍無法滿足客戶需求。
據了解，新的8寸晶
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Samsung CMOS 晶圓
- 隨著筆記本電腦、手機、PDA 等移動設備的普及,對應各種電池電源使用的集成電路的開發越來越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線性穩壓器由于具有結構簡單、成本低廉、低噪聲、
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設計 穩壓器 線性 CMOS 超低
- 焊接絕緣柵（或雙柵）場效應管以及CMOS集成塊時，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會感應靜電高壓，導致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應管。
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CMOS 焊 場效應管 集成電路
- CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現光電轉換后，以電荷的方
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傳感器 對比 圖像 CCD CMOS 監控
- CCD（ChargeCoupledDevice）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOSImageSensor以下簡稱CIS）的主要...
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CMOS 圖像傳感器 CCD 圖像傳感器 CIS
- 威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，這是USB3.0技術時代業內首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。
USB3.0(即超速USB)的最大數據傳輸速度可達5Gbps，是現有USB2.0設備傳輸速度的10倍;此外，該技術還能提高外部設備與主機控制器之間的互動功能，包括能耗管理上的重要改進。
VIA VL810由威盛集團全資子公司VIA Labs研發，它實現在一個USB接口上連接多個設備從而擴展了計算機的USB性能。一個輸出接口及四個輸入接口不僅支持高
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威盛 USB3.0 CMOS
- 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構RAM模塊的一種設計方法,1. 引言
對于需要大的片上存儲器的各種不同的應用，FPGA 需要提供可重構且可串聯的存儲器陣列。通過不同的配置選擇，嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達到位寬或字深的擴展并且可以作為單端口，雙端口
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RAM 重構 模塊 設計 方法 FPGA 平臺 0.13 微米 CMOS 工藝
- 0 引 言
隨著集成電路技術的廣泛應用及集成度的不斷增加，超大規模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內部的溫度不斷提高，溫度保護電路已經成為了眾多芯片設計中必不可少的一部分。本文在CSMC 0．5／μm CMOS工藝下，
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電路 保護 溫度 CMOS 功能
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