簡介：大部分的ESD電流來自電路外部，因此ESD保護電路一般設計在PAD旁，I/O電路內部。典型的I/O電路由輸出驅動和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導入芯片內部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線，再由電壓線分布到芯片各個管腳，降低ESD的影響。
引言
靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來越薄，芯片的面
關鍵字：
CMOS ESD
簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結!希望大家堅持下去!
1、CS單管放大電路
共源級單管放大電路主要用于實現輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態工作點，而根據MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態工作點具有較寬的動態范圍，主要表現為MOS管在飽和區的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區可以完全表現線性特性，并且實現信號的最大限度放大【理想條件下】
關鍵字：
CMOS MOSFET
簡介：CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經常遇到這樣一個問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩定的工作?本文給出了解決這個問題的方法，供大家參考。
CMOS門電路
CMOS門電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態下，柵極無電流，所以靜態時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下
關鍵字：
CMOS TTL
簡介：本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區別以及使用注意事項等內容。
TTL：雙極型器件，一般電源電壓 5V，速度快(數ns)，功耗大(mA級)，負載力大，不用端多數不用處理。
CMOS：單級器件，一般電源電壓 15V，速度慢(幾百ns)，功耗低，省電(uA級)，負載力小，不用端必須處理。
CMOS 和 TTL 電平的主要區別在于輸入轉換電平。
CMOS：它的轉換電平是電源電壓的 1/2，因為 CMOS 的輸入時互補的，保證了轉換電平是電源電壓的 1/2。
TTL：
關鍵字：
TTL CMOS
一、CMOS門電路
CMOS 門電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態下，柵極無電流，所以靜態時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下方法：
1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就為低電平，只有全部為高電平時，輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
關鍵字：
CMOS TTL
簡介：繼續把我在學習數字電路過程中的一些“細枝末節”小結一下，和大家共享。
1、在數字電路中，BJT一般工作在截止區或飽和區，放大區的經歷只是一個轉瞬即逝的過程，這個過程越長，說明它的動態性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區或可變電阻區，恒流區的經歷只是一個非常短暫的過程。因為我們需要的是確切的0、1值，不能過于“含糊”，否則數字系統內門電路之間的抗干擾性能會大打折扣!
2、數字IC內部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯起來，這樣
關鍵字：
CMOS BJT
1、CS單管放大電路
共源級單管放大電路主要用于實現輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態工作點，而根據MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態工作點具有較寬的動態范圍，主要表現為MOS管在飽和區的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區可以完全表現線性特性，并且實現信號的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態工作點約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
關鍵字：
CMOS 電路
這一年來半導體最熱門的新聞，大概就屬FinFET了，到底什么是FinFET?它的作用是什么?為什么讓這么多國際大廠趨之若騖呢?
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FinFET ARM
鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯網和穿戴式裝置發展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發相關的蝕刻機臺和磊晶技術。
應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸指出，隨著先進制程發展，該公司產品開發有兩大重點方向，一是電晶體與導線技術，另一個是圖形制作與檢測技術。
應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發展至16/14奈
關鍵字：
FinFET 3D NAND
簡介：本文總結了TTL和CMOS電平的特點、使用方式等內容 。
1，TTL電平(什么是TTL電平)：
輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。
特點：
1.CMOS是場效應管構成，TTL為雙極晶體管構成
2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高
關鍵字：
TTL CMOS
微機電(MEMS)/奈米技術/半導體晶圓接合暨微影技術設備廠商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統目前市場需求殷切，在過去12個月以來，EVG晶圓接合系列產品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來自于晶圓代工廠以及總部設置于亞洲的半導體封測廠(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進封裝應用挹注，制造端正加速生產CMOS影像感測器及結合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術的垂直
關鍵字：
CMOS 3D-IC
CMOS影像傳感器迎向新一波成長。市調機構IC Insights指出，繼手機之后，汽車、醫療影像、安全監控、機器視覺等應用，將接棒成為驅動CMOS影像傳感器市場成長的新動能。
2015年全球CMOS影像傳感器出貨量與銷售額預估將分別創下三十七億顆和101億美元新高紀錄，并可望于2019年達到六十億顆及150億美元的規模。
關鍵字：
CMOS 傳感器
這視頻介紹PYTHON 5000 CMOS圖像傳感器的特性。 新的PYTHON 2000 和 PYTHON 5000，分辨率分別為230萬像素和530萬像素，解決通用工業圖像傳感應用的需求，如機器視覺、檢查及運動監控，以及安防、監控和智能交通系統(ITS)
關鍵字：
Python CMOS
全球領先的高性能模擬IC和傳感器供應商ams晶圓代工業務部今日宣布拓展其0.35µm CMOS光電子IC晶圓制造平臺，幫助芯片設計者實現更高靈敏度、精確度以及更好的光濾波器性能。
該平臺是ams“More than Silicon”計劃中的另一項拓展，通過該平臺ams可以提供一系列技術模塊、知識產權、元件庫、工程咨詢及服務，利用其專業技術幫助客戶順利開發先進的模擬和混合信號電路。
ams專有的光電子晶圓代工平臺基于先進的0.35µm CMOS
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ams CMOS
日本調查公司Techno Systems Research Co. Ltd發布了CCM行業的研究報告，在該份報告中，全球CMOS芯片的市場占比和排名情況。
從上圖可以看出：
Sony(索尼)：2014年下半年占23%，2015年上半年占比為28%，銷量上升強勁，穩居全球CMOS市場銷售之龍頭;近日，索尼公布第2季度圖像傳感器收入暴增61.7%，達1260億日元。索尼預計全年達到5800億日元，幾乎是第二名的3倍。索尼在CMOS市場上走強，得益于它在高像素領域的技
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索尼 CMOS
cmos finfet介紹
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