ATmega16是基于增強的AVR RISC結構的低功耗8 位CMOS微控制器。由于其先進的指令集以及單時鐘周期指令執行時間，ATmega16 的數據吞吐率高達1 MIPS/MHz，從而可以減緩系統在功耗和處理速度之間的矛盾。本文將基于ATmega16的經典設計方案匯總，供大家參考。
采用ATMEGA16單片機設計的兩輪自平衡電動車
本文采用AVR Atmega16芯片作為主控制芯片，設計制作了兩輪的自平衡電動車。文中分析了測量角度和角速度傳感器的選擇，利用PID控制算法控制自平衡車的平衡
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CMOS PWM
根據市調公司Yole Developpement表示，隨著CMOS影像感測器在汽車應用的快速攀升，提高了對于從智慧型手機崛起轉型而來的市場成長率預期。從2014年至 2020年，全球 CMOS 影像感測器市場預計將以10.6%的年復合成長率(CAGR)成長，在2020年時達到162億美元的市場規模。
2013～2014年全球CMOS影像感測器生態系統經營模式變化(來源：Yole Developpement)
這表示該市場在2014年約有88.5億的市場價值，并且
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CMOS 傳感器
光學在半導體、電子、資通訊產業的運用相當廣泛，例如光電半導體的LED可做為燈號、照明;光電半導體的CCD、CMOS影像感測器可做數位相機、數位監控，光機電微系統的DMD可做投影機;光電晶體、耦合器用于自動控制等。
或者是光儲存，如BD藍光光碟片;或者是光通訊，如FTTH光纖到府寬頻，而光通訊實際上又分成有線與無線，有線如光纖到府，即xPON的各種被動式光學網路;或者是大企業的資訊機房、資料中心內所用的儲存區域網路SAN;消費性電子領域，如過去Sony MD用的光學S/
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光通訊 CCD CMOS
ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴重的失效機理之一，嚴重的會造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護的必要性，研究了在CMOS電路中ESD保護結構的設計原理，分析了該結構對版圖的相關要求，重點討論了在I/O電路中ESD保護結構的設計要求。
1 引言
靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來越薄，芯片的面積規模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的
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ESD CMOS
在當前圖像傳感器市場，CMOS傳感器以其低廉的價格得到越來越多消費者的青睞。在目前的應用中，多數采用軟件進行數據的讀取，但是這樣無疑會浪費指令周期，并且對于高速器件，采用軟件讀取在程序設計上、在時間配合上有一定的難度。因此，為了采集數據量大的圖像信號，本文設計一個以CPLD為核心的圖像采集系統，實現了對OV7110CMOS圖像傳感器的高速讀取，其讀取速率可達8 Mb/s。
1、硬件電路方案
圖1為基于CPLD的OV7110CMOS圖像傳感器的高速數據采集系統原理框圖，他主要由2個部分組成：
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CPLD CMOS OV7110
引言
但是，目前市場上的大部分基于CMOS圖像傳感器的圖像采集系統都是采用DSP與圖像傳感器相連，由DSP來控制圖像傳感器，然后由DSP采集到圖像后再通過USB接口將圖像數據傳輸到PC機進行后續的處理。這樣的圖像采集系統成本較高，功耗大，而且體積上也有一定的限制，并不適合一些簡單的應用。
本文設計了一種基于S3C2410的CMOS圖像傳感器數據采集系統。該系統成本更為低廉、結構更為簡單、設計更為新穎。
1 CMOS圖像傳感器結構性能及工作原理
該系統選用OmniVision公司
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ARM9 CMOS
金屬氧化物半導體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時起步的。CCD是應用在攝影攝像方面的高端技術元件，CMOS則應用于較低影像品質的產品中。由于CCD器件有光照靈敏度高、噪音低、像素小等優點，所以在過去15年里它一直主宰著圖像傳感器市場。與之相反，CMOS圖像傳感器過去存在著像素大，信噪比小，分辨率低這些缺點，一直無法和CCD技術抗衡。但
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CMOS 圖像傳感器
0 前言
織物上的疵點主要是由纖維上的花結引起的，計花器是紡織業中的一種常用設備，主要用于統計(或清除)紡錠上的花結，是確定纖維質量等級的主要依據。目前國產計花器主要有電容式和光電式兩種，精度較低，對高支纖維的處理較困難。本文提出利用CMOS圖像傳感器，進行纖維花結的感知，其精度可達0.02mm，完全可以滿足當前高支纖維的生產需要。
1 ME1010簡介
ME1010是一個使用方便的綜合圖像傳感器，由Microne公司采用專利結構開發，旨在使其更便于與計算機產品構成一個整體。不同于傳
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CMOS 圖像傳感器 ME1010
引言
CMOS圖像傳感器是近年來得到快速發展的一種新型固態圖像傳感器。它將圖像傳感部分和控制電路高度集成在同一芯片里，體積明顯減小、功耗也大大降低，滿足了對高度小型化、低功耗成像系統的要求。與傳統的CCD圖像傳感器相比，CMOS圖像傳感器還具有集成度高、控制簡單、價格低廉等諸多優點。因此隨著CMOS集成電路工藝的不斷進步和完善，CMOS圖像傳感器已經廣泛應用于各種通用圖像采集系統中。同時作為一種PC機與外圍設備間的高速通信接口，USB具有許多突出的有點：連接簡便，可熱插拔，無需定位及運行安裝程序
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USB CMOS
聯電積極擴充28奈米產能，預計今年中月產能可達2萬片，28奈米毛利率將達平均水準。此外，聯電已建置月產能約3,000片的14奈米生產線，預計第2季進行第2代14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)制程試產，若下半年客戶產品陸續完成設計定案(tape out)，明年將開始拉升產能進入量產階段。
聯電去年第4季28奈米投片大增，包括高通、聯發科等5家客戶晶片進入量產，并有逾10家客戶完成設計定案并展開試產，也讓28奈米占去年第4季營收比重正式突破5%。聯電已積極進行擴產，預估今年中可將28奈米月產能擴
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臺積電 三星 FinFET
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor) 推出新一代1,300萬像素(MP)圖像傳感器AR1335，擴充其寬廣的圖像產品系列。基于先進的1.1微米(μm)像素技術，AR1335確立了靈敏度新基準，量子效率 (QE) 和線性電位井容量也得以顯著提升。這圖像傳感器專為智能手機相機應用而設計，帶來近乎數碼相機的成像優質體驗，同時也針對移動設備優化了功耗和占板空間。
安森美半導體為高性能智能手機傳感器開發了創新的 1.1 μm像素技術，先進的像素和顏色濾波陣列 (CF
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安森美 CMOS 傳感器
剛剛過去的2014年，加速了全球物聯網的落地和普及，通過無線網絡進行連接已漸成主流。未來5年，全球將有超過500億個終端相互連接，進入一個全新的互聯網時代。
然而，在一直被視為“高資本行業”的整個芯片產業，射頻前端芯片作為移動網絡連接的關鍵部分，卻仍舊面臨著一些挑戰，技術良莠不齊的產業發展瓶頸亟待解決。
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RFaxis市場與應用工程副總裁錢永喜
據了解，目前射頻器件的主流制造材料是砷化鎵，射頻元件的成本較高，眾多廠商都希望尋找更高性價
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物聯網 射頻 CMOS
“硅是上帝送給人類的禮物，整個芯片業幾乎都拿到了這份禮物，無線通信領域應該盡快得到它。”RFaxis公司市場與應用工程副總裁錢永喜日前在接受媒體采訪時如是說。他認為傳統采用GaAs(砷化鎵)或SiGe(硅鍺)BiCMOS工藝制造RF射頻前端的時代“該結束”了，純CMOS工藝RF前端IC將在未來十年內主宰移動互聯網和物聯網時代。
業界對CMOS PA產品的熱情一直沒有減退。2014年6月，高通(Qualcomm)并購CMOS PA供應商Black S
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CMOS GaAs ZigBee
今年國內中低端智能手機的爆發對PA需求不斷放大。從第二季度開始，PA芯片市場便處于供貨緊張的狀態，5月下旬更出現斷貨問題，PA芯片供給缺口越來越大。集微網記者今天有幸采訪到國內射頻前端廠商中普微電子的CEO焦健堂先生，業內親切的稱呼他“焦叔“，聊聊中普微電子的現狀以及未來PA市場的發展前景。
2015年PA市場供貨吃緊狀態難解
PA(功率放大器)是手機中除主芯片外最重要的外圍元件之一，影響著手機的信號強度、通信質量以及基站效率。2G手機時代僅需要兩顆PA，而4G手機
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功率放大器 4G CMOS
0引言
心血管疾病日益嚴重地威脅著人類的生命，通過日常監護預先發現異常，及時施救，是對抗心血管疾病的重要手段。近年來一些便攜式的家用心電儀陸續誕生，滿足了心電參數快速采集的基本需求，改善了家庭護理條件。隨著計算機和互聯網技術的發展，遠程監護系統應運而生，遠程數據采集和分析對便攜式心電儀在信息可視化、數據記錄分析以及資源共享等方面提出了新的需求。
虛擬儀器是由計算機硬件資源、模塊化儀器硬件和用于數據分析、過程通訊及圖形用戶界面的軟件組成的測試系統。它以計算機作為統一的硬件平臺，把傳統儀器的專
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虛擬儀器 CMOS AD620
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