cmos digital image sensor 文章
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- 前言
單片無線電技術的飛速發展，小型CMOS圖像傳感器和數字攝像技術的改進，造就了新一代無線圖像傳感器，即一種小型化(體積不足一立方寸)、自主的、高集成的成像器一種能高效，經濟地感知環境，無線遙測圖像的傳感器。本文介紹的分布無線傳感器網絡用的成像器，可廣泛地應用于視頻監控，醫學與化學分析，貨物跟蹤以及倉庫控制等領域。
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圖像傳感器
市場上已有多種CCD與CMOS成像器和集成小型攝像機。雖然CCD有較高的信噪比，良好的圖像質量，但CMOS有可能SoC集成，工作電流小，是一
- 關鍵字：
傳感器 CMOS 無線
- 摘? 要：針對接收機前端中可變增益放大器需要高線性處理大信號的問題。分析了使用源極退化電阻以及跨導增強電路的放大器線性度；設計了使用改進型跨導增強電路的放大器。它具有更強的跨導增強能力，同時減小了輸入MOS管跨導由于漏源電壓變化產生的非線性失真。提出了一種對稱的可變電阻結構，它降低了MOS管開關帶來的非線性。仿真結果表明，放大器在3．3V電源電壓下直流功耗為1．5mW。在1～lOMHz帶寬、3～24dB增益范圍內，差分輸出信號峰峰值為3．3V時，總諧波失真低于-60dB。
關鍵詞：可變增益放大
- 關鍵字：
CMOS 可編程放大器
- 引言
運算放大器的高速性能主要靠兩個重要的參數來衡量，即大信號響應時間和小信號響應時間。大信號響應時間由擺率決定，小信號響應則由建立時間或單位增益帶寬來決定。提高運放速度的方法有多種多樣[1][2][3]，折疊式運算放大器有功耗較大，折疊點處寄生電容高等缺點[1]；采用套筒式運放結構，如果采用二階結構，則會造成較大的功耗，采用一階結構則會限制差分輸出擺幅[2]；反饋結構放大器也存在問題，一是匹配問題不易實現，二是電路的輸出跨導受輸出信號的影響較大[3]。
本文介紹的典型基本二級運算放大器具
- 關鍵字：
CMOS 運算放大器
- 近年來，隨著CMOS成像傳感器和Flash存儲器等產品價格的日益下降，對于成像和視頻技術感興趣的消費者數量在不斷增加。在不久的將來，視頻將在汽車環境中的安全性應用方面創造價值，目的在于使我們行駛的路面和駕駛的汽車都更加安全。
豪華汽車中已經出現防撞系統，可以借助環繞在汽車周圍的多角攝像機，監視預定范圍內各種物體對車體的靠近情況。在惡劣的環境中，將這些遠程攝像機與用于實時分析每個圖片的集中視頻處理器相連接，會產生非常實際的問題，尤其是在各個攝像機可能生成16位或更高的視頻信息以及多個控制信號的情況
- 關鍵字：
CMOS
- ????? 據報道，佛羅里達州大學以及半導體研究公司(SRC)在開發基于CMOS工藝技術的汽車雷達集成電路上以及取得進展。
????? 現有的雷達芯片由昂貴的材料制成，如砷化鎵(GaAs)以及磷化銦(InP)。據研究人員透露，用于制造汽車雷達的電子電路價值幾百美元。
????? 新型的基于硅片的雷達芯片可能只要10美元就能制造出來，據佛羅里達大學以及SR
- 關鍵字：
CMOS 汽車雷達 芯片
- 意法半導體和CMP (Circuits Multi Projects ?) 宣布，通過CMP提供的硅中介服務，大學、科研院所和公司可以使用意法半導體的45納米互補金屬氧化物半導體(CMOS)制造工藝進行原型設計。這項消息在巴黎舉行的CMP用戶年會上發布，會中集結了采用CMP多項目晶片服務的大學院校、科研機構或私營企業的代表。通過CMP的服務，他們可以委托芯片廠商小批量制造幾十個到幾千個的先進集成電路。
45納米CMOS工藝的推出，是延續ST與CMP授權大學使用上一代65納米和90納米CM
- 關鍵字：
意法半導體 CMP CMOS 200802
- 編者按：2008年3G的覆蓋和推廣將上一層樓。在中國市場，中國移動采購了首批3G終端，這預示著中國將開啟3G的大門。產業鏈上游相關IC公司也開始加緊布局，在3G手機基帶、射頻和電源管理領域不斷推陳出新，來適合中國的市場應用。
鼎芯通訊(上海)有限公司總裁兼CEO陳凱
增強CMOS和SoC技術競爭力
在3G研發方面，鼎芯去年的主要工作集中在兩個方面：一個是全面推動原有射頻-模擬基帶芯片組CL4020/CL4520的產業化，包括嚴格的工業指標和客戶驗證;另外一個是進一步的演進，后續的產品
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3G IC CMOS
- 光電器件、傳感器/激勵器(actuator)和分立器件(O-S-D)由于市場規模不大，容易受到市場忽視。但2006-2011期間，預計其年平均增長率約10%，高于整體芯片市場9%的年均增售增長預測。
本世紀初期，手機和其它便攜式產品中顯示屏增長驅動，包括攝像頭手機和數碼相機的CMOS圖像傳感器、用于鍵盤背光系統的高亮度白光LED、手機和其它便攜產品的彩色顯示屏等。多年來，光電器件和分立器件的市場規模幾乎相等。但是預計到這十年末，光電半導體銷售收入將拉開與分立器件的距離。
在目前半導體業務中
- 關鍵字：
光電器件 傳感器 CMOS 傳感器
- 中國芯片制造商中芯國際(SMIC)宣布，周四公司已經對IBM的45納米集成電路制成技術加以認證。
SMIC說，公司將會采用IBM的CMOS技術制造300毫米晶圓片，這些晶圓片用于SMIC的制造工廠。CMOS，或者說金屬氧化物半導體元件，是微處理器所采用的一種主要的集成電路。
公司在一次聯合聲明中表示，IBM技術將被用于制造圖形處理芯片、芯片組、用于高端移動電話的元件，以及其他消費設備。該認證技術預期將對SMIC的65納米低端技術加以補充。
SMIC的總部設在上海，是中國最大的晶圓制造
- 關鍵字：
芯片 45納米 CMOS IC 制造制程
- 現在到處都在談論數字電源。新成立的公司和已經取得牢固地位的半導體廠商都聲稱數字電源(或者更準確地說，是數字控制開關電源管理集成電路)比模擬為主的產品更勝一籌。他們說，新的數字電源具有更高的性能和更低的成本，將取代老式的、早已過時的模擬開關穩壓器。人們將采用通用的數字CMOS工藝技術，而不再需要專有的模擬工藝技術，同時還將極大地降低成本。電源管理方式即將發生變化：要么數字化;要么請走開，別再擋路。
我們先花點時間來琢磨一下這個詞。“數字電源”或“數字控制電源”有幾種不同的含意。最簡單的定義是通過數
- 關鍵字：
數字電源 模擬 CMOS 嵌入式
- 2008年1月9日，北京——近日，在2008國際消費類電子產品展覽會（CES）上，全球領先的高清晰數字內容安全存儲、傳輸和演示的半導體廠商Silicon Image, Inc. (Nasdaq:SIMG)宣布推出一系列新技術及其配套產品和服務，以支持公司實現廣泛傳播數字內容的使命。 Silicon Image公司總裁兼首席執行官Steve Tirado稱，“今年的發布內容反映了我們始終致力于隨時隨地提供豐富的娛樂體驗這一承諾。通過先進的移動、高清電視和存儲
- 關鍵字：
Silicon Image HDMI CES2008
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1，TTL電平(什么是TTL電平)： 輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。
2，CMOS電平： 1邏輯電平電壓接近于電源電壓，0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。
3，電平轉換電路： 因為TTL和COMS的高低電平
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TTL CMOS 電平 嵌入式系統 單片機 嵌入式
- 本設計實例提供了一種可作為微控制器替代品的簡單、廉價及便攜式設備電路，來為音頻電路設計與調試提供各種低失真正弦波信號源。盡管從直接數字合成器 (dds) 產生的正弦波具有更高的穩定性及更少的諧波成分和其他寄生頻率成分，但這是一種能讓設計人員采用凌特科技公司ltspice 免費件并磨礪其電路仿真技能的更具“顛覆性”的方法。振蕩器包括一個頻率測定網絡以及一種用于防止電路飽和、波形削波及諧波產生的振蕩幅度限制方法。許多音頻振蕩器設計均采用經典維氏電橋帶通濾波器拓撲，并將白熾燈、熱敏電阻器或jfet 電路作為
- 關鍵字：
正弦波 CMOS 數字合成器 放大器
- CMOS問世比TTL較晚，但發展較快，大有后來者居上、趕超并取代之勢。
1.組成結構
CMOS電路是互補型金屬氧化物半導體電路的英文字頭縮寫。它由絕緣場效應晶體管組成。由于只有一種載流子，因而是一種單極型晶體管集成電路。其基本結構是一個N溝道MOS管和一個P溝道MOS管，如圖1所示。由于兩管柵極工作電壓極性相反，故將兩管柵極相連作為輸入端，兩個漏極相連作為輸出端，如圖1(a)所示，則兩管正好互為負載，處于互補工作狀態。
圖1 CMOS電路基本結構示意圖
- 關鍵字：
CMOS 邏輯門電路 邏輯電路
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