cmos digital image sensor 文章
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- 未來幾年由于消費者對傳統機電式電表的更新換代，智能電表市場預計將以每年兩位數的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術進行精確測量并報告消耗的電量，智能電表比機電式電表復雜，但更加注重測量數據的完
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CMOS 數字隔離器 智能電表 中的應用
- 1、引言小型會議系統或語音群聊系統是由多路音頻電路組成的.為了使通話井然有序,需要通過音頻交換電路來控制各路音頻信號的輸出。音頻交換電路主要用于完成語音信號的切換。以實現同頻終端的話音通信。經對可靠性、經
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知識 解析 方案 相關 各種 單片 集成電路 MT8816AE CMOS
- 摘要 基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝設計了一種ESD保護電路。整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工藝的工藝庫(06mixddct02 x24)仿真，基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝完成版圖設計，并在一款多功能故
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ESD 保護 電路設計 芯片 數字 CMOS 多功能 基于
- 標簽：DV 數碼攝像機就是DV，DV是DigitalVideo的縮寫，譯成中文就是“數字視頻”的意思，它是由索尼(SONY)、松下(PANASONIC)、JVC(勝利)、夏普(SHARP)、東芝(TOSHIBA)和佳能(CANON)等多家著名家電巨擘聯合
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原理 分類 工作 Video Digital 數碼攝像
- 摘要：設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源共柵結構，利用增益提高和三支路電流基準技術實現一個可用于12～14bit精度，100MS／s采樣頻率的高速流
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CMOS 增益提高 運算 放大器設計
- CMOS針對CCD最主要的優勢就是非常省電，不像由二極管組成的CCD，CMOS 電路幾乎沒有靜態電量消耗，只有在電路接通時才有電量的消耗。這就使得CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右，這有助于改善人們心目中數碼相機是ld
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傳感器 哪里 區別 CMOS CCD
- CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案，因為CMOS傳感器在10Lux以下基本沒用，因此大量應用的所有攝像機都是用了
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CMOS 攝像機 什么
- CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案，因為CMOS傳感器在10
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/SDDS 傳感器 CMOS 什么
- 每年生產10多億部手機的手機市場已成為半導體產業中競爭最激烈的領域。一直有這種說法：諸如砷化鎵（GaAs）、橫向 ...
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CMOS 功率放大器 單芯片手機
- AMD公司高級副總裁兼首席技術官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產工藝將有重大變化，將完全從現有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU，已經采用臺積電28nm工藝，而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續采用相同工藝，海島系列GPU已經進入樣品試生產階段，在2012年年底開始生批量生產，在2013年第一季度正式發布。
在評論異構系統架構(HSA)聯盟，是否用來應對英特爾和NVIDI
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ARM CMOS
- 摘要：由于CMOS器件靜電損傷90％是延遲失效，對整機應用的可靠性影響太大，因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理，從而對設計人員提出了幾種在線路設計中如何抗靜電，以保護CMOS
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研究 措施 抗靜電 器件 CMOS
- 摘要：為了提高數字集成電路芯片的驅動能力，采用優化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過Hspice軟件仿真和版圖設計測試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設計方案。本文完成了系統的電原理
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輸出 緩沖 電路設計 芯片 數字 工藝 多功能 CMOS
- 摘要：設計了一種基于流水線模／數轉換系統應用的低壓高速CMOS全差分運算放大器。該運放采用了折疊式共源共柵放大結構與一種新型連續時間共模反饋電路相結合以達到高速度及較好的穩定性。設計基于SMIC 0．25mu;m CM
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CMOS 全差分 放大器設計 運算
- 聯華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布，將合作進行應用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術開發，透過這項技術，包括智慧手機、數位相機與個人平板電腦等行動電子產品，里面所采用的數百萬像素影像感測器，都可大幅提升產品效能、降低成本、體積減少。
聯電指出，市場上對于持續縮小像素，又能兼顧效能的需求，日益增強，帶動CMOS影像感測技術興起，而背面照度式技術則普遍被視為能夠讓微縮到微米級大小的像素，仍保有優異效能的解決方案。
聯電指出，這次專案目標，希望提影像感測器靈敏度，支援更
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聯華 CMOS 微電子
- 在可預見的未來，CMOS技術仍將持續微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅動技術向前發展的關鍵，IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Forum上表示。
明天的智慧系統將會需要更多的運算能力和儲存容量，這些都遠遠超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動了我們對晶片微縮技術的需求。
在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續推動晶片微縮。在10nm之后，或許還
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IMEC CMOS 10nm
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