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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos digital image sensor

        cmos digital image sensor 文章 進入cmos digital image sensor技術社區

        一種帶有增益提高技術的高速CMOS運算放大器設計

        • 摘要:設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源共柵結構,利用增益提高和三支路電流基準技術實現一個可用于12~14bit精度,100MS/s采樣頻率的高速流
        • 關鍵字: CMOS  增益提高  運算  放大器設計    

        CCD傳感器與CMOS傳感器區別在哪里

        • CMOS針對CCD最主要的優勢就是非常省電,不像由二極管組成的CCD,CMOS 電路幾乎沒有靜態電量消耗,只有在電路接通時才有電量的消耗。這就使得CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右,這有助于改善人們心目中數碼相機是ld
        • 關鍵字: 傳感器  哪里  區別  CMOS  CCD  

        CMOS攝像機,什么是CMOS攝像機

        • CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內,CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音,固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案,因為CMOS傳感器在10Lux以下基本沒用,因此大量應用的所有攝像機都是用了
        • 關鍵字: CMOS  攝像機  什么  

        CMOS傳感器/SDDS,什么是CMOS傳感器/SDDS

        • CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內,CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音,固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案,因為CMOS傳感器在10
        • 關鍵字: /SDDS  傳感器  CMOS  什么  

        利用CMOS功率放大器優化單芯片手機方案

        • 每年生產10多億部手機的手機市場已成為半導體產業中競爭最激烈的領域。一直有這種說法:諸如砷化鎵(GaAs)、橫向 ...
        • 關鍵字: CMOS  功率放大器  單芯片手機  

        AMD明年啟用28nm CMOS工藝

        •   AMD公司高級副總裁兼首席技術官Mark Papermaster表示,AMD在2013年芯片生產工藝將有重大變化,將完全從現有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造,AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU,已經采用臺積電28nm工藝,而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續采用相同工藝,海島系列GPU已經進入樣品試生產階段,在2012年年底開始生批量生產,在2013年第一季度正式發布。   在評論異構系統架構(HSA)聯盟,是否用來應對英特爾和NVIDI
        • 關鍵字: ARM  CMOS  

        CMOS器件抗靜電措施的研究

        • 摘要:由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效,對整機應用的可靠性影響太大,因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理,從而對設計人員提出了幾種在線路設計中如何抗靜電,以保護CMOS
        • 關鍵字: 研究  措施  抗靜電  器件  CMOS  

        CMOS工藝多功能數字芯片的輸出緩沖電路設計

        • 摘要:為了提高數字集成電路芯片的驅動能力,采用優化比例因子的等比緩沖器鏈方法,通過Hspice軟件仿真和版圖設計測試,提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設計方案。本文完成了系統的電原理
        • 關鍵字: 輸出  緩沖  電路設計  芯片  數字  工藝  多功能  CMOS  

        一種新型高速CMOS全差分運算放大器設計

        • 摘要:設計了一種基于流水線模/數轉換系統應用的低壓高速CMOS全差分運算放大器。該運放采用了折疊式共源共柵放大結構與一種新型連續時間共模反饋電路相結合以達到高速度及較好的穩定性。設計基于SMIC 0.25mu;m CM
        • 關鍵字: CMOS  全差分  放大器設計  運算    

        聯電與星國微電子開發TSV技術

        •   聯華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布,將合作進行應用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術開發,透過這項技術,包括智慧手機、數位相機與個人平板電腦等行動電子產品,里面所采用的數百萬像素影像感測器,都可大幅提升產品效能、降低成本、體積減少。   聯電指出,市場上對于持續縮小像素,又能兼顧效能的需求,日益增強,帶動CMOS影像感測技術興起,而背面照度式技術則普遍被視為能夠讓微縮到微米級大小的像素,仍保有優異效能的解決方案。   聯電指出,這次專案目標,希望提影像感測器靈敏度,支援更
        • 關鍵字: 聯華  CMOS  微電子  

        IMEC探討10nm以下制程變異

        •   在可預見的未來,CMOS技術仍將持續微縮腳步,然而,當我們邁入10nm節點后,控制制程復雜性和變異,將成為能否驅動技術向前發展的關鍵,IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Forum上表示。   明天的智慧系統將會需要更多的運算能力和儲存容量,這些都遠遠超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動了我們對晶片微縮技術的需求。   在演講中,Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續推動晶片微縮。在10nm之后,或許還
        • 關鍵字: IMEC  CMOS  10nm    

        基于DSP內嵌PLL中的CMOS壓控環形振蕩器設計

        • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
        • 關鍵字: PLL  DSP  CMOS  環形振蕩器  

        詳解背照式CMOS傳感器結構和原理

        • 背照式CMOS傳感器詳細解讀時代發展,技術進步。數碼相機的各種新技術層出不窮,導致消費者面對廠家宣傳或者是相機參數列表中的一些專業詞匯,一般都會感到非常難于理解,以致影響到購機前的判斷。所以我們數碼相機頻
        • 關鍵字: 原理  結構  傳感器  CMOS  詳解  

        3GHz~5GHz CMOS超寬帶低噪聲放大器設計

        • 超帶寬UWB(Ultra-Wideband)技術具有抗干擾能力強、傳輸速率高、帶寬極寬、功耗傳輸低等優勢,近年來已成為國內外的研究熱點,并在短距離傳輸、高速無線LAN和成像處理等領域得到了廣泛應用[1]。不論在傳統的無線接收結
        • 關鍵字: 放大器  設計  噪聲  寬帶  5GHz  CMOS  3GHz  

        采用CMOS雙D觸發器CD4013的脈沖寬度檢測電路設計

        • D觸發器的常規使用一般是用作二分頻器、計數器或移位寄存器。然而,只要對D觸發器的外圍電路加以改進,根據其基本邏輯功能。就可充分發揮其獨特的作用。數字裝置中常用的脈沖寬度檢測電路,對脈沖信號的寬度進行識別
        • 關鍵字: 寬度  檢測  電路設計  脈沖  CD4013  CMOS  觸發器  采用  
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        cmos digital image sensor介紹

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