格羅方德推出性能增強型130nm 硅鍺射頻技術，以促進下一代無線網絡通信發展

　　格羅方德半導體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術專為需要更優性能解決方案的客戶而打造，適用于汽車雷達、衛星通信、5G毫米波基站等其他無線或有線通信網絡的應用。

　　格羅方德半導體的硅鍺 8XP技術是該公司130nm高性能硅鍺系列產品的最新成員，它可協助客戶制定射頻解決方案，以在更遠距離實現更快的數據吞吐量，同時耗能更少。這項先進技術大幅提升了異質結雙極晶體管(HBT)的性能、降低噪聲指數、改善信號完整性并將硅鍺 8XP的最大振蕩頻率(Fmax)增加至340GHz，相比以前的硅鍺 8HP提升了25%。

　　運行于毫米波頻段的高帶寬通信系統帶來了復雜性和高性能要求，因此急切需要性能更優的芯片解決方案。除了依靠硅鍺技術獲得高性能的各種應用外(如：通信基站設施、回程信號隧道、衛星和光纖網絡)，高性能硅鍺解決方案還可在5G智能手機的射頻前端以及其他毫米波相控陣消費應用領域迎來發展良機。

　　格羅方德半導體射頻業務部高級副總裁Bami Bastani博士認為：“5G網絡將促進射頻SoC設計實現新一代的創新，以支持高帶寬的數據傳輸并滿足對更快數據傳輸和更低延遲率應用的需求。格羅方德的硅鍺 8HP和8XP技術可以有效平衡性能、功率和效率，助力客戶在下一代移動和硬件設施上開發出差異化的射頻解決方案。”

　　Anokiwave的首席執行官Robert Donahue表示：“格羅方德的領先硅鍺技術和全面的平臺開發工具包能使我們的開發設計人員快速開發出性能更優、更具差異化的毫米波解決方案。利用硅鍺 8XP技術，我們可以推出面向未來、更高性能的毫米波解決方案，以幫助我們的供應商隨時隨地確保穩定的連接性，同時從容應對呈爆炸式激增的海量移動數據流。”

　　未來的5G網絡將在更小單元面積內促進基站擴增，硅鍺8HP和8XP技術旨在充分平衡微波和毫米波頻段的價值、輸出功率、效率、低噪性和線性，以實現下一代移動基礎硬件設施和智能手機射頻前端的差異化射頻解決方案。格羅方德的硅鍺 8HP和8XP高性能技術可幫助芯片設計者整合重要的數字和射頻功能，以開發出比砷化鎵(GaAs)更經濟，比CMOS性能更優越的芯片技術。

　　除了在毫米波頻段高效運行的高性能晶體管，該技術引發的技術創新還可以減少芯片尺寸，產生高效空間利用的解決方案。全新的銅金屬化功能特性使得材料的電流承受能力在100攝氏度時提高5倍(以電流密度計)，或相比標準銅線，在相同的電流密度下其溫度高出25攝氏度;此外，格羅方德經生產驗證的硅通孔(TSV)互連技術現已問世。

　　硅鍺 8XP設計套件現已全面上市。欲了解關于格羅方德130nm 硅鍺高性能技術解決方案的更多詳情，請蒞臨我們在舊金山國際微波研討會(International Microwave Symposium)的1443號展位(5月22日-27日)，或訪問globalfoundries.com/sige。