華虹NEC 0.13 / 0.18微米SiGe工藝技術成功進入量產

　　世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)宣布其最新研發成功、處于業界領先地位的0.13/0.18微米SiGe工藝技術進入量產。由此成為國內首家、全球少數幾家可以提供0.13/0.18微米SiGe量產工藝的代工廠之一。

　　該新型SiGe工藝平臺包括0.13um SiGe Bipolar及0.18um SiGe BiCMOS兩套工藝，其中0.18um SiGe BiCMOS根據CMOS工作電壓的不同，可分為1.8/3.3V和純5V兩種。這幾套工藝是華虹NEC針對射頻前端、高速通訊等新興應用而開發的，具有低噪聲、高速度、高耐壓、多樣工藝選項等優點，適合于手機通訊，無線路由，導航及光通訊等領域，極大地方便了客戶選擇，為客戶提供更多的價值。

　　基于多年0.18/0.25微米RF-CMOS工藝成功的量產經驗，結合自身在SiGe技術上的積累與客戶對無線射頻前端專用工藝的迫切需求，華虹NEC開發了具有國際先進水平的0.13/0.18微米SiGe工藝平臺。該工藝平臺核心器件性能優良，并提供豐富的器件選項，極大地增加了設計的靈活性。完整的PDK及器件模型，使得電路的設計更加方便快捷，從而大大縮短開發周期，提高開發效率。同時華虹NEC還可以向客戶提供優質而完備的設計支持，及時幫助客戶解決問題。

　　華虹NEC銷售與市場副總裁高峰表示，“0.13/0.18微米SiGe工藝的成功開發，加快了華虹NEC在射頻前端市場的開拓步伐，進一步鞏固了其在國內市場的領先地位。華虹NEC將瞄準高端市場需求，繼續開發性價比更高的射頻工藝技術平臺。”