全球示波器市場的領導廠商---泰克公司日前宣布，其下一代、可擴展、高性能示波器平臺將廣泛采用IBM 8HP硅鍺 (SiGe) 技術，再次證明其致力于幫助全球工程師加速未來設計方案的調試與測試工作。130納米(nm)硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體(BiCMOS) foundry工藝提供了兩倍于前代工藝技術的性能，能幫助推出實時帶寬超過30 GHz的示波器產品。
“泰克公司與IBM擁有長期的合作創新歷史，在我們的產品中采用SiGe技術使我們推出了一系列世界級的獲獎儀器，并幫助解決了一些最迫
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泰克 SiGe 示波器
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布推出一系列采用最新SiGe(硅鍺)工藝技術開發、針對高頻無線電應用的新產品，旨在滿足行業對更強大、高性價比和高集成度硅基技術日益增長的需求。恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe:C技術的產品，其QUBiC4 SiGe:C工藝技術可提供高功率增益和優良的動態范圍，專為滿足現實生活中無線、寬帶通信、網絡和多媒體市場領域的高頻應用需要而設計。2010年5月25日至27日在加利福尼亞州阿納海姆舉行的“2010年IEEE MT
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NXP SiGe:C 射頻 微波
日前，全球知名的射頻微波IC廠商Hittite公司面向寬帶、3G、Winmax、自動化以及4G應用領域推出了基于 SiGe BiCMOS 工藝的功率檢波器HMC713LP3E。
該器件可以在50MHz到8GHz范圍內按比例把輸入的射頻信號變換成直流電壓輸出，精度為±1dB時，在2700MHz以下動態范圍內可達54dB，在3.9到8GHz動態范圍也有49dB。其回損則在全部工作頻段都優于10dB。
HMC713LP3E的工作電壓范圍是2.7V到5.5V，消耗電流為17 mA。與
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Hittite SiGe BiCMOS 功率檢波器
Maxim推出業內性能最佳的完全集成、2000MHz至3000MHz SiGe無源混頻器MAX2042。器件專為LTE、WiMAX™、WCS和MMDS等無線基礎設施應用而設計，具有無與倫比的線性度和噪聲性能，以及極高的元件集成度。配置為下變頻器時，該款IC可提供36dBm的IIP3、23.4dBm的IP1dB、7.2dB的轉換損耗和7.3dB的噪聲系數。此外，器件還具有優異的2階和3階雜散抑制。作為上變頻器使用時，MAX2042具有同樣出色的性能，其IIP3為32.4dBm、LO &plu
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Maxim 混頻器 SiGe MAX2042
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出運算放大器系列 LTC6246、LTC6247 和 LTC6248，該系列器件運用一種節省功率的 SiGe 工藝，實現了 180MHz 增益帶寬積和 90V/us 轉換率，同時每放大器僅消耗 1mA 最大電源電流。這些單、雙和 4 路運算放大器還具有軌至軌輸入和輸出、以及 4.2nV/ÖHz 寬帶噪聲。
盡管這些器件專為在軌至軌放大器中提供非常高的速度/電源效率而設計，但這并未犧牲 DC 性能。輸入失調電
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Linear 運算放大器 SiGe
全球領先的無線射頻(RF)前端解決方案供應商SiGe半導體公司(SiGe Semiconductor)宣布，任命高國洪(Daniel K. Ko)擔任亞太區市場推廣總監。高國洪將負責制訂和執行面向特定地區和產品的戰略和戰術營銷計劃，以改善產品定位，并在快速增長的亞太地區中贏得具有競爭力的市場份額。
高國洪將與外部合作伙伴、內部工程團隊及SiGe半導體的客戶服務和現場應用工程師團隊密切工作，充分發揮公司在亞太區無線消費電子市場的拓展能力。
SiGe半導體市場推廣副總裁Alistair M
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SiGe RFIC MMIC
SiGe半導體公司(SiGe Semiconductor) 宣布擴展其無線局域網 (Wireless LAN, WLAN) 和藍牙 (Bluetooth) 產品系列，推出高性能、高集成度 SE2579U 前端模塊 (Front End Module, FEM)，專門瞄準快速增長的嵌入式應用市場，包含WLAN 功能的手機、數碼相機和個人媒體播放器 (PMP) 等。
SiGe半導體WiMAX及嵌入式WLAN產品市場總監Sanjiv Shah稱：“我們設計開發SE2579U，旨在幫助OEM
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SiGe WLAN Bluetooth WiMAX
基于美國聯邦通訊委員會(FCC)的E911定向和定位業務(LBS)，期望緊跟這一標準的全球定位系統(GPS)接收機隨時準備在無線通信中扮演一個至關重要的角色。成功的E911/LBS產品與業務將會需要具有以下特征的解決方案：能在移
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SiGe GPS 工藝 接收機
Maxim推出帶有片內LO緩沖器的完全集成、2000MHz至3900MHz下變頻混頻器MAX19996A。器件采用Maxim專有的單片SiGe BiCMOS工藝設計，集優異的線性度、噪聲性能和高度的器件集成特性于一體，能夠工作于極寬的頻段范圍。MAX19996A提供完全集成的下變頻通道，具有+24.5dBm (典型值) IIP3、8.7dB (典型值)轉換增益和9.8dB (典型值)噪聲系數。此外，器件具有業內最佳的2LO-2RF雜散抑制：-10dBm RF電平下為67dBc，-5dBm RF電平下為
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Maxim 混頻器 BiCMOS MAX19996A SiGe
SiGe 半導體公司 (SiGe Semiconductor, Inc) 現已擴展其 Wi-Fi 產品系列，推出 SE2571U 前端模塊，專門瞄準包括手機、游戲、數碼相機和個人媒體播放器 (PMP) 的嵌入式應用。SE2571U 專為應對OEM 廠商面臨的特定挑戰而設計，其特點包括實現“電池直接供電”運作、提升性能，并滿足消費者對便攜設備內建通用移動通信系統 (UMTS) 連線能力的需求。
SE2571U 提供了完整的 2.4 GHz WLAN 射頻傳送和藍牙接收解決方
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SiGe Wi-Fi PMP SE2571U
散射測量方法日益應用于復雜結構的測量，并逐漸在間隔層的量測中占據主導地位。數量級在10nm或更薄的間隔層測量尤其困難。除間隔層厚度外，由間隔層過刻蝕導致的基板凹陷深度也對器件有著明顯的影響。嵌入式
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SiGe 散射 方法 測量
專為定位設備提供高性能GPS接收器、GPS軟件解決方案和跟蹤系統的主要供應商Fastrax公司與專為各種計算、娛樂和移動系統提供實現無線多媒體功能產品的全球領先供應商SiGe半導體宣布，Fastrax現已選用SiGe半導體的SE4120產品來實現其軟件GPS方案。
通過此次合作，Fastrax的軟件GPS方案和SiGe半導體的射頻前端SE4120帶來了高性能的GPS方案，并提供參考設計，可由第三方輕易集成。此外，參考設計也可用為Fastrax iT900 射頻模塊的交鑰匙解決方案。這一產品組
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Fastrax SiGe 軟件GPS
嵌入式GPS應用相關的三大主要難題是小尺寸、低功耗和低價格。SiGe半導體公司 (SiGe Semiconductor) 日前已推出具有雙天線輸入功能的 GPS 無線電接收器，型號為SE4150L。該接收器是專為下一代GPS 系統而開發的，SE4150L 經過特別設計，不但能解決與嵌入式GPS應用相關的三大主要難題，而且還提高了性能。
SE4150L GPS 接收器集成了天線感測、開關功能及高性能的低噪音放大器 (LNA)，可以顯著地簡化雙天線系統的設計。SiGe市場推廣副總裁Alistair
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嵌入式 GPS SiGe 天線
王勝
德州儀器半導體事業部業務拓展工程師
從模擬及混合信號芯片，尤其是放大器類產品發展趨勢來看，高集成度、兼顧速度與精度、低功耗、較寬的溫度范圍，以及軟件可控等性能，將是未來各個模擬器件供應商的新產品呈現的新特點。對于某些中、低端電子產品的成本壓力，使得本土的中小規模IC供應商獲得了良好的發展機會，打破歐美供應商一統天下的局面，這也將是包括放大器在內的模擬類產品的一大特點。
放大器產品的發展主要特點如下：(1)新工藝、新技術的發展；(2)放大器類產品在電子系統中的作用越來越重要，不可替代
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放大器 TI 凌力爾特 ADC SiGe 半導體 WiMAX Wi-Fi 200808
SiGe半導體公司 (SiGe Semiconductor) 現已為移動 WiMAX 市場擴展其功率放大器 (Power amplifier, PA) 和射頻 (RF) 前端模塊產品系列，推出全新型號 SE7262L。該2.5GHz 高功率放大器具有業界領先的性能，并超越了 IEEE 802.16e 和WiMAX論壇 (WiMAX Forum) 規范的頻譜屏蔽要求。 SE7262L 的性能經過了優化，可在整個工作溫度范圍提供極高的穩定性，使制造商能夠在移動計算應用產品中支持寬帶無線多媒體服務，而不會影
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SiGe WiMAX 功率放大器 RF
sige介紹
百科名片
1、英語單詞：sign。n.標記, 符號, 記號, 征兆, 跡象, 征候。v.簽名(于), 署名(于)～, 簽署。2、數學函數之一。3、日本動畫片《火影忍者之疾風傳》主題曲，brown eyed girls 的一首歌曲也叫這個名字。4、同名韓劇
編輯本段英文單詞
名詞sign:
1. a perceptible indication of something not im [
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