據報道，三星已開始生產磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優點。 三星3月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上，開始大規模生產和商業運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標志著新內存產品的首次發貨。 這種解決方案無需在數據記錄期間擦除數據，并實現了比傳統閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時保存了存儲的數據，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很
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MRAM 三星
在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術。 MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機存取存儲)，是一種非易失性存儲技術，從 1990
年代開始發展。此技術速度接近靜態隨機存儲的高速讀取寫入能力，具有閃存的非揮發性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，但平均能耗遠低于
DRAM，而且基本上可以無限次地重復寫入。 英特爾曾表示其嵌入式 MRAM 技術可在200℃下實
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英特爾 MRAM
聯華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發和生產取代嵌入式內存的磁阻式隨機存取內存(MRAM)。同時聯華電子也將透過Avalanche的授權提供技術給其他公司。 聯華電子根據此合作協議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發性MRAM區塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內存模塊整合至應用產品，并鎖定在物聯網、穿戴裝置、消費型產品，以及工業、車用電子市場的微控制器(MCU)和系統單芯片(So
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聯華電子 MRAM 28納米
近期臺積電技術長孫元成在其自家技術論壇中，首次揭露臺積電研發多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年
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嵌入式存儲器 MRAM eRRAM 物聯網
半導體產業正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 (MRAM) 的出現。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰，并探討實現 STT MRAM 商業可行性的進展。 應用材料公司為實現 STT MRAM 的制造提供了多項重要創新，包括基于Endura? 平臺上的PVD創新以及特別的蝕刻技術。利用這些新技術并借助梅丹技術中心的設施來加工并測試器件陣列，我們驗證了 STT MRAM 的性能和可擴展性。 如今，除了邏
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STT MRAM
MRAM新創公司STT開發出一種存儲器專有技術，據稱可在增加數據保持的同時降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結構將在MRAM市場扮演什么角色?它能成為加速MRAM市場起飛的重要推手嗎? 磁阻式隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發出MRAM專用技術，據稱能以同步提高數據保持(retention)與降低電流
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MRAM SRAM
汽車系統的設計變得越來越復雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統。為了確保可靠、安全的操作，每個子系統均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復位操作和電源切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執行代碼或常量數據、校準數據、安全性能和防護安全相關信息等重要數據，以作將來檢索用途。 目前市場上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器)，MRAM
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MRAM FRAM
摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發的一種高速、大容量的TTL同步靜態存儲器(MRAM)，可利用其對大容量數據進行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結構和原理，其次詳細闡述了基于magnum II測試系統的測試技術研究，提出了采用magnum II測試系統的APG及其他模塊實現對MRAM VDMR8M32進行電性測試及功能測試。其中功能測試包括全空間讀寫數據0測試，全空間讀寫數據1，以棋盤格方式進行全空間讀寫測試。另外，針對MRAM的關鍵時序參數，如T
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VDMR8M32 MRAM
全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術的游戲規則。
據SemiEngineering網站報導，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯電(UMC)計劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NORFlash，此舉代表市場的巨大轉變，因為到目前為止，只有Everspin已經為各種應用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(WriteCa
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MRAM 晶圓
全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術的游戲規則。
據Semi Engineering網站報導，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯電(UMC)計劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此舉代表市場的巨大轉變，因為到目前為止，只有Everspin已經為各種應用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(Write
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存儲器 MRAM
隨著更多業者進入MRAM市場，STT執行長Barry Hoberman在日前受訪時談到了MRAM帶來的商機及其可能取代現有主流存儲器技術的未來前景。
或許有人會把2016年形容為磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)市場的引爆點。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產品的公司。不過，就像Spin Transfer Technologies(STT)執行長Barry Hoberman一如既往地表達肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業者鋪路。
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MRAM DRAM
MRAM是新興的存儲器，為晶圓制造代工業競爭主軸之一。先講結論，MRAM的最近發展令人興奮。它雖然是新興的存儲器，卻成為傳統上以邏輯線路為主的晶圓制造代工業競爭主軸之一。
MRAM研發的挑戰一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機器設備廠商也出力甚多，這是幾家大機器設備廠商先后投入這即將興起設備市場良性競爭的結果。MRAM相關制程主要有磁性材料的蝕刻(etcher)與濺鍍(sputter)兩種設備，最近新機型的濺鍍設備表現令人驚艷，這將有助于晶圓廠MRAM制造良率的提升
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DIGITIMES MRAM
晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現由邏輯芯片擴及內存市場。臺積電這次重返內存市場，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內存產業的新潮流，值得密切關注。
臺積電技術長孫元成日前在臺積電技術論壇，首次揭露臺積電研發多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取內存)和eRRAM(嵌入式電阻式內存)分別訂明后年進行風險性試產，主要采用22奈米制程，這將是臺積電因應物聯網、行動裝置、高速運算計算機和智能汽車等四領域所提供效能更快速和耗電更低的新內存。
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臺積電 MRAM
被視為次世代存儲器技術之一的自旋力矩傳輸存儲器(STT-MRAM)，在2016年12月舉辦的國際電子零組件會議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開了若干突破性研究成果，最值得注意的是推出了容量超過1Gb的產品，以及將STT-MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術實證。
MRAM算是次世代非揮發性存儲器科技中出現較早的一種，其記憶單元以磁隧結(MTJ)組成，由于占用體積大與耗電量高，最大容量約16Mb，僅適用于若干特殊需求;MTJ水平排列的i
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三星 MRAM
在今年即將于美國加州舉行的國際電子元件會議(IEDM)上，來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊預計將發表多項有關磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)的最新發展。
此外，三星的研發團隊以及旗下LSI業務部門顯然也將再次發表其致力于開發MEMS的最新成果。
三星將分別透過口頭簡報以及海報展示雙管齊下的方式，介紹在28nm CMOS邏輯制造制程中嵌入8Mbit自旋傳輸(STT) MRAM等主題。在該公司發表的論文主題中，研究人員們將這種電路形
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28nm MRAM
mram介紹
MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一種非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
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