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        lab-in-fab 文章 最新資訊

        X-FAB為180納米XH018工藝新增隔離等級,提升SPAD集成能力

        • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,在其180納米XH018半導體工藝平臺中推出新的隔離等級,旨在支持更緊湊、更高效的單光子雪崩二極管(SPAD)應用。新隔離等級能夠實現更高的功能集成度并提升像素密度和填充因子,從而減少芯片面積。采用全新緊湊型25V隔離等級模塊ISOMOS1(左)和先前所需的模塊ISOMOS2(右)的4×3 SPAD像素示例設計SPAD是眾多新興應用中的關鍵組件,涵蓋應用于自動駕駛汽車的激光雷達(LiDAR)、
        • 關鍵字: X-FAB  180納米  XH018  SPAD  

        ST宣布擴大新加坡"廠內實驗室"項目,推進"壓電MEMS"開發應用

        • ●? ?新一期廠內實驗室合作項目包括與新加坡科技研究局屬下材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國立大學 (NUS)的合作項目●? ?此為新加坡半導體行業迄今為止最大的公私研發合作項目之一●? ?專注于推進壓電 微電機系統(MEMS) 技術產品在個人電子產品、醫療設備等領域的應用服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)日前宣布與新加坡科技研究局微電子研究所 (
        • 關鍵字: 意法半導體  Lab-in-Fab  廠內實驗室  壓電MEMS  

        英特爾將在愛爾蘭工廠大批量生產3nm芯片

        • 據外媒報道,英特爾確認將于今年晚些時候在其位于愛爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產3nm芯片。據了解,Intel 3是該公司的第二個EUV光刻節點,每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報告中表示,該工藝于2024年在美國俄勒岡州完成首批量產,2025年產能將全面轉至愛爾蘭萊克斯利普工廠。據介紹,英特爾同步向代工客戶開放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外,該公司還與聯電合作開發12nm代工工藝。英特爾還表示:基于Intel 18A工藝的客戶端處理器Pa
        • 關鍵字: 英特爾  3nm  Fab 34  14A  

        芯科科技EFR32ZG28 SoC技術解析與應用展望

        • 在智能家居、工業自動化、智慧城市等場景快速發展的今天,物聯網設備正面臨著三大核心挑戰:多協議兼容性、超低功耗設計以及數據安全防護。傳統單頻段芯片難以滿足設備在復雜環境中的通信需求,而日益增長的網絡攻擊風險則對硬件級安全提出了更高要求。Silicon Labs(芯科科技)推出的EFR32ZG28系列無線SoC正是為破解這些難題而生。這款芯片創造性地將Sub-1GHz頻段與2.4GHz BLE雙頻通信集成于單晶圓,支持從169MHz到960MHz的廣域Sub-GHz通信,以及藍牙5.2標準。這種架構不僅解決了
        • 關鍵字: 芯科科技  Silicon Lab  無線通信  

        物聯網無線通信技術的革新者:EFR32MG26無線SoC深度解析

        • 技術背景:物聯網時代的無線通信挑戰與突破在萬物互聯的時代背景下,智能家居、工業自動化、智慧城市等場景對無線通信技術提出了更高要求。設備需要同時滿足低功耗、多協議兼容、高安全性以及強大的邊緣計算能力,這對傳統無線芯片架構構成了巨大挑戰。Silicon Labs推出的EFR32MG26系列無線SoC(系統級芯片)正是針對這些需求應運而生的創新解決方案。作為專為物聯網終端設備設計的無線通信平臺,EFR32MG26在單芯片內集成了ARM Cortex-M33處理器、高性能射頻模塊和AI加速單元,支持Matter、
        • 關鍵字: 芯科科技  Silicon Lab  智能家居  Wi-Fi  

        新一代物聯網無線通信模組的技術革新與應用藍圖

        • 在萬物互聯的時代浪潮下,物聯網設備正朝著更智能、更節能、更安全的方向演進。傳統無線通信技術受限于功耗、協議兼容性及安全性等問題,難以滿足智能家居、工業傳感、醫療健康等場景的嚴苛需求。Silicon Labs推出的SiWG917無線模組,以Wi-Fi 6與藍牙5.4雙協議融合為核心,結合Matter標準支持,重新定義了超低功耗物聯網設備的可能性。技術突破:重新定義無線通信的能效邊界SiWG917的技術革新始于其獨特的雙核架構設計。模組內部集成ARM Cortex-M4應用處理器與多線程網絡無線處理器(NWP
        • 關鍵字: 芯科科技  Silicon Lab  無線通信  

        X-FAB推出基于其110nm車規BCD-on-SOI技術的嵌入式數據存儲解決方案

        • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布一項非易失性存儲領域的重大創新。該創新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術:基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節點平臺,X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP,并配備額外的4Kbit EEPROM。此外,從2025年起,X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
        • 關鍵字: X-FAB  BCD-on-SOI  嵌入式數據存儲  

        X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度

        • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,在其現有為光學傳感器而特別優化的180nm CMOS半導體工藝平臺——XS018上,現推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產品選擇,強化了X-FAB廣泛的產品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產品中,兩款為響應增強型光電二極管doafe和dobfpe,其靈敏度在紫外、可見光和紅外波長(全光譜)上均有所提升;另外還有兩款先進的紫外線專用光電二極管dosuv和dosu
        • 關鍵字: X-FAB  光電二極管  傳感靈敏度  

        Intel出售愛爾蘭工廠49%股份:獲110億美元緩解財務壓力

        • 6月6日消息,據媒體報道,英特爾近期宣布,已同意以110億美元的價格將其位于愛爾蘭的Fab 34芯片工廠49%的股份出售給阿波羅全球管理公司。這一舉措旨在為英特爾的大規模擴張計劃引入更多外部資金,同時緩解公司的財務壓力。根據英特爾的聲明,通過此次交易,英特爾將出售Fab 34芯片工廠相關實體中49%的股份,而保留51%的股份,保持對工廠的控股權。Fab 34工廠是英特爾在歐洲唯一一家使用極紫外線(EUV)光刻技術的芯片制造工廠,對采用Intel 4和Intel 3制程的晶圓提供支持,迄今為止,英特爾已在該
        • 關鍵字: 英特爾  Fab  

        X-Fab增強其180納米車規級高壓CMOS代工解決方案

        • Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號和專業晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE(X-Fab)日前推出了其XP018高壓互補型金屬氧化物半導體(CMOS)制造平臺的更新。5月16日發布的一篇新聞稿表示,該平臺現在包括全新的40 V和60 V高壓基礎器件,可提供可擴展的安全工作區(安全工作區)以提高運行穩健性。這些第二代器件在RDSon數據上也有顯著降低,與此前版本相比降低
        • 關鍵字: X-Fab  180納米  高壓CMOS代工  

        聯電新加坡Fab 12i P3新廠首批設備到廠

        • 據聯電(UMC)官網消息,5月21日,聯電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠的上機典禮,首批設備到廠,象征公司擴產計劃建立新廠的重要里程碑。據悉,聯電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進半導體晶圓代工廠之一,提供22/28nm制程,以支持5G、物聯網和車用電子等領域需求,總投資金額為50億美元。據了解,聯電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠的擴建計劃。當時消息稱,新廠第一期月產能規劃30,000片晶圓,2024年底開始量產,后又在2022年底稱,在過程中因缺工缺料及
        • 關鍵字: 聯電  Fab  設備  

        X-FAB增強其180納米車規級高壓CMOS代工解決方案

        • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺,增加全新40V和60V高壓基礎器件——這些器件具有可擴展SOA,提高運行穩健性。與上一代平臺相比,此次更新的第二代高壓基礎器件的RDSon阻值降低高達50%,為某些關鍵應用提供更好的選擇——特別適合應用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統中。XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術解決方案,基于低掩模數5V單柵極核心模塊,支持-40°C
        • 關鍵字: X-FAB  180納米  高壓CMOS  代工  

        X-FAB引入圖像傳感器背照技術增強CMOS傳感器性能

        • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,其光學傳感器產品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求,X-FAB現已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018(180納米)上開放了背照(BSI)功能。BSI工藝截面示意圖通過BSI工藝,成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術使得每個像素點接收到的入射光不會再被后端工藝的金屬層所遮擋,從而大幅提升傳感器的填充比,最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度,因而在暗
        • 關鍵字: X-FAB  圖像傳感器  背照技術  CMOS傳感器  

        芯科科技Si7210系列霍爾效應磁性傳感器

        • 霍爾效應磁性傳感器,也稱為霍爾傳感器,是一種基于霍爾效應原理制作而成的磁場傳感器。霍爾效應是磁電效應的一種,由美國物理學家Edvin Hall于1879年發現?;魻杺鞲衅骶哂泄ぷ黝l帶寬、響應快、體積小、靈敏度高、無觸點、便于集成化、多功能化等優點,而且便于與計算機等其他設備連接?;魻杺鞲衅鞯墓ぷ髟硎?,當一個有電流的物體被放置在磁場中時,如果電流方向和磁場方向相互垂直,則在同時垂直于磁場和電流方向的方向上會產生橫向電位差,這個現象就是霍爾效應,由此產生的電位差稱為霍爾電壓?;魻杺鞲衅骶褪腔谶@個原理制作的
        • 關鍵字: 芯科科技  Silicon Lab  霍爾效應磁性傳感器  

        芯科科技:推動Matter標準,引領智能家居未來

        • 隨著2023年的波折逐漸平息,2024年的半導體市場正迎來更加充滿不確定性的挑戰。電子產品世界有幸采訪到了芯科科技家居和生活業務高級營銷總監Tom Nordman,就公司的發展狀況、市場波動、技術應用及未來展望等方面進行了深入探討。 芯科科技家居和生活業務高級營銷總監,Tom NordmanTom Nordman首先回顧了芯科科技在2023年的整體發展。他表示,近年來物聯網蓬勃發展,并且在未來很長一段時間內保持向上發展的態勢。智能家居作為物聯網的重要應用領域之一,雖然因地產行業近期相對低迷,導致
        • 關鍵字: 芯科科技  Silicon Lab  智能家居  Matter  
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