X-Fab增強其180納米車規級高壓CMOS代工解決方案

模擬/混合信號和專業晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補型金屬氧化物半導體（CMOS）制造平臺的更新。5月16日發布的一篇新聞稿表示，該平臺現在包括全新的40 V和60 V高壓基礎器件，可提供可擴展的安全工作區（安全工作區）以提高運行穩健性。

這些第二代器件在RDSon數據上也有顯著降低，與此前版本相比降低了50%。這種增強使該平臺更適合用于某些需要縮小器件占用空間并優化單位成本的應用。

XP018平臺是一個模塊化的180納米高壓EPI技術解決方案，基于低掩模計數5V單柵極核心模塊。其支持-40°C至175°C的工作溫度范圍，并提供一系列豐富的可選器件和模塊，包括高增益雙極器件、標準和高電容金屬/絕緣體/金屬型（MIM）電容、多閾值（Vt）選項、肖特基二極管和耗盡型器件。

該平臺專為成本敏感且魯棒的汽車、工業和醫療應用而設計。此外，該平臺還借助高可靠性的汽車非易失性存儲器（NVM）解決方案（如嵌入式閃存、可擦寫可編程只讀存儲器（EEPROM）和開放式遠程監控平臺（OTP））進行了進一步強化。

除了新推出的高壓器件外，該平臺現在還包括5.3 V齊納二極管，用于保護關鍵應用中的柵氧化物（如寬帶隙柵極驅動器應用）。