- 半導體FAB廠 FAQ100問影響工廠成本的主要因素有哪些?答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material間接材料，例如氣體hellip; Labor
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半導體 FAB
- 據麥姆斯咨詢報道，美國系統級芯片廠商Skorpios Technologies近日宣布收購了半導體集成廠商Novati Technologies及其位于美國德州奧斯汀的Fab，本次交易的具體金額暫未披露。
Novati聞名于其在2.5D/3D集成、光子學、MEMS傳感器以及醫療應用微流控領域的創新研究。Skorpios則擁有一套獨有的晶圓級工藝，能夠實現硅和III-V族材料的單片集成，并作為工作介質(active medium)制造硅光子IC。
在此次并購交易之
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Skorpios Fab
- 影響工廠成本的主要因素有哪些? 答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material間接材料，例如氣體… Labor人力 Fixed Manufacturing機器折舊，維修，研究費用……等 Production Support其它相關單位所花費的費用 在FAB內，間接物料指哪些? 答：Gas 氣體 Chemical 酸，堿化學液&nbs
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FAB
- 當下的華夏大地，正被一股天翻地覆的英雄氣概所籠罩。半導體集成電路正成為僅次于互聯網機器人的熱詞。沒有幾個人能說得清，有多少條8吋、12吋生產線在運籌帷幄之中，又有多少大佬背著錢袋在這個“金礦”邊上徘徊。中國歷來的傳統是，黨指向哪里我們就沖向哪里。今天國家確定的目標，就是今后我們為之奮斗的戰場。最近我們的行業領軍人士已經開始注意到潛在的風險，我們在去“傳統產能”的同時，會不會帶來新的“高科技產能過剩”風險?這是我們每個行業從業者要認
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Fab GlobalFoundries
- Silicon Laboratories今日宣布以Si530 和 Si550 系列的振蕩器 (XOs) 和壓控振蕩器 (VCXOs) 進入頻率控制市場，這些振蕩器m用於頻率高達 1.4 GHz的用。這些產品系列包括業界首例四頻 XO 和 VCXO 器件系列。應用該
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Silicon Lab 四頻XO VCXO器件
- 模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團于9月30日宣布，將收購日前已進入破產程序的法國專業晶圓代工業者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進入破產程序。實際收購價格方面，X-Fab未進一步對外透露。
根據外媒報導，Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購Altis Semiconductor將有助增
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X-Fab 晶圓
- 模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團于9月30日宣布，將收購日前已進入破產程序的法國專業晶圓代工業者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進入破產程序。實際收購價格方面，X-Fab未進一步對外透露。
根據EETimes等外媒報導，Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購Altis Semicondu
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X-Fab Altis
- 網絡連接、監控和管理領域的領導者Emulex公司日前宣布，其最新一代的OneConnect® OCe14000-E萬兆以太網融合網絡適配器(10GbE CNA)現已通過EMC E-Lab的測試和認證，并獲批與EMC VNX®和VMAX®存儲陣列等業界領先的EMC®企業存儲解決方案搭配使用。Emulex OCe14000-E 10GbE CNA設計用于采用存儲協議卸載(以太網上光纖通道FCoE，iSCSI)的網絡連接、存儲、大數據、混合云、數據備份和恢復。這款產品使用Em
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Emulex E-Lab VMAX
- 1前言汽車噪聲、振動及因其而引發的車輛乘坐舒適性問題，即NVH（Noise,VibrationHarshness）問題，是衡量汽...
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車內聲振 傳遞路徑 LMS Test. Lab
- 全球Fab前道設備支出額預計在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會有24%的增長，至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設備預報》。該預報還指出，2013年全球fab廠設備支出增長點在于技術節點的更新，同時FAB廠建方面的支出會增加6.7%且主要集中在中國。該預報參考了2013年超過180家機構的設備支出。
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Fab 電子制造
- 全球Fab前道設備支出額預計在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會有24%的增長，至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設備預報》。該預報還指出，2013年全球fab廠設備支出增長點在于技術節點的更新，同時FAB廠建方面的支出會增加6.7%且主要集中在中國。該預報參考了2013年超過180家機構的設備支出。
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Fab 設備
- X-FAB Silicon Foundries日前發表XT018，世界首創180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數量，也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
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X-FAB XT018 MOS
- X-FAB Silicon Foundries 宣布，已經增加在總部位于德國的 MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI)公司持股，從25.5%提高到51%，成為后者的最大股東，并將MFI重新命名為X-FAB伊策霍微機電系統晶圓廠(X-FAB MEMS Foundry Itzehoe)。
上述動向反映了X-FAB對MEMS制造服務與技術的重視。伊策霍(Itzehoe)廠補強了X-FAB 微機電系統晶圓廠最近在艾爾福特宣布的MEMS功能與資源，增添微感測器、致動器、微光學結構與
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X-FAB 微感測器 MEMS
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