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SK 海力士據(jù)報(bào)道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價(jià)格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強(qiáng)勁
- 隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4，預(yù)計(jì)出貨將在 2026 年初結(jié)束，合同價(jià)格持續(xù)上漲。據(jù)中國的 華爾街見聞 報(bào)道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價(jià)格上調(diào)約 20%，標(biāo)志著新一輪價(jià)格上漲。這種趨勢(shì)與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng)，該機(jī)構(gòu)指出，三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品，并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級(jí) DDR4 和移動(dòng) LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預(yù)測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存價(jià)格上升，而 PC 內(nèi)存失去動(dòng)力
- 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，16Gb DDR4 消費(fèi)者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調(diào)。至于 NAND 閃存，供應(yīng)商逐步釋放產(chǎn)能資源，加上中國國家補(bǔ)貼的減弱效應(yīng)，導(dǎo)致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：盡管過去一周現(xiàn)貨價(jià)格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價(jià)格的快速大幅上漲。整體供應(yīng)仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片的現(xiàn)貨價(jià)格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
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歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格飆升，據(jù)報(bào)道使 DDR5 翻倍，推動(dòng)南亞科技的庫存暴利
- 上周，臺(tái)灣地區(qū)頂級(jí) DRAM 制造商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報(bào)價(jià)，因?yàn)閮r(jià)格飆升。現(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價(jià)格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利，根據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)的最新數(shù)據(jù)，引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，DRAMeXchange 是一個(gè)趨勢(shì)力旗下的 DRAM 定價(jià)平臺(tái)。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產(chǎn)，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應(yīng)商。據(jù)報(bào)告稱，南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀(jì)錄的 37.59 億新
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適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成
- 東京科學(xué)研究所在 IEEE電子元件和技術(shù)會(huì)議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進(jìn)展。“這些新技術(shù)可以幫助滿足高性能計(jì)算應(yīng)用的需求，這些應(yīng)用需要高內(nèi)存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBCube 結(jié)合使用晶圓上晶圓 （WOW） 和晶圓上芯片 （COW） 技術(shù)，將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱，而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開發(fā)的，而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓，實(shí)現(xiàn)了 10μm 的
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臺(tái)灣地區(qū)的 DRAM 供應(yīng)商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格報(bào)價(jià)，庫存緊張
- 隨著三星和美光等主要內(nèi)存制造商減少 DDR4 生產(chǎn)并價(jià)格上漲，據(jù)報(bào)道，臺(tái)灣地區(qū)的主要供應(yīng)商南亞科技已暫停報(bào)價(jià)，這表明供應(yīng)緊張和需求增長，據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道。行業(yè)消息人士進(jìn)一步解釋說，報(bào)價(jià)暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場，而在合同市場，供應(yīng)商正在囤積庫存并穩(wěn)步推高價(jià)格。TrendForce 的最新調(diào)查發(fā)現(xiàn)，由于兩大主要 DRAM 供應(yīng)商減少 DDR4 生產(chǎn)以及買家在美國關(guān)稅變化前加速采購，服務(wù)器和 PC 的 DDR4 合同價(jià)格預(yù)計(jì)將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務(wù)器 DDR4 合同價(jià)格預(yù)計(jì)環(huán)比將上漲
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DDR4瘋狂漲價(jià)，DRAM廠商爆賺
- 據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價(jià)等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報(bào)價(jià)已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點(diǎn)，更達(dá)到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報(bào)價(jià)大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報(bào)價(jià)更高，呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價(jià)單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報(bào)價(jià)網(wǎng)站DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價(jià)全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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美光出貨全球首個(gè)基于1γ的LPDDR5X 樣品，引領(lǐng)行業(yè)最薄的設(shè)計(jì)
- 隨著內(nèi)存巨頭加大對(duì) 10 納米級(jí) DRAM 的投入，美光于 6 月 3 日宣布，已開始運(yùn)送全球首款基于 1γ 節(jié)點(diǎn)的 LPDDR5X 內(nèi)存的認(rèn)證樣品，旨在增強(qiáng)旗艦智能手機(jī)的 AI 性能。正如 ZDNet 所指出的，1γ 工藝標(biāo)志著第六代 10nm 級(jí) DRAM，預(yù)計(jì)將在今年晚些時(shí)候加速量產(chǎn)。該節(jié)點(diǎn)的線寬約為 11 至 12 納米，在韓國半導(dǎo)體行業(yè)通常稱為 1c DRAM。ZDNet 還指出，LPDDR5X 代表了目前市場上最先進(jìn)的一代低功耗 DRAM，主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備。根據(jù)美光的新聞
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英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM
- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)報(bào)道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項(xiàng)目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計(jì)劃于2027年完成原型開發(fā)并評(píng)估量產(chǎn)可行性，目標(biāo)是在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計(jì)工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負(fù)責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
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三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組
- 據(jù)韓媒SEDaily報(bào)道，三星半導(dǎo)體部門（即DS設(shè)備解決方案部）正對(duì)系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運(yùn)作方式的調(diào)整計(jì)劃進(jìn)行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計(jì)在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負(fù)責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進(jìn)行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動(dòng)業(yè)務(wù)（MX）部門開發(fā)Exynos手機(jī)SoC的核心任務(wù)。然而，近年來Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機(jī)中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
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DDR5上升趨勢(shì)放緩;DRAM價(jià)格在第三季度將適度上漲
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM 方面，DDR5 價(jià)格已顯現(xiàn)放緩跡象，預(yù)計(jì) 25 年第三季度整體 DRAM 價(jià)格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價(jià)格在 2 月下旬以來上漲后已達(dá)到相對(duì)較高的水平，購買勢(shì)頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會(huì)出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價(jià)格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)相當(dāng)高，在某些情況下甚至高于合同價(jià)格。因此，上升趨勢(shì)最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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美光為Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI創(chuàng)新動(dòng)能
- 美光科技今日（5?月?27?日）宣布，Motorola?最新功能強(qiáng)大的翻蓋手機(jī)Motorola Razr 60 Ultra采用美光高性能、高能效的LPDDR5X內(nèi)存以及先進(jìn)的UFS 4.0解決方案。該款智能手機(jī)搭載Motorola基于大型語言模型的AI功能Moto AI，美光的LPDDR5X和UFS解決方案為其提供了所需的容量、能效、速率和性能。美光企業(yè)副總裁暨手機(jī)和客戶端業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理Mark Montierth表示：“美光LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0存儲(chǔ)解
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中
- 存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器 （1T1C） 和三個(gè)晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
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三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價(jià)格，DDR4上漲20%
- 在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數(shù)據(jù)推動(dòng)的 DRAM 需求激增似乎是真實(shí)的。據(jù)韓國 Etnews 報(bào)道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價(jià)格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報(bào)告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價(jià)條款，已將 DDR4 價(jià)格提高了約 20%。與此同時(shí)，該報(bào)告補(bǔ)充說，DDR5 價(jià)格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或?qū)⒌玫教嵴裰档米⒁獾氖牵珽tnews 表示，由于 DRAM 價(jià)格是以數(shù)月為基礎(chǔ)進(jìn)行談判的，因此最近的上漲預(yù)計(jì)將在一段時(shí)間內(nèi)支持盈利能力，從而為三星第二
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撐不住, SK海力士DRAM漲12%
- 全球存儲(chǔ)器市場近期出現(xiàn)顯著價(jià)格上漲，消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)攀升。 根據(jù)最新市場動(dòng)態(tài)，SK海力士消費(fèi)級(jí)DRAM顆粒價(jià)格已上漲約12%，落實(shí)先前市場的漲價(jià)傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價(jià)格上調(diào)通知，自4月1日起，對(duì)所有通路商及零售客戶的產(chǎn)品實(shí)施價(jià)格調(diào)整，漲幅將超過10%。市場分析人士指出，存儲(chǔ)器價(jià)格近期上漲主要受到全球供應(yīng)鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運(yùn)算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，持續(xù)推動(dòng)了對(duì)高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求，存儲(chǔ)器國際大廠集中資源，生
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三星電子將引入VCT技術(shù)，未來2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品
- 據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線圖，計(jì)劃在第7代10nm級(jí)DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在未來2到3年內(nèi)問世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時(shí)，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過深入研究和對(duì)比，三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm，VCT技術(shù)在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進(jìn)度，三星電子還將原1e nm的先行研究團(tuán)隊(duì)并入1d nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)，集中力量推進(jìn)1d nm工藝的開發(fā)。VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲(chǔ)
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