igbt-ipm 文章最新資訊

英飛凌推出用于電動(dòng)汽車的新一代高功率節(jié)能型IGBT和RC-IGBT芯片

隨著純電動(dòng)汽車（BEV）和插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（PHEV）銷量的快速增長(zhǎng)，電動(dòng)汽車市場(chǎng)的發(fā)展在不斷加速。預(yù)計(jì)到?2030?年，電動(dòng)汽車的生產(chǎn)比例將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)，從2024年的20%增長(zhǎng)至45%左右[1]。為滿足對(duì)高壓汽車IGBT芯片日益增長(zhǎng)的需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出新一代產(chǎn)品，包括為400 V和800 V系統(tǒng)設(shè)計(jì)的?EDT3（第三代電力傳動(dòng)系統(tǒng)）芯片，以及為?800 V?系統(tǒng)量身定制的RC-IGBT&nbs
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT RC-IGBT

R課堂 | IGBT IPM的熱關(guān)斷保護(hù)功能（TSD）

關(guān)鍵要點(diǎn)BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC（Low Side Gate Driver）溫度的熱關(guān)斷電路，當(dāng)LVIC的 T j 達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí)，熱關(guān)斷電路將啟動(dòng)，會(huì)關(guān)斷下橋臂各相的IGBT，并輸出FO信號(hào)。在TSD已啟動(dòng)的情況下，由于IGBT的 T j 已超過150°C的絕對(duì)最大額定值，因此需要更換IPM。該功能監(jiān)控的 T j 為L(zhǎng)VIC芯片的 T j ，無法跟上IG
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體 IGBT IPM 熱關(guān)斷保護(hù)

英飛凌ICE3PCS01G搭配IGBT高效率2.5KW空調(diào)電源方案

這是一個(gè)用于測(cè)試 2.5 kW 功率因數(shù)校正 (PFC) 電路的平臺(tái)。它旨在評(píng)估使用 4 腳封裝的優(yōu)勢(shì)。例如提高效率和信號(hào)質(zhì)量，并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驅(qū)動(dòng)器和碳化硅二極管在內(nèi)的完整 Infineon 解決方案。文件中提供了關(guān)于如何使用該評(píng)估板、CoolMOS? C7 MOSFET 的性能表現(xiàn)以及四腳封裝的優(yōu)勢(shì)的信息，目標(biāo)讀者是經(jīng)驗(yàn)豐富的電源電子工程師和技術(shù)人員。 ? 評(píng)估板的目的與組成 ? 此評(píng)估板旨在評(píng)估TO-247 4針 CoolMOS
關(guān)鍵字：英飛凌 ICE3PCS01G IGBT 空調(diào)電源

能效升級(jí)新引擎！拆解IGBT的三大技術(shù)優(yōu)勢(shì)

在消費(fèi)電子市場(chǎng)高速發(fā)展的當(dāng)下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現(xiàn)代家電設(shè)備中不可或缺的核心器件。憑借其優(yōu)異的開關(guān)特性、低導(dǎo)通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術(shù)正持續(xù)推動(dòng)家電產(chǎn)品能效升級(jí)。安世半導(dǎo)體推出的650 V G3 IGBT平臺(tái)產(chǎn)品，通過性能優(yōu)化與可靠性提升，為家電設(shè)備的高效化、節(jié)能化發(fā)展提供了關(guān)鍵解決方案。本文將聚焦家電設(shè)備的三大核心應(yīng)用場(chǎng)景——電機(jī)拖動(dòng)、PFC（功率因數(shù)校正）電路及感應(yīng)加熱，深入解析安世半導(dǎo)體650 V G3 IGBT平臺(tái)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其在家電領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。1. 電機(jī)拖動(dòng)1
關(guān)鍵字：安世半導(dǎo)體 IGBT

詳解IGBT工作原理

大家好，我是蝸牛兄，今天給大家分享的是：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管)在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。IGBT實(shí)物圖+電路符號(hào)圖你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 BJT 的輸入特性和 MOS 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優(yōu)勢(shì)在于它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。一、什么是IGBT？IGBT 是絕緣柵雙
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IGBT 7 EconoDUAL? 3系列拓展帶焊接針產(chǎn)品

英飛凌在此發(fā)布TRENCHSTOP? IGBT7 EconoDUAL? 3系列產(chǎn)品拓展，帶焊接針和帶預(yù)涂導(dǎo)熱材料版本(TIM)。產(chǎn)品型號(hào)：■ FF900R12ME7■ FF600R12ME7■ FF450R12ME7■ FF900R12ME7W■ FF750R17ME7DP_B11產(chǎn)品特點(diǎn)■ TRENCHSTOP? IGBT7■ 最高功率密度■ Tvj op=175°C過載■ 集成NTC溫度傳感器■ 絕緣基板應(yīng)用價(jià)值■ 相同尺寸下輸出電流更大■ 避免并聯(lián)I
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R課堂 | IGBT IPM的錯(cuò)誤輸出功能（FO）

關(guān)鍵要點(diǎn)?FO引腳為錯(cuò)誤輸出功能引腳，用于向外部通知內(nèi)置保護(hù)功能的啟動(dòng)情況，并會(huì)為自我保護(hù)而關(guān)斷下橋臂各相的IGBT。?FO輸出功能的信號(hào)輸出時(shí)間因已啟動(dòng)的保護(hù)功能類型而異，因此可以判別已啟動(dòng)了哪種保護(hù)功能。這是本機(jī)型產(chǎn)品所具備的功能。?FO引腳的輸入功能，通過在FO引腳上連接RC并調(diào)整時(shí)間常數(shù)，可以擴(kuò)展下橋臂各相IGBT的關(guān)斷時(shí)間。?當(dāng)FO輸出經(jīng)由隔離器件輸入至MCU時(shí)，在輸出時(shí)間隔離器件的傳輸延遲時(shí)間比FO輸出的L電平最短時(shí)間要長(zhǎng)時(shí)，需要根據(jù)延遲情況來擴(kuò)展FO輸出時(shí)間時(shí)，可使用該功能。本文將介紹“保護(hù)
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絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）

IGBT是一種功率開關(guān)晶體管，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，用于電源和電機(jī)控制電路。絕緣柵雙極型晶體管（簡(jiǎn)稱IGBT）是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的交叉產(chǎn)物，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。IGBT晶體管結(jié)合了這兩種常見晶體管的最佳部分，即MOSFET的高輸入阻抗和高開關(guān)速度以及雙極晶體管的低飽和電壓，并將它們結(jié)合在一起，產(chǎn)生另一種類型的晶體管開關(guān)器件，能夠處理大的集電極-發(fā)射極電流，而幾乎不需要門極電流驅(qū)動(dòng)。典型絕緣柵雙極型晶體管?典型IGBT絕緣柵雙極型晶體
關(guān)鍵字：絕緣柵雙極型晶體管，IGBT

英飛凌IGBT7系列芯片大解析

上回書(英飛凌芯片簡(jiǎn)史 http://www.104case.com/article/202502/467026.htm)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通壓降和優(yōu)
關(guān)鍵字： IGBT 電力電子

英飛凌芯片簡(jiǎn)史

話說公元2018年，IGBT江湖驚現(xiàn)第六代和第七代的掌門人，一時(shí)風(fēng)頭無兩，各路吃瓜群眾紛紛猜測(cè)二位英雄的出身來歷。不禁有好事者梳理了一下英家這些年，獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷的數(shù)代當(dāng)家掌門人，分別是：呃，好像分不清這都誰(shuí)是誰(shuí)?呃，雖然這些IGBT“掌門人”表面看起來都一樣，但都是悶騷型的。只能脫了衣服，做個(gè)“芯”臟手術(shù)。。。像這樣，在芯片上，橫著切一刀看看。好像，有點(diǎn)不一樣了。。。故事，就從這兒說起吧。。。史前時(shí)代-PTPT是最初代的IGBT，它使用重?fù)诫s的P+襯底作為起始層，在此之上依次生長(zhǎng)N+ buffer，N- ba
關(guān)鍵字： IGBT 芯片

電子技術(shù)如何助力高鐵節(jié)能？

鐵路與其他客運(yùn)工具相比，能源效率高，據(jù)說其每單位運(yùn)輸量的CO?排放量約為一般載客車輛的1/7。特別是在長(zhǎng)距離運(yùn)輸中，其差距更大，高速鐵路網(wǎng)對(duì)運(yùn)輸基礎(chǔ)設(shè)施的節(jié)能有很大的推動(dòng)作用。一直以來，高速鐵路網(wǎng)在發(fā)達(dá)國(guó)家運(yùn)輸基礎(chǔ)設(shè)施中承擔(dān)著重要的作用，而近年來在新興發(fā)展中國(guó)家也出現(xiàn)了鋪設(shè)高鐵的動(dòng)向。日本已經(jīng)實(shí)現(xiàn)高速鐵路網(wǎng)的實(shí)用化，擁有該項(xiàng)技術(shù)的國(guó)家則集聚官民各方力量，加強(qiáng)對(duì)正在探討鋪設(shè)的國(guó)家的推銷攻勢(shì)。在高鐵市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)過程中，除了高速性、安靜性、安全性之外，能否通過削減CO?實(shí)現(xiàn)碳中和等環(huán)境性能也成為需要納入視野的關(guān)鍵點(diǎn)
關(guān)鍵字：碳中和逆變器 IGBT

被神秘的FS7“附體”，解讀兩大最新功率模塊系列的“超能力”

安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強(qiáng)功率半導(dǎo)體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術(shù)，主要性能拉滿，形成業(yè)內(nèi)獨(dú)特的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。解密FS7“附體”的超能力眾所周知，IGBT是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的優(yōu)點(diǎn)，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通電壓降的特點(diǎn)。而安森美的Field Stop技術(shù)則是IGBT的一種改進(jìn)技術(shù)，通過在器件的漂移區(qū)引入一個(gè)場(chǎng)截
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 onsemi IGBT

意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護(hù)功能

意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動(dòng)化、家電等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的可靠性。新驅(qū)動(dòng)器還適合電源和能源應(yīng)用，包括充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 IGBT SiC MOSFET

Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續(xù)發(fā)展、電動(dòng)出行和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用而優(yōu)化設(shè)計(jì)

為滿足電力電子系統(tǒng)對(duì)更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長(zhǎng)的需求，功率元件正在不斷發(fā)展。為了向系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產(chǎn)品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿足可持續(xù)發(fā)展、電動(dòng)汽車和數(shù)據(jù)中心等高增長(zhǎng)細(xì)分市場(chǎng)的需求。高性能IGBT 7器件是太陽(yáng)能逆變器、氫能生態(tài)系統(tǒng)、商用車和農(nóng)用車以及更多電動(dòng)飛機(jī)（MEA）中電源應(yīng)用的關(guān)鍵構(gòu)件
關(guān)鍵字： Microchip IGBT 7 功率器件

采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案

本文由英飛凌科技的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師Marcel Morisse與高級(jí)技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理Michael Busshardt共同撰寫。鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎(chǔ)設(shè)施的啟用，以減少碳排放對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響。在這一至關(guān)重要的舉措中，風(fēng)力發(fā)電技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色，并已處于領(lǐng)先地位。在過去的20年中，風(fēng)力渦輪機(jī)的尺寸已擴(kuò)大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關(guān)。因此，先進(jìn)風(fēng)能變流器的需求在不斷增長(zhǎng)。這些變流器在惡劣境條件下工作，需要高度的可靠性和堅(jiān)固性，以確保較長(zhǎng)的使用壽命。為了在限制機(jī)柜內(nèi)元件數(shù)
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT