晶圓代工大廠聯電共同總經理簡山杰、王石掌舵近2個月，營運轉為務實導向，不再追趕臺積電先進制程，對外釋出10、7納米制程暫緩跟進訊息，改走自己的路，預計靠現有制程提高投資獲利，贏得外資法人認同。
隨著蘋果的iPhone8將上市，由臺積電以10納米制程代工生產的A11處理器正大量出貨，加上非蘋陣營也將紛紛推出新機種，臺積電預期第3季營收將季增近16%，第4季可望強勁成長。
明年整體營運好轉
聯電在先進制程已大為落后臺積電，新上任的共同總經理檢視市場現實面，決定暫緩跟進10、7納米制程，今
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聯電 7納米
三星電子決定提前興建南韓華城的18號線，提高競爭力搶單。
韓媒BusinessKorea 19日報導，三星華城廠的18號線原定明年動工，如今三星決定提前至今年11月破土。18號線的建筑面積為40,536平方公尺，總樓面面積為298,114平方公尺。投資金額為6兆韓圜(54億美元)，預定2019年下半完工，生產存儲器以外的半導體產品。
華城廠為綜合晶圓廠，生產DRAM、3D NAND flash、系統半導體等。18線將裝設數十臺先進晶圓代工所需的極紫外光(EUV)微影機臺。三星提前施工，顯示
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三星 7納米
GlobalFoundries宣布推出7納米(7LP)FinFET制程技術，主要應用在高階手機處理器、云端服務器網路基礎設備等領域，目前設計軟件已經就緒，預計7LP技術的首批產品將于2018年上半問世，2018年下半正式進行量產。
GlobalFoundries在2016年宣布要展開自研7納米FinFET制程之路，且為了加快7LP的量產進度，GlobalFoundries也計劃投入極紫外光(EUV)技術，7LP技術在量產初期仍是會采用傳統的光刻方式，未來會逐步使用EUV技術。
Glob
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GlobalFoundries 7納米
臺積電7納米研發還在如火如荼進行中，不過消息傳出，臺積電已準備運用7納米技術，為聯發科試產12核心處理器。
聯發科目前最高端處理器HelioX30采10核心架構，但戰力似乎不太夠，聯發科共同營運長朱尚祖(JeffreyJu)日前曾坦承接單狀況不理想，預期會采用新處理器的手機不到十支。
另外，臺積電10納米傳良率不佳，導致聯發科出貨延后，這顯然影響到聯發科信心，并加速進階至7納米的腳步。由于臺積電7納米預估將在2018年初進入量產，這意味著聯發科12核心處理器可能在明年上半年問世。
無
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臺積電 7納米
為響應川普(Donald Trump)新政，英特爾(Intel)宣布將投入70億美元重啟位于亞歷桑納州的Fab 42晶圓廠。分析師認為，英特爾啟用Fab 42的主要目的或許不在于擴大產能，而是要引進7納米制程所需的極紫外光(EUV)設備。
根據EE Times報導，Fab 42啟用后，會將目標瞄準7納米制程，并可望在3~4年內創造3,000個高科技、高薪資的工作機會。盡管英特爾尚未透露將于哪個時間點開始采用EUV微影技術，IC Insights分析師認為，EUV微影將是英特爾7納米成功的關鍵，因
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英特爾 7納米
英特爾(Intel)此前在遵循摩爾定律(Moore’s Law)的進程上稍稍落后，但英特爾仍不打算放棄追尋摩爾定律的發展腳步。2日財報電話會議上，英特爾宣布正投建一座7納米制程試驗廠房，將借此廠房測試及探索7納米制程技術量產的可能。這也可望打破部分專家認為摩爾定律已告終結的說法，并讓英特爾加入7納米制程競賽行列。
根據Computerworld報導，英特爾尚未對外透露何時將開始以7納米制程技術量產芯片，不過應不會在未來2~3年發生，因目前英特爾10納米芯片仍未正式面市。該試驗廠房產能
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來自臺灣地區供應鏈廠商的消息稱，今年第二季度，臺積電首款采用7納米FinFET制程的芯片原型產品將正式下線。
該消息稱，臺積電的7納米芯片制造工藝將于2018年初大規模量產，從而趕上蘋果公司(以下簡稱“蘋果”)秋季的iPhone升級。
除了蘋果，將來高通、賽靈思(Xilinx)和英偉達也將成為臺積電的大客戶。另外還有消息稱，目前已確定有15家客戶將使用臺積電的7納米技術，而臺積電希望能達到20家。
當前，iPhone7使用的A10芯片基于臺積電的16納米Fin
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比利時微電子(IMEC)在2016國際電子元件會議(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環繞式閘極(GAA)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFETs)的CMOS集成電路，其關鍵技術在于雙功率金屬閘極，使得n型和p型裝置的臨界電壓得以相等，且針對7納米以下技術候選人，IMEC看好環繞式閘極納米線電晶體(GAA NWFET)會雀屏中選。
比利時微電子研究中心與全球許多半導體大廠、系統大廠均為先進制程和創
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7納米 IMEC
GlobalFoundries收購IBM資產后，雙方技術、晶圓廠、人力進行大規模的整合。已經在半導體產業有超過30年資歷，之前服務IBM約8年時間的GaryPatton，在2015年7月加入GlobalFoundries擔任技術長一職后，一肩扛起7納米制程的研發重任，整合IBM資產后的GlobalFoundries發展的方向更明確，先進的FinFET制程與低成本的FD-SOI制程并進，本報記者特地專訪Patton講述未來GlobalFoundries發展的藍圖規劃。
記者：GlobalFound
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GlobalFoundries收購IBM資產后，雙方技術、晶圓廠、人力進行大規模的整合。已經在半導體產業有超過30年資歷，之前服務IBM約8年時間的Gary Patton，在2015年7月加入GlobalFoundries擔任技術長一職后，一肩扛起7納米制程的研發重任，整合IBM資產后的GlobalFoundries發展的方向更明確，先進的FinFET制程與低成本的FD-SOI制程并進，本報記者特地專訪Patton講述未來GlobalFoundries發展的藍圖規劃。
記者：GlobalFoun
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臺積電 7納米
在智能手機行業蓬勃發展的今日，手機為我們的生活乃至工作協助了太多，不可否認手機制造業從每五年的大跨步到現如今每年都有黑科技產出，并且在廠商的相互競爭下還在高速向前，飛速進步之中。這其中讓手機性能提升最為顯著的因素就要數處理器了，回首以往，處理器方面的進步確實歷歷在目。
對于廣大國產手機來說，常用的處理器無非高通驍龍、聯發科以及麒麟這三大陣營。以高通驍龍為例，回顧以往產品可以看到從最初的驍龍430，逐漸進步到驍龍625，后來提升到驍龍652以及650，最后來到了現在的驍
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全球 IP 矽智財授權廠商 ARM 于 12 日宣布，將參與 IMEC (歐洲微電子研究中心)代號為 INSITE 的計劃，借此以強化雙方的合作。據了解，INSITE 計劃乃是致力于優化集成電路設計、系統層面架構的功耗表現，并且產品提高性能與降低成本。
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ARM 表示，本次合作的重點是 7 納米制程及其以上的半導體芯片為主。未來，兩者進一步合作后，預計將可透過學習新技術與設計目標，加速半導體芯片的性能提升，使其在 INSITE 計劃下的戰略性產品能夠盡早進入市場。
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14日即將舉行法說會的晶圓代工龍頭臺積電，為了確保2017年能在7納米制程的爭奪戰中勝出，并且達成登上全球半導體龍頭的寶座，預料將在法說會中宣布，未來將大幅度增加研發的資本支出，并且大幅度招聘人才，擴大研發團隊的規模與數量。
根據媒體報導，6月份繳出營收達到史上第3高數字的臺積電，預計在14日的法說會中，由董事長張忠謀說明研發支出的相關金額，以及先進制程的相關計劃之外，目前也將針對研發團隊加緊招聘人馬。尤其，是針對即將畢業的社會新鮮人，將也運用各種招聘活動尋找適合的人選加入臺積電。據了解，臺積電
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在全球晶圓代工廠積極搶攻 7 納米先進制程，都想在 7 納米制程領域搶下龍頭寶座的情況之下，三大陣營臺積電 (TSMC) 、三星、以及由 IBM 提供協助的格羅方德 (GlobalFoundries) 誰最后終將出線，結果將牽動全球半導體市場的生態。
根據外媒表示： 2016 年晶圓代工的主流制程是 14 及 16 納米的 FinFET 制程，其主要業者包含了英特爾 (Intel) 、臺積電及三星 / 格羅方德三大陣營，而且戰場延伸到下一代 10 納米先進制程，同樣的此三大陣營都宣布將在 201
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7納米 晶圓
三星電子(Samsung Electronics)決定引進極紫外光微影制程(EUV)設備，加速發展晶圓代工事業，意圖加速超越臺積電等競爭者。不僅如此，最近三星電子還開放為韓系中小型IC設計業者代工200mm(8吋)晶圓，積極擴展晶圓代工客戶。
據韓媒ET News報導，三星集團(Samsung Group)從2016年初對三星電子系統LSI事業部進行經營診斷，原本計劃3月底結束診斷作業，因故延長至4月，最終評估后決定引進EUV設備，目標2017年量產7納米制程。
經營診斷過程中有部分意見認
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